基于聚二甲基硅氧烷微米结构的柔性单电极摩擦纳米发电机

摩擦纳米发电机已经广泛用于日常生活中收集各种机械能并转换为电能,作为触摸屏和智能皮肤技术的自供能传感系统.为了提高能量转换效率,设计了一种单电极的摩擦纳米发电机(S-TENG).将表面含有微米尺度浮雕结构的聚二甲基硅氧烷(PDMS)作为S-TENG的摩擦层,一层厚度为20 nm的铟锡氧化物膜作为电极层,通过外部电路可以...     

AlN(10-10)表面结构的第一性原理计算

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,计算了六方AlN及其(10-10)表面的原子及电子结构.其中计算出的六方AlN晶体中的晶格常数和体弹性模量与实验值很符合.用平板超原胞模型模拟计算AlN(10-10)表面的原子及电子结构,结果表明:AlN(10-10)表面弛豫后,表面顶层原子之间的键长收缩并发生扭转.表面原子均向体内移动,原子轨道重新杂化,N原子趋向于p3构型,Al原子趋向于sp2构型.     

H, O,P,S和N对金属Ni塑性形变机制影响的第一性原理研究

本文基于密度泛函理论研究了H、O、P、S和N杂质以间隙式固溶于Ni(111)后对其变形能力的影响。发现：S、P在晶粒内部不稳定，不易存在于Ni(111)的间隙位置，而易向界面和表面扩散，H、O和N可在晶内分布，且N在Ni晶内分布的倾向性较大。对于Ni (111)<112>滑移系，P使得Ni层错能增大，而H、N、O、S降低了Ni的层错能，即H、N、O、S固溶于Ni使其沿(111)<112>滑移更为容易。总体来看，当外部环境介质H、N、O侵入到Ni基体时，由于使得体系的层错能降低，除产生的氧化、腐蚀等作用外，还使得该区域抵抗变形的能力下降，增大了蠕变变形的可能性。     

InP薄膜网格结构二维光子晶体

使用转移矩阵方法设计了InP薄膜正方网格结构二维光子晶体的带隙结构.计算结果表明由单胞参数为250nm,填充比为0.45组成的正方网格结构,在可见光和近红外波段有两个不完全带隙存在,透射率接近于零.     

杂质H,O,S,P,N对金属Ni塑形形变机制影响的第一性原理研究（英文）

基于密度泛函理论研究了H、O、P、S和N杂质以间隙式固溶于Ni(111)后对其变形能力的影响。发现:S、P在晶粒内部不稳定,不易存在于Ni(111)的间隙位置,而易向界面和表面扩散,H、O和N可在晶内分布,且N在Ni晶内分布的倾向性较大。对于Ni(111)112滑移系,P使得Ni层错能增大,而H、N、O、S降低了Ni的层错能,即H、N、O、S固溶于Ni使其沿(111)112滑移更为容易。总体来看,当外部环境介质H、N、O侵入到Ni基体时,由于使得体系的层错能降低,除产生的氧化、腐蚀等作用外,还使得该区域抵抗变形的能力下降,增大了蠕变变形的可能性。     

InP薄膜网格结构二维光子晶体

使用转移矩阵方法设计了InP薄膜正方网格结构二维光子晶体的带隙结构.计算结果表明:由单胞参数为250nm,填充比为0.45组成的正方网格结构,在可见光和近红外波段有两个不完全带隙存在,透射率接近于零.