半导体型单壁碳纳米管的电子输运特性

采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green functions,NEGF),对耦合于两个面心立方间的Al(111)电极间的(8,0)碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)传输特性进行了计算。结果表明,在小偏压下(-40～40 mV),碳纳米管伏安特性与孤立碳纳米管的接近为零不同,而是接近为线性,这是耦合导致碳纳米管能级移动的结果。     

扶手椅型碳化硅纳米管的电子输运特性

采用结合密度泛函理论的非平衡格林函数法(4, 4)对扶手椅型碳化硅纳米管的电子输运特性进行了研究。碳化硅纳米管的平衡态透射谱的费米能级附近存在大约2.12 eV的透射谷,这表明碳化硅纳米管是宽带隙半导体材料,与第一性原理的计算结果是一致的;在非平衡态输运特性中,发现了微分负阻效应,该效应是偏压引起态密度变化的结果。论文的研究对碳化硅纳米管电子器件的建模与仿真具有较重要的意义。     

峰值电流控制DC-DC Boost变换器优化斜坡补偿

非线性现象在DC-DC开关变换器中普遍存在,具体表现为次谐波振荡和混沌等不稳定现象。针对此,研究了峰值电流控制下的DC-DC Boost变换器,通过采取固定斜坡补偿可消除其电路中的非线性现象,但降低了参考电流和输入功率。为解决上述问题,提出了一种优化的斜坡补偿方案来解决固定斜坡补偿带来的参考电流和输入功率降低的问题,同时推导出其参考电流和电感电流平均值的表达式,通过仿真和实验验证了理论分析的正确性及所提优化补偿策略的有效性。     

(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的输运特性

建立了(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的模型,采用非平衡格林函数法计算了该异质结的输运特性.从异质结的分子投影自洽啥密顿量的本征轨道,可以看出最高占据分子轨道和最低空轨道均位于碳纳米管侧,其能带闻隙约为0.48 eV;从其伏安特性可以看出,在正负偏压下开启电压为+2.0V和-1.6V.     

掺氮锯齿型单壁碳纳米管的电子结构

基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法,采用CASTEP软件包,在分析掺氮碳纳米管最可能存在方式并进行结构优化的基础上,对不同掺氮浓度的单壁碳纳米管的电子结构进行了计算,分析了掺杂碳纳米管的能带结构和态密度,结果表明随着掺杂浓度的增加能带间隙呈现减小的趋势.     

基于开关流图法Cuk型DC/DC变换器小信号建模

Cuk变换器具有输入与输出电流纹波低、能量双向流动等优点,在新能源发电和直流微网中具有良好的应用前景。在分析变换器工作原理的基础上,分别建立导通和截止状态的开关流图;引入以乘法器描述的开关支路模型,推导变换器在整个开关周期的开关流图;对开关支路施加扰动,提取变换器的小信号模型,并应用梅森公式计算变换器的传递函数。采用PSIM软件对变换器小信号模型进行仿真,结果证明了模型的正确性,本文方法对高阶开关变换器建模具有较高的参考价值。     

高压钠灯的声谐振特征及其混沌抑制

高压钠(HPS)灯高频工作时极易产生声谐振现象,轻则电弧弯曲、抖动、旋转、光线闪烁;重则电弧熄灭或者灯管损毁,严重影响灯光的照明效果;同时,灯的电气参数也会发生不同程度的改变。针对这一现象,采集声谐振时的电弧曲线,研究电弧弯曲幅度、抖动频率、电气参数变化与声谐振程度的关系,提出声谐振混沌抑制技术,通过给扫频控制电路输入端叠加低频正弦波、三角波、方波信号进行扰动调制,分散驱动电压频谱,从而降低声谐振时的能量阈值,抑制声谐振现象。文中给出不同类型、不同扰动参数下电压频谱扩散实验效果,结果表明只要扰动信号参数选择合适,频谱便能很好地分散,不同时期的声谐振现象便可被抑制。     

含空位缺陷碳化硅纳米管的电子结构和光学性质

Based on first-principle calculations,the electronic structures and optical properties of a single-walled (7,0) SiC nanotube(SiCNT) with a carbon vacancy defect or a silicon vacancy defect are investigated.In the three silicon atoms around the carbon vacancy,two atoms form a stable bond and the other is a dangling bond.A similar structure is found in the nanotube with a silicon vacancy.A carbon vacancy results in a defect level near the top of the valence band,while a silicon vacancy leads to the formation of three defect levels in the band gap of the nanotube.Transitions between defect levels and energy levels near the bottom of the conduction band have a close relationship with the formation of the novel dielectric peaks in the lower energy range of the dielectric function.     

一种配电网络拓扑快速增量建模方法

将配电网中的开关和T接点看作节点、将馈线段当作边,采用邻接表描述节点和边的连接关系,用从属关系反映配电变压器与边的连接关系。提出一个14列的拓扑编辑表记录编辑操作,每行反映一次编辑操作。详细描述了节点添加、节点删除、节点类型变更、边的添加和删除等基本编辑操作的处理方法,论述了拓扑变更后边与配电变压器从属关系调整方法,论述了根据拓扑编辑表进行配电网络拓扑的快速增量建模的方法,结合实例对提出的方法进行了分析和说明,结果表明提出的方法是可行的。     

AC/DC Boost变换器固定补偿与动态补偿实验对比

以电流连续模式(CCM)下峰值电流控制AC/DC Boost变换器为对象,对固定补偿和动态补偿方法进行电路实验对比。在原理仿真基础上,采用ML4812作为功率因数校正装置实现两种方式的斜坡补偿。实验结果表明,动态补偿不仅消除了固定补偿带来的过零死区现象,而且还达到了提高电路功率因数和全工频周期稳定的目的,是一种较好的稳定性动态补偿策略和技术方法。