γ辐射对阻燃材料性能的影响

对核电站广泛使用的电缆防火涂料和有机防火堵料进行了耐γ辐射的研究。结果表明：1000kGy以上的γ辐射能严重恶化电缆防火涂料的抗弯性、耐湿热性、耐冷热循环性：500kGy以上的γ辐射对有机防火堵料的耐火性和腐蚀性都有很大影响。     

高分子磁体/ TiO2复合缩波材料的电磁性能

研究了在100 MHz～1800 MHz 的高频、微波下, 高分子磁体/ TiO₂( 简称OPM/ TiO₂ ) 复合缩波材料的电磁参数变化。研究表明: 丙烯酸改性的OPM/ TiO₂ 复合缩波材料有效地提高其介电常数, 降低介电损耗和磁损耗,而60Co-r 辐照的OPM/ TiO₂ 材料却显著地提高其磁导率及介电常数, 但材料的磁损耗和介电损耗基本不变, 因此,OPM/ TiO₂ 作为一种用于缩小电子器件及天线几何尺寸的复合缩波材料, 对高频, 微波通信、宇航和计算机有重要的理论和应用价值。      

不同纳米粒子改性PPR树脂的性能比较

以纳米碳酸钙、纳米二氧化钛和纳米氧化锌晶须为添加剂，对PPR树脂性能尤其在耐热性方面进行了改性。系统地比较了经改性处理后纳米粒子对PPR树脂耐热性、力学性能的影响。通过扫描电镜观察了粒子在基体中的分散状况。结果表明，在几种纳米粒子中，经0．5％的KH560处理后的氧化锌晶须的分散性最好，对PPR树脂的改性效果佳，与纯PPR相比，氧化锌晶须质量分数为4％时．改性PPR树脂的性能有较大提高，其热变形温度从72℃提高到102℃，断裂伸长率也由45％提高到112％。     

HCl-NH3双组分催化正硅酸乙酯快速制备SiO2气凝胶

以正硅酸乙酯(TEOS)为原料,水和乙醇为溶剂,盐酸和氨水为催化剂,采用溶胶-凝胶法制备了SiO2气凝胶.研究了水和乙醇及催化剂对制备SiO2气凝胶反应速度、凝胶时间的影响.结果表明HCl和NH3·H2O作为催化剂大大加速了溶胶和凝胶反应速度,使凝胶时间减少至几分钟甚至更短,所制备的SiO2气凝胶具有纳米多孔结构(骨架颗粒为15～20nm,孔洞尺寸为10～30 nm).     

辐照对高分子磁体/M型铁氧体复合物电磁性能的影响

报道了在^60Coγ辐照下二茂铁高分子磁体／M型六角晶系铁氧体复合物(简称OPM／M型)辐照剂量、组分配比、温度对复合物电磁参数的影响,并用IR差示光谱、SEM(电子扫描显微镜)研究了辐照剂量对复合物的降解与交联之影响。研究表明,适当的辐照剂量及组分配比可控制复合物的电磁参数,并有可能获得一种用于0．1—12GHz下的轻质和良好吸波特性的新型吸波剂。     

物理气相输运法制备碘化铅晶体及其电学与γ射线能谱响应研究

采用物理气相输运法制备了碘化铅晶体并制作了两种不同结构的辐射探测器。论文对室温下器件的电学性质及γ射线响应性能进行了测试。结果表明,当偏置电场与晶体c轴平行时,测得的器件暗电阻为3?1010 Ω?cm,但当偏置电场垂直于晶体c轴时,暗电阻降为2?108Ω?cm 。能谱测试显示,两种结构的探测器对241Am发射的59.5keV γ射线均有敏感的响应,其中性能最好的探测器能量分辨率达到16.8%,半高宽为9.996keV。     

硒化镉(CdSe)单晶体的变温霍尔效应研究

通过变温（20～300K）霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ（T）、载流子浓度n（T）、霍尔系数RH（T）和霍尔迁移率μH（T）的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能（24.7meV）与补偿度（23.7%）.上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料.     

稀土湿法生产过程中放射性核素的迁移及对公众所致辐射剂量研究

描述了稀土矿湿法生产过程中放射性核素的迁移规律,并对四川省冕宁稀土矿湿法分离工艺进行分析研究。结果表明,稀土湿法冶炼过程中大部分放射性钍富集在废渣和产品中,仅有1.03%的钍粉尘排入大气,0.27%的放射性钍进入废水。对排入环境中的气载和液载放射性钍的辐射剂量进行了计算,其结果分别为6.02×10-2 mSv·a-1、1.43×10-2 mSv·a-1,该值低于公众个人剂量基本限值(1mSv·a-1),工作人员个人最大有效剂量为7.67×10-2 mSv·a-1     

CdSe单晶的正电子寿命研究

利用正电子湮没方法对CdSe单晶中的缺陷进行了研究，通过对不同温度下退火样品正电子湮没寿命的测试分析，表明：在CdSe晶体中存在的点缺陷主要是占优势的镉空位。由正电子湮没寿命和退火温度的关系，研究了硒化镉单晶退火时空位的迁移、合并及消失情况，确定出能减小生长中形成的空位性缺陷浓度并获得较为完整的晶格的最佳退火温度范围为650～800℃。