首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   44篇
  免费   1篇
  国内免费   3篇
电工技术   7篇
综合类   2篇
金属工艺   2篇
机械仪表   2篇
建筑科学   2篇
矿业工程   3篇
能源动力   2篇
轻工业   1篇
石油天然气   2篇
武器工业   6篇
无线电   9篇
一般工业技术   1篇
冶金工业   7篇
自动化技术   2篇
  2024年   1篇
  2023年   1篇
  2021年   1篇
  2020年   2篇
  2019年   2篇
  2018年   2篇
  2017年   1篇
  2016年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   1篇
  2013年   1篇
  2012年   3篇
  2011年   6篇
  2010年   2篇
  2008年   5篇
  2007年   5篇
  2006年   1篇
  2005年   2篇
  2004年   1篇
  2003年   1篇
  2002年   2篇
  2001年   2篇
  1999年   2篇
  1984年   2篇
排序方式: 共有48条查询结果,搜索用时 250 毫秒
1.
文章阐述了某型炮兵子母弹子弹引信作用原理及安全性设计准则。进而依据GJB 373A—1997《引信安全性设计准则》对该型炮兵子母弹子弹引信进行安全性分析,认为子弹引信的安全性设计满足《引信安全性设计准则》的相关要求,特别具有延期解除保险、非正常时序故障保险、子弹成串防错装和瞎火状态识别等安全特性。  相似文献   
2.
均匀腐蚀全浸试验是衡量金属腐蚀性能的重要依据,影响其腐蚀速率的因素较多,包括仪器的不确定度和测量重复性等。为了掌握试验数据的准确性,在室温5%硫酸溶液中对热双金属材料特定表面进行了24h均匀腐蚀全浸试验,对其腐蚀速率进行了不确定度评定,结果满意。  相似文献   
3.
本文重点针对某弹药通用规范国家军用标准(以下简称标准)的论证和编制问题做了一些探讨。  相似文献   
4.
改性方沸石用于饮用水除氟的实验研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
研究了经不同方法改性方沸石的除氟效果,并对搅拌吸附时间、高氟水含氟量、硫酸根离子浓度和pH值等对改性方沸石除氟的影响作了研究。结果表明,先高温活化,后用硫酸铝钾溶液活化处理的方沸石,以1g改性方沸石加入100mL含氟5mg/L的模拟饮用高氟水做吸附试验,在模拟高氟水pH值为6.5、搅拌时间20min时,沸石的吸附量达420μg/g以上,吸附后模拟高氟水残余氟含量降至1mg/L以下,达到国家饮用水标准要求。  相似文献   
5.
ODF工艺用封框胶的研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
研究了液晶面板制造ODF工艺用封框胶材料与周边Mura的关系.实验表明,通过提高UV光照量,调整封框胶中引发剂和偶联剂等活性成分,能有效地改善周边Mura,同时提高液晶面板的剥离强度.  相似文献   
6.
随着我国广播电视的发展,其监测播出形态呈现多样化的形式,同时其涉及的领域和体量也越来越大,因此面对如此庞大的数据量,广播电视监测工作者如何获取有价值的信息成为行业面临的主要问题.本文从大数据的技术特点出发,通过对其在广播电视监测中应用前景的介绍,为有效分析监测数据提供参考依据.  相似文献   
7.
长春师范学院图书馆信息资源建设应当以学校学科建设为基础,服务于学校的教学与科研工作.在未来的信息资源建设中,应加大电子资源的建设,并重视馆藏特色资源的建设.  相似文献   
8.
ODF生产线设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍了全自动液晶滴下(ODF)生产线设计的关键点.根据规划产能和设备节拍时间,计算了各种工艺设备的数量;研究了隔垫物系统、液晶滴下系统和成盒系统的工艺要求;根据工艺设备的运行特点、基板投入方式等要素探讨了搬运系统的运营方案.成功设计了国内第一条多功能全自动ODF生产线,并实现量产.  相似文献   
9.
TFT-LCD中隔垫物密度与Push Mura和低温气泡的关系   总被引:6,自引:5,他引:1  
研究了隔垫物密度对Push Mura和低温气泡的影响.实验表明,通过增加隔垫物密度,能提高液晶面板的抗压强度,降低Push Mura发生率.但是,隔垫物密度过高会引起低温气泡发生.当隔垫物密度控制在适当范围内时,既能大大改善Push Mura,又不会发生低温气泡,且不影响产品的光学特性.  相似文献   
10.
结合电容近炸引信的工作原理,分析了杀爆迫弹的最佳炸高、控制信号处理、定向探测电路设计及抗干扰等四个迫弹近炸引信设计过程中的关键技术问题.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号