C8 BTBT薄膜结晶形貌及OTFT器件性能研究

以p型共轭有机小分子2,7二辛基[1]苯并噻吩并[3,2‐b]苯并噻吩(C8‐BTBT)作为底栅顶接触有机薄膜晶体管(OTFT)的有源层,采用浸渍提拉法、喷墨打印法和真空蒸镀法三种制备工艺,探究半导体薄膜载流子迁移率与结晶形貌的关系,发现不同工艺下有机小分子呈现出不同的生长行为和结晶情况,在很大程度上决定了OTFT器件性能的优劣;此外,通过XRD分析研究了退火处理对C8‐BTBT结晶的影响。结果表明,真空蒸镀制备的薄膜具有更高的结晶度、衬底覆盖率高,并且呈现出SK(Stranski‐Krastanov)模式的结晶生长特征,相应器件中陷阱密度最低,迁移率高达5.44 cm^2·V^-1·s^-1,开关比超过106;且退火处理会严重破坏C8‐BTBT薄膜的结晶。因此,控制半导体层的生长行为,提升半导体层的覆盖率和结晶度是制备高性能共轭小分子OTFT器件的有效途径。     

Bphen掺杂Cs_2CO_3作为电子传输层对OLED器件性能的影响

为改善OLED器件的载子注入平衡,本文在其结构ITO/MoO3/NPB/Alq3/Cs2CO3/Al中,分别引入高电子迁移率材料Bphen及Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层。通过改变Bphen的厚度以及Bphen中Cs2CO3的体积掺杂浓度,研究其对器件发光亮度、电流密度和效率等性能的影响。实验结果表明,采用Bphen或者Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层,均能提高器件的电子注入能力,改善器件的性能。相比于未引入Bphen的器件,采用25nm的Bphen作为电子传输层,改善了器件的电子注入,使器件的最大电流效率提高112%;采用体积掺杂浓度为15%,厚度为5nm的Bphen∶Cs2CO3作为电子传输层,减小了电子注入势垒,使器件的最大电流效率提高27%,并且掺杂层厚度的改变对器件的电子注入影响很小。该方法可用于OLED器件的阴极修饰,对器件性能的提升将起到一定的促进作用。     

AMOLED灰阶补偿算法研究

为了解决一种小型AMOLED显示屏由灰阶丢失导致的图像变形问题,提出了一种AMOLED灰阶补偿算法。首先测试不同亮度下AMOLED显示灰阶时亮度变化的数据,然后依据测试数据建立亮度变化与灰阶丢失的映射关系,最后使用非线性灰阶压缩的方法对输入图像进行变换,补偿灰阶丢失引起的图像失真。通过软件仿真和硬件测试表明,该算法可以有效地补偿由于AMOLED亮度变化而无法正常显示的灰阶的问题,使图像能够正常显示。因此该算法可以保证小型AMOLED显示屏在不同亮度下工作时能够正常显示灰阶。     

浅谈我国绿色建筑几点现状问题及发展策略

通过对我国现阶段绿色建筑建设现状几点问题的审慎、严谨、细致的科学分析,提出符合我国文化背景和社会现状的绿色建筑发展策略,以期促进我国绿色建筑的推广应用。     

脉冲激光沉积技术沉积温度对PZT/LSAT薄膜生长取向的影响

采用固相法分别制备了标准摩尔配比和铅过垦10%的两种靶材.并利用脉冲激光沉积技术(PLD)在镧锶铝钽(LaSrAlTaO3,LSAT)单晶衬底上成功制备了锆钛酸铅(Pb(Zr0.3Ti0.7)O3,PZT)铁电薄膜,在550～750℃沉积温度范围内研究了PZT薄膜的生长取向和铅含最对薄膜生长取向的影响.利用X射线衍射(XRD)仪和原子力显微镜(AFM)表征了薄膜生长取向和表面形貌.XRD测量表明在标准摩尔配比情况下薄膜牛长从550 C近似c轴取向逐渐过渡到750℃近似a轴取向,而在铅过量情况下薄膜生长取向无明显过渡性变化;AFM测量表明PZT薄膜在近似C轴和a轴生长情况下,表面均方根(RMS)粗糙度分别为16.9 nm和13.7 nm,而在混合生长无择优取向的情况下,薄膜表面均方根粗糙度达到68 nm,这可能是两种取向竞争生长的结果.     

