高分子材料导热性能影响因素研究进展

介绍了高分子材料导热性能影响因素研究进展，重点阐释了聚合物基体的结构特性（链结构、分子间相互作用、取向、结晶度等）、导热填料（种类、含量、形态、尺寸等）以及制备方法等对高分子材料导热性能的影响。     

硅渣和玻璃粉直接烧结制备多孔材料的气孔结构与力学性能

以硅渣和玻璃粉为原料,采用粉体直接烧结法制备多孔材料,研究了烧结温度(700~900℃)、烧结时间(15~120min)和升温速率(10~100℃·min^-1)对多孔材料表观密度、气孔率、物相组成、抗压强度的影响。结果表明:气孔结构均匀性随烧结温度的升高而降低;表观密度随烧结温度的升高先减小后增大,随保温时间的延长而增大,随升温速率的增大而减小,气孔率的变化趋势与表观密度的相反;多孔材料的主要物相为玻璃相和硅、SiC、SiO2、Ca2Al2SiO7等结晶相,且结晶度随烧结温度的升高而降低;抗压强度随烧结温度的升高呈先增大后减小的趋势;当烧结温度为750℃,升温速率为30℃·min^-1,烧结时间为30 min时,多孔材料的主晶相为硅和Ca2Al2SiO7,抗压强度最大(1.60MPa),表观密度为0.43g·cm^-3,气孔率为80%。     

C8 BTBT薄膜结晶形貌及OTFT器件性能研究

以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8‐BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski‐Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm^2·V^-1·s^-1,开关比超过106;且退火处理会严重破坏C8‐BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。     

在高岭土原位晶化体系中钾对P型沸石生成的影响

主要考察了在高岭半原位晶化体系中钾对P型沸石生成的影响。结果表明：在高岭主微球原位晶化过程中，随着钾含量的增加，晶化产物的结晶度急剧下降，硅铝比有所降低；P型沸石的含量随着钾含量的增加而迅速增加。     

FCC催化剂中高岭土的影响及应用

对高岭土在FCC催化剂中的影响及高岭土原位晶化进行了研究。结果表明：高岭土的粒度、杂质含量、结晶纯度均影响催化剂的性能；韩城高岭土原位晶化的产物，具有较高的结晶度和硅铝化。     

烧结温度、配比及粒径对Al-Teflon准静压反应的影响

为确定烧结温度、材料配比及粒径对铝-特氟龙(Al-Teflon)准静压反应现象的影响,利用万能实验机对Al-Teflon进行了准静态压缩试验。得到了烧结温度、配比及粒径影响下试件的应力应变曲线及反应率数据。利用扫描电子显微镜(SEM)进行了微观形貌分析。结果表明,烧结温度、材料配比及粒径均影响材料的力学特性,改变了材料的形变及裂纹形成模式,进而影响准静压起始反应的激发;同时,材料配比影响反应完全度,当材料配比偏离化学平衡配比时,出现不完全反应现象;而随粒径减小,反应烈度及反应速率增加。Al-Teflon能够发生准静压反应的材料-工艺范围为:烧结温度320~370℃,Al质量分数16%~36%,Al粉粒径小于12~14μm。     

交联聚乙烯交联度和结晶度对水树生长的作用机制

为深入理解交联聚乙烯(XLPE)材料交联度对材料中水树生长的影响,研究了不同交联度XLPE样本中水树的尺寸,并结合交联度和结晶度观测结果对水树生长特征进行分析。结果表明:随着XLPE试样交联度的升高,其结晶度呈下降趋势,在交联度高于80%时,结晶度显著下降。随着试样交联度的升高,水树长度先减小后增大,在交联度为80%时,水树尺寸最小。水树生长是交联和结晶共同作用的结果。     

纳米Fe3O4磁性粒子合成过程中分散体系的影响

分别采用水体系化学共沉淀法和聚乙二醇体系化学共沉淀法制备了超顺磁性的纳米Fe3O4磁性粒子，并比较了它们在物相组成、磁性能以及分散稳定性等方面的差异．结果显示：在2种体系中制备的纳米Fe3O4磁性粒子都呈现出较好的超顺磁性，其中水体系中制备的纳米Fe3O4磁性粒子结晶度较高，聚乙二醇体系中制备的纳米Fe3O4磁性粒子磁化率和分散稳定性较优．