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利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜 (TAO). 根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb 原子比处于0.22~0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的. 光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(~3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜, p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性. 相似文献
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4.
介绍了一种比常规PLC更高层次的可编程计算机控制器B&R的PCC,并结合齐钽大厦FA工程实例,从软、硬件系统的开发角度,介绍了它的一项应用。 相似文献
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不知是否是美国式的幽默?近日,IBM向美国安全管理部门建议:禁止联想员工踏入与IBM员工的共享办公区域.并把数千名IBM的雇员搬迁到其他地方。 相似文献
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双机热备控制功能,在工业上有着十分广泛的应用。除化工、冶金及电力等一些重要的过程自动化(PA)控制对象以外,一些重要的机器设备也同样有着24小时不间断工作,运行高度可靠,在线维护等要求,航空管制雷达(ATM)就是这样一种典型的机电设备,其工作的可靠与否, 相似文献
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简要阐述了可编程控制器目前一方面加强其面向控制的特色;另一方面越来越融入计算机的优点,向DCS渗透的发展趋势.介绍一种体现上述发展趋势的新型可编程计算机控制器及其特点,同时还介绍了该产品在电厂化学补给水控制系统中的应用实例. 相似文献
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为解决现有高压直流线路电流差动保护动作延时长(秒级)的问题,提出基于突变电流积聚量的伪同步差动保护新原理。分析两端电流在区内外故障时的突变特征,提出突变电流积聚量以有效捕捉电流突变方向,利用两端突变电流积聚量分别构造动作电流和制动电流,提出全新原理的直流差动保护,并通过伪同步算法进一步缩短保护动作时间。此外,比较两端电流数据在伪同步和同步算法下的时序关系,进一步分析伪同步算法的优越性。仿真验证结果表明,保护新原理具有高快速性和灵敏性,考虑20ms线路通道延时,区内金属性故障时保护的动作时间不大于20ms,经高阻故障(高达800Ω)时保护动作时间不大于27.6ms。保护新原理不需对分布电容电流进行补偿,两端数据不需完全同步,算法计算量小且对数据采样率没有高要求,工程实用性强。 相似文献