中空介孔硅基刺激响应型纳米药物载体的研究进展

对中空介孔硅的制备方法及其优缺点进行阐述，同时总结了pH、光、氧化还原和多重刺激响应型中空介孔硅药物载体的刺激响应原理及研究进展，最后对其目前存在的问题以及未来研究方向进行了分析和展望。     

胶体电泳速度测定实验改进探索

胶体电泳速度测定实验是大学物理化学实验中一个重要的综合性教学实验.本文针对该实验中存在半透膜制作不稳定、渗析时间过长、电泳现象不明显、胶体/辅助液界面不清晰等问题.从胶体浓度、电极电压、半透膜、稳定剂四个方面进行了改进.结果表明,胶体界面移动距离,胶体/辅助液界面的清晰程度都有很大的改善,大大提高了实验的体验感.     

中兴矿选煤厂洗选系统工艺检测与优化

为了解决煤泥水处理困难的难题,中兴矿选煤厂采用国家或行业相关标准对选煤厂进行了全面的检测与研究。研究发现,困扰选煤厂浮选难题的原因源自重介或煤泥水系统中设备和工艺的不合理应用,结合选煤厂生产实际情况,针对性地提出优化脱介筛喷水、改造脱泥筛入料端溜槽布置、改造轴封水系统等措施改善系统用水量,同时优化煤泥水工艺,主要去除工艺中的恶性循环环节,大幅降低工艺的循环系数,再以一些辅助措施将浮选入料的浓度和粒度均控制在合理范围。生产实践表明,改造后该厂浮选效率提升,突破了重介系统的处理能力限制,降低了煤泥水处理系统的负荷,保障了系统的平稳、优质运行。     

电力变压器纳米绝缘油的击穿与介电性能研究

绝缘油是电力系统电力变压器的绝缘与散热介质,其性能直接关系到变压器的绝缘性能,而通过向变压器油中加入纳米粒子可提升变压器油的性能指标。通过向绝缘油中加入纳米粒子,制备了纳米绝缘油,在常温下测量了纳米绝缘油的击穿电压、相对介电常数、介质损耗因素及体积电阻率。结果表明,加入纳米粒子后的绝缘油击穿电压有明显提高,低频下的相对介电常数与体积电阻率也有所增加,而低频下的介质损耗因素有略微下降。。     

单晶SiC的电助光催化抛光及去除机理

为满足电子半导体等领域对SiC超光滑、无损伤和材料高效去除的要求，提出了电助光催化抛光SiC的新方法。研究了光催化剂种类及其pH值对抛光液氧化性和抛光效果的影响，讨论了材料的去除机理。结果表明：以p25型TiO2为光催化剂配制抛光液所获得的最大氧化还原电位为633.11 mV，材料去除率为1.18 μm/h，表面粗糙度Ra=0.218 nm；抛光后SiC表面氧化产物中，Si-C-O、Si-O和Si4C4O4的含量明显增加，SiC表面被氧化并被机械去除是主要的材料去除方式。     

介孔分子硅剂改善茶浓缩膜结构特性应用研究

为有效提高功能性茶浓缩反渗透膜的回收效率和抗污性能,探究了3种介孔分子硅材料(MCM-41、SBA-15和MCFs)对浓缩膜面聚酰胺层聚合形成过程的结构影响。结果表明,添加质量分数0.02%经磺化预处理的MCM-41于间苯二胺水相可接枝酰氯基团,形成的聚酰胺结构层峰谷粗糙跨度仅为220 nm且交联紧致,膜抗拉伸强度增加37.8%;SBA-15和MCFs相膜面峰谷跨度达500~780 nm,横向褶皱和团聚,结构存在孔道塌陷;改性膜在3 h内对茶多酚、茶多糖、茶蛋白即可达到最大浓缩度,减少50%浓缩时间;MCM-41和SBA-15膜长时间运行的浓缩降率仅为2.8%~6.1%,48 h下降率比显示改性膜达标使用时长增加112.5%~137.5%,亲水性和抗污堵能力均大幅提升,可有效满足功能化茶浓缩精度。     

液动压悬浮抛光固液两相流CFD数值模拟及PIV验证

针对液动压悬浮抛光固-液两相流中固相颗粒与工件表面撞击的过程,对不同加工工况下的固相颗粒与工件表面的撞击角度和速度进行了研究。采用计算流体力学方法建立了液动压悬浮抛光流场的三维模型,并输出了固相颗粒撞击工件表面的速度场;同时使用粒子图像测速方法对不同工况下的抛光流场进行了试验观测。研究结果表明:CFD模拟获得的撞击速度值与PIV观测值非常接近,且随转速增加,PIV观测值受固相颗粒之间的撞击效应影响越大;抛光过程中固相颗粒撞击工件表面的角度非常小,近似于在工件表面平行摩擦,且抛光盘转速和抛光液浓度对撞击角度的影响很小。