应变SiGe沟道pMOSFET的击穿特性

以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制.     

白石窑水电厂4号机定子线圈端部击穿事故原因分析及处理方法

对白石窑水电厂4号机定子线圈端部击穿事故原因进行分析，并提出具体的处理方法，为4号机组在丰水期尽快恢复运行多发电，赢得了时间，可作为同类型事故预防及处理的借鉴、参考。     

CT_1型瓷介电容器全国质量分等试验耐久性试验浅析

通过对全国集中分等试验的情况总结,分析了目前CT_1型瓷介电容器的失效模式和质量状况,提出了几点改进措施。     

Pn结雪崩击穿噪声的特点及利用

一、雪崩击穿噪声的特点1.pn结击穿噪声为雪崩击穿所特有.图1为击穿电压V_B与击穿噪声密度V_i关系曲线.从图1可以看到,当V_B<3V时噪声可忽略,在3～7V时急剧上升,在7V以上,则呈幂函数关系:V_i≈1.8×10~(-5)V_B~0.222.pn结击穿噪声频带比1/f噪声更宽.1/f噪声主要在1kHz以内,上限0.1～1MHz而雪崩击穿噪声在10kHz以内,上限10～100     

美国对高压直流穿墙套管外闪问题的研究

高压直流穿墙套管在受到不均匀淋雨情况时可能导致闪络放电,为此美国一些运行单位采用了施涂RTV(室温流化层)的措施,我国±500kV葛上线的两侧换流站中亦应用了该措施,其效果究竟如何是个令人感兴趣的问题。本文综述了这方面开展的工作,同时介绍了其它一些可采纳的方法。     

微秒延时真空击穿

本文分析了大电流开断之前，电压延时击穿与时间间隔的函数关系。当时间间隔〉１ｍｓ时，间隙工作状态对应冷电极。对于该过程，在个别开断试验中，研究了延时对种种上参数的依赖关系，我们发现在电压不变时，延时随着间隙距离的增是急剧增大，这就可得出一个结论：场致发射是靠民延时击穿的主要原因，而不是用团块。