退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响

采用铟锡合金靶(铟-锡，90-10)，通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜，并在大气环境下高温退火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明，随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高。     

录像机磁头的几何参数及其对电学量的影响

对录像机磁头中的几何参数对电学量的影响作一简述，并从自己的实测结果中事理出一些一般性的结论同时略加讨论。     

世界著名的电子陶瓷材料科学家与工程专家 中国铁电陶瓷研究领域的主要奠基人之一 中国科学院院士、国际陶瓷科学院首批院士 亚太材料科学院院士、美国国家工程院外籍院士 亚洲铁电学联盟首任主席——姚熹

姚熹 男，1935年9月出生，江苏武进人。1952年参加全国第一次统考，以优异成绩被北京俄语专科学校二部录取，并拟派去苏联上大学，不久因身体原因休学。1953年被保送上了上海交大。1955年加入中国共产党。1957年毕业于上海交通大学电机工程系。1957～1979年担任西安交通大学电机工程系、电子工程系助教、讲师。[第一段]     

p型碲镉汞液相外延材料Ag掺杂的研究

利用SIMS和变温霍尔测量手段对P型Hg0.77Gd0.23Te液相外延材料的Ag掺杂技术、机理及掺杂碲镉汞材料的性能进行了研究。结果表明采用AgNO3溶液直接浸泡方式对该材料进行掺Ag是成功的，掺杂浓度与被掺杂材料中的汞空位浓度是一致的，掺杂后，P型碲镉汞材料的受主能级比掺杂前有明显的减小，从实验结果可看到掺Ag碲镉汞材料的电学性能在室温下保持稳定。     

崭新的电子管电容麦克风—Neumann M150

在2002年度的TEC(Technical Excellence ＆Creativity Awards)评奖中,Neumann M150电子管电容麦克风被一举评为最佳录音室用麦克风。也许大家还记得自从50年代,Neumann M50麦克风就在业内被认为是录制交响乐团及弦乐的最理想的麦克风。由于它具有优良的对于声场环境的瞬态反应以及高度统一的指向性能等特征,这款经典麦克风,不论是在厅堂录音领域还是现场扩音领域中,都深得使用者的喜爱。     

掺硼非晶硅薄膜的微结构和电学性能研究

以硅烷(SiH4)和硼烷(B2H6)为气相反应先驱体，采用等离子体增强化学气相沉积法，(PECVD)制备出能应用于液晶光阀光导层的硼掺杂非晶氢硅薄膜。X射线衍射、原子力显微镜和光、暗电导测试表明，一定程度的硼掺杂提高了非晶氢硅薄膜的电导率、降低了非晶氢硅薄膜的光、暗电导比；硼掺杂促进薄膜晶态率的增加和硅晶粒尺寸的增大，薄膜的结晶状态将逐渐从非晶硅过渡到纳米硅，最后发展为多晶硅。红外吸收谱研究表明了大量的硼原子与硅、氢原子之间能形成某些形式的复合体，仅有少量硼元素对受主掺杂有贡献。     

串扰耦合的低频分析有效性及阻抗特性研究

从传输线模型出发，分析了二平行直导线间串扰的低频模型有效性，得出允许3dB误差的条件下，低频模型在工程计算串扰中的电学短线和频率足够小的具体限值；同时分析了端接阻抗大小对串扰耦合的影响。对电磁兼容性中的串扰耦合的工程应用有实际指导和参考意义。     

电学上各向异性介质中含水饱和度的计算

早在1920年，油田电法测量中的电阻率各向异性效应就曾有过描述，钻穿水平岩层的垂直井眼内，电测井仪器的响应，有时戏不受各向异性的影响，也不受各向同性的影响，而实际的测井仪器各响应的是电阻率（典型的是用于岩心分析时测量的电阻率）的相同张量分量，以及其它未被采样且在地层评价时可忽略的各向异性的张量分量。各向异性能给测井响应造成显著影响的情况很少并且对测蝇响应亦无太大贡献。后来Archie(1942）依照质介质的电阻率理论给出了含水饱和度与电经关系的表达式。虽然他的结果表达式是一个相对复杂的幂律表式，但迄今59年来，它仍是一个用于定量地层评价的工业标准模型，随着高斜井与水平井钻井的出现，在解释理论中油藏各向异性特征不能再被忽视。一直以来，人们已习惯性地以一个标量方程式为基础利用测得的电阻率计算地层含水饱和度，因此问题很自然的就聚焦在各向异性将如何影响含水饱和度的计算上，通常含水饱和度方程中通过包含着张量因子（如电导率）与标量因子（如隙度和含水饱和度）这样两部分内容的形式表达。标量含水饱和度因子可由张量因子换算解决，然而，通过对角化电导率张量的各分离分量与相似标量，Archie方程可被独立应用于张量分量。