δ—函数在离子溅射热峰效应中的应用

热峰效应发生在离子束注入及激光表面材料处理过程中。引进了δ－函数来描述热峰在离子溅射中的效应，从经典的热传导方程出发，对球形热峰效应及圆柱形热峰效应作了特别讨论，发现不同形状的热峰在材料处理过程中会引起不同程度的非线性效应。     

MOSFET栅氧化过程界面分凝行为的二维工艺仿真

使用TSUPREM－4二维集成电路工艺仿真系统对P－MOS栅氧化过程中杂质分凝行为进行了计算机仿真。以数值方式和绘图方式定量地描述了杂质的分凝行为，提出了调节氧化步序和氧化模式来抑制杂质分凝效应的方法。     

Raphael-深亚微米集成互连参数仿真优化系统

针对超深亚微米层次下的金属互连设计,使用Raphael(集成布线互连)仿真系统完成了互连寄生效应参数的提取。介绍了Raphael仿真系统的主要功能及基本应用,并分析了常规集成布线互连参数模型。采用二层跨越式互连结构,对寄生电阻、电容参数进行了仿真,并得到电流密度的分布结果。这些参数的提取及验证对电路的布局设计是十分重要的。     

δ-函数在离子溅射热峰效应中的应用

热峰效应发生在离子束注入及激光表面材料处理过程中．引进了δ函数来描述热峰在离子溅射中的效应,从经典的热传导方程出发,对球形热峰效应及圆柱形热峰效应作了特别讨论,发现不同形状的热峰在材料处理过程中会引起不同程度的非线性效应     

粉末溅射平面薄膜型SnO2/CeO2酒敏元件性能测试

给出了SnO2/10?O2(0.4mm×0.6mm×0.4mm)元件的温耗特性曲线,研究了老化的温度和时间,研究了气敏电流Ig与气体浓度C的关系,并给出了一个普遍适用的规律.     

光抽运汽室87Rb频标中的微波功率频移*

从实验上系统地研究了铷原子频标中的微波功率频移与微波功率的关系 ,结果表明微波功率频移与微波功率呈线性关系 ,而且微波功率频移系数始终为一正值 ,测量得到的相对微波功率频移的精确度可达 1× 10 - 1 1 .     

一种新型的内置式永磁同步电机无位置传感器控制策略

针对内置式永磁同步电机(IPMSM)在低速域运行时模型参考自适应观测器对电机参数变化敏感、位置检测精度低以及鲁棒性差等缺点,提出了通过利用电机本体的参考模型和相应可调模型的差值构造滑模面,取代了传统模型参考自适应观测器中采用PI调节器作为自适应机构的做法,并且采用模糊控制器自适应调整滑模增益以抑制滑模运动的抖振。在MATLAB/Simulink环境下搭建了仿真模型。仿真表明:在外部扰动以及电机参数变化时,估计转速和转子位置均能跟踪到实际的转速和转子位置。     

MOSFET栅氧化过程界面分凝行为的二维工艺仿真

使用TSUPREM - 4二维集成电路工艺仿真系统对P -MOS栅氧化过程中杂质分凝行为进行了计算机仿真 以数据方式和绘图方式定量地描述了杂质的分凝行为 ,提出了调节氧化步序和氧化模式来抑制杂质分凝效应的方法