DISTRIBUTION OF BORON IN BORON-DOPED Fe_3(SiAI)BY MEANS OF α-PARTICLE AUTORADIOGRAPH

用α粒子径迹法考察经硼微合金化后的Fe_3(SiAl)合金在部分有序状态下的硼分布,用透射电镜观察反相畴,结果表明硼含量在Fe(SiAl)合金中存在一临界浓度约150ppm。硼含量低于此临界浓度时,硼在晶内的大量反相畴界上呈均匀分布,降低了长程有序度和反相畴界能,从而改善了该化合物的脆性;高于此临界浓度时,硼开始在晶界上偏聚,晶内出现贫硼区,削弱了硼在晶内畴界上均匀分布带来的降低反相畴界能和改善化合物脆性的有益作用。硼与反相畴界之间可能存在化学交互作用。     

基于SMS短消息传输的远端控制技术及其实现

本文主要叙述了基于短消息输入机制的远端控制技术原理及其系统的实现方法.提出并定义了一个可靠的并且具有纠错功能的指令协议集.基于DSP芯片和SMS短消息模块实现了远端控制.该系统在汽车防盗中得到了成功的应用.     

基于可编程逻辑器件(Lattice)的多功能数字频率计

介绍了具有频率测量、脉冲周期测量、脉冲宽度测量以及脉冲信号占空比测量等功能的数字频率计，设计中使用了Iattice ispLSI 1016-60在线式大规模可编程逻辑器件及CAL芯片等。     

适用于计算的量子点

美国加利福尼亚大学的研究人员用高温有机金属工艺产生CdSe/ZnS量子点。他们把量子点溶入乙烷,并通过离心铸造法把它们做在一个玻璃滑盖上,从而使量子点以平均1μm的距离分开.他们让一束488nm的氩离子激光通过共焦显微镜上的一块具有大数值孔径的物镜射到滑盖上以便在量子点中产生电子空穴对。由此产生的光致发光由同一块物镜收集,并且通过一个激发光束分裂器和一个全息陷波滤波器,后者的作用是截断散射光。然后,研究人员用一个50/50非偏振     

紧跟CCD器件的CMOS探测器

经过数十年的研究与发展,互补金属氧化物半导体(CMOS)探测器有可能在各种应用中取代随处可见的电荷耦合器件(CCD),而且不单单是在成像技术方面。CMOS器件可做在与微处理器使用的芯片相同的芯片上,在过去的     

红外焦平面探测器黑体探测率Dbb的一些问题的讨论

介绍了红外焦平面（简称FPA）探测器黑体探测率Dbb^*的定义和测试方法，比较了用点黑体辐射源和平黑体辐射源的对FPA探测器的响应率Rbb测试结果，讨论了FPA探测器的伏安特性对信号输出的影响。     

不均匀沉降对建(构)筑物的危害及处理措施

基础坐落在软弱地基上、施工方法不当、设计不合理，是使建筑物产生不均匀沉降的主要原因。当不均匀沉降值超过允许限度，将会使建筑物开裂、损坏，甚至会带来严重的危害。