AR/EMI显示窗口的模拟设计

在航空航天等军用领域中,存在强光和电磁干扰等环境影响因素,为了使显示器能够在这种恶劣环境下稳定可靠工作,需要对显示器进行AR/EMI(减反射/电磁屏蔽)加固。本文通过对ITO电磁屏蔽层与AR(减反)膜系进行综合设计,并利用光学薄膜设计软件TFCalc对几种不同的结构进行了模拟仿真,结果使AR/EMI显示窗口在方块电阻为12Ω的同时可见光部分的平均反射率达到了0.73%,从而解决了显示终端的眩光效应,克服了环境光对操作者眼睛造成的不适,并增强了显示器的电磁屏蔽性能。     

水浴法制备形貌可控的一维ZnO纳米和微米棒

用一步或两步简单的化学溶液法,以醋酸锌为原料,六亚甲基四胺或三乙醇胺为催化剂在玻璃衬底上生长出不同形貌的纳米和微米ZnO棒.探讨了反应液的酸碱度和反应液浓度对生成的ZnO棒形貌的影响,并分析了其生长机制.随着溶液浓度的增加,棒的长度与直径比减小,同时玻璃衬底上生长的ZnO棒从无序分布趋于垂直于衬底平行取向分布.随着pH值的改变,棒的形状由在弱酸性溶液中的细长棒状变为在弱碱性溶液中的圆头对称短棒;当碱性增大到一定程度时,可以生成颗粒状.通过控制一定的酸碱度和溶液浓度,可以得到规则的六角ZnO棒状阵列.测量了样品的XRD和扫描电镜像,并对其发光性能进行了测量分析.其中规则有序六角棒的发光光谱表明峰值在530nm,半高宽为220nm,可能是Vo 的电子和价带中的空穴辐射复合所致.     

Synthesis of ZnO：Dy Nanopowder and Photoluminescence of Dy^3＋ in ZnO

A type of dysprosium-doped ZnO （ZnO：Dy） nanopowder was synthesized by high temperature calcinations. XRD was used to analyze the structure. Photoluminescence spectra were used to study the optical characteristic. PL of ZnO：Dy shows two different spectra which are broad band resulted from the defect of Dy in ZnO and sharp lines from the 4f→4f transition of isolated Dy^3 ＋ luminescence center. The emission and excitation spectra depend on the excitation wavelength and the concentration of Dy^3＋ . The broad bands with peaks at 600 and 760 nm are attributed to the recombination from an electron of the defect Dy in ZnO to a hole in VB.     

Effects of organic acids modified ITO anodes on luminescent properties and stability of OLED devices

In this paper, p-chlorophenylacetic acid and p-fluorophenylacetic acid were applied to modify the indium tin oxide (ITO) electrodes. The surface work functions of unmodified ITO, p-chlorophenylacetic acid modified ITO (Cl-ITO) and p-fluorophenylacetic acid modified ITO (F-ITO) are 5.0 eV, 5.26 eV and 5.14 eV, respectively, and the water contact angles are 7.3°, 59.1° and 46.5°, respectively. The increase of the work function makes the hole injection ability of the devices improved, which is proved by the hole transport devices. The self-assembly (SAM) layers transfer hydrophilic ITO to hydrophobic ITO, which makes ITO more compatible with the hydrophobic organic layers, making the organic film more stable during the operation. After modification, the organic light emitting diodes (OLEDs), SAM-modified ITO/NPB/Alq3/LiF/Al, with better performance and stability were fabricated. Especially, the OLED with Cl-ITO (Cl-OLED) has a maximum luminance of 22 428 cd/m² (improved by 32.9%) and a half-lifetime of 46 h. Our results suggest that employing organic acids to modify ITO surface can enhance the stability and the luminescent properties of OLED devices.     

试论品牌价值与无形资产

随着市场竞争日趋激烈，产品的高度同质化，品牌日渐成为重要的竞争手段。当前市场上品牌统领天下的特征已十分明显，有关资料表明，产品的市场份额，正向名优产品集中，20%的企业控制了80%的市场份额。有人说拥有品牌就拥有市场；有人说振兴中国民族工业关键在于制造出举世公认的品牌；有人说21世纪将是按品牌划分世界市场的世纪，还有人说品牌的多少在今天已成为衡量一个国家综合国力和经济竞争能力的重要标志，这标志着中国人品牌意识的觉醒。[编者按]