低压固相烧结制备高致密度LaB_6多晶体

以平均粒径为20μm的自制高纯LaB6粉末为原料,采用低压固相烧结工艺制备高致密度LaB6多晶体,考察了压制时间、压力与致密度的关系,并探讨了致密度对材料性能的影响。实验结果表明:一次热压制备内径Φ30 mm高致密度LaB6多晶体工艺参数为:烧结温度2 000℃、热压压力5 MPa、热压时间2 h。在此条件下,产品相对致密度可达到95.9%,抗弯强度为154 MPa,洛氏硬度为87,空心阴极发射电流大于10 A/cm2。该工艺与其它制备工艺相比,设备要求低,产品相对致密度高,具有广阔的工业应用前景。     

钙热还原法制备高纯金属镧的研究

进行了钙热还原法制备高纯金属镧的工艺研究。研究了氟化过程中坩埚材质的影响, 选择金属镍舟做氟化坩埚; 考察了高纯氩气保护下还原反应温度、保温时间以及还原剂量与金属收率的关系, 确定了适宜的工艺参数为: 还原温度1 600 ℃, 金属钙过量10%, 保温20 min, 在此条件下金属收率达到95%以上, 制备得到纯度达99.948%(质量分数, 相对于38个分析元素)的高纯金属镧。本工艺设备简单, 环境要求低, 适合工业生产高纯金属镧。     

高纯金属镱的制备工艺研究

对镧热还原法制备金属镱进行了热力学和动力学分析, 初步确定了工艺参数; 以高纯氧化镱为原料, 自制高纯金属镧为还原剂, 高真空钽片炉为反应设备, 1 200 ℃下多次蒸馏制得纯度为99.985%的金属镱, 并分析了影响金属纯度的主要因素。     

中低温用Sm1-2xEuxBaxB6阴极材料的制备及性能

采用硼/碳热还原-热压烧结集成工艺(BCTR&HP)制备了高纯致密的Sm_1-2xEu_xBa_xB₆(x=0.1,02,0.3)多晶块体,系统研究Eu&Ba掺杂SmB₆对其结构、力学性能与电学特性的影响。结果表明,BCTR&HP制备的Sm_1-2xEu_xBa_xB₆呈CsC1型简单立方单相结构,晶格常数随Eu&Ba掺杂量的增加而增大,贡献于力学性能的提高和电阻率的下降。热电子发射性能结果表明,Eu&Ba掺杂能够改善SmB₆阴极材料的发射特性,在测试温度1773 K,外加电压1 kV条件下,Sm_0.4Eu_0.3Ba_0.3B₆阴极的发射电流密度达到35.1 mA·cm^-2,零场电流密度达到21.4 mA·cm^-2,在1523~1773 K其平均有效功函数为3.6 eV,其固有的高电阻率可作为"直热式"阴极简化热子结构,具有很大的应用前景。     

金属镧的制备方法及应用研究现状

介绍了金属镧的制备方法,对其应用领域进行了总结;指出金属镧制备方法和应用研究具有重要意义,并对未来的应用研究方向提出了建议。     

高纯金属铕的制备工艺研究

研究了镧热还原法制备高纯金属铕的热力学和动力学,确定了制备工艺参数,并探讨了影响金属纯度的因素和应用存储的方法。结果表明,以5N高纯氧化铕为原料,自制金属镧为还原剂,在高真空(0.001Pa)钽片炉内1 100℃还原、蒸馏得到了纯度为99.983%的高纯金属铕。     

高纯金属铒的制备工艺研究

高纯金属铒是多种功能材料的原材料,其纯度对材料性能有较大影响,结合稀土金属制备工艺,系统研究高纯金属铒制备工艺,为工业生产提供依据。分析氟化铒等原料物像对还原过程的影响,确定最佳还原工艺条件:还原剂过量10%,1570℃保温10 min,金属收率大于95%,分析不同设备对金属纯度的影响,高真空和清洁蒸馏环境的钽片炉多次蒸馏可制备99.9904%(质量分数)的高纯金属铒。     

多元稀土硼化物La1-xEuxB6纳米粉末的制备及光学性能研究

本研究首次采用钙热还原-酸浸法(CTR&AL)成功制备了La_1-xEu_x B₆纳米粉末，研究了Eu掺杂对La_1-xEu_x B₆结构、光学性能的影响规律及作用机理。XRD、FE-SEM及TEM分析结果确认纳米La_1-xEu_x B₆为CsCl型简单立方单相结构，结晶性良好，粉末颗粒具有立方形貌，平均晶粒尺度为40 nm。光吸收结果表明随着Eu含量的增加，纳米La_1-xEu_x B₆透射光波长从595 nm增大至825 nm，产生“红移”现象，且Eu掺杂引起LaB₆近红外区吸收光谱的增强与展宽。第一性原理计算结果揭示了Eu掺杂引起LaB₆近费米能级能带局域性加强，导带中的传导电子数量减少，进而导致其等离激元共振频率能量降低，定性解释了纳米La_1-xEu_...