离子辐照引起Eu掺杂氧化镁的发光特性

利用320 kV高压综合实验平台,通过6 MeV Xe离子辐照Eu掺杂氧化镁(MgO)单晶样品对其光致发光现象进行了研究。Xe离子辐照后,样品380~550 nm的发光带出现先减弱后增强的现象,400~450 nm处出现了平坦的较宽的蓝色发光带,经拉曼光谱和红外光谱的综合分析可知离子辐照能够使掺杂的Eu很好的进入晶体内部形成稳定的缺陷类型,产生更好的发光效果。     

电子对F46镀银二次表面镜光学性能影响研究

空间电子辐照是对航天器用热控材料性能产生影响的重要因素.研究了F46镀银二次表面镜在电子辐照作用下的光学性能和质量损失的变化规律,并应用扫描电镜和电子能谱对电子辐照前后试样表面形貌和元素组成变化进行了分析.研究表明,在相同能量的电子辐照下,随电子辐照通量的增加,该二次表面镜的表面铟和氧含量减少,碳含量和质量损失增加,其表面导电层被破坏,聚全氟乙丙烯的表面碳化,致使F46镀银二次表面镜光学性能下降.     

Al诱导a-Si:H薄膜的晶化

采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响.X射线衍射测量发现,由于Al的存在使a-Si:H的晶化温度大幅度降低,并得到了有强烈(111)结晶取向的多晶Si薄膜.X射线光电子能谱分析表明,热处理过程中Al向Si薄膜表面的扩散降低了Si的成核温度.     

非晶氧化钒薄膜光学性质研究

在氩氧混合气氛中,常温下用脉冲磁控溅射方法在石英玻璃和硅片上制备了V2O5薄膜。用X射线衍射、X射线光电子谱和原子力显微镜对薄膜微观结构进行了测试,用分光光度计测量从200～2500nm波段V2O5薄膜的透射和反射光谱。结果表明,常温下制备的V2O5薄膜为非晶结构,光学能隙为2.46eV。     

用微波等离子体化学气相沉积法低温生长织构多晶硅薄膜

本文报道用微波等离子体沉积／原子氢处理交互进行方法低温制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及其结构特征和光电特性．Ｘ光衍射（ＸＲＤ）、透射电镜（ＴＥＭ）、光吸收、光电导等测量分析表明，柱状晶粒分布致密，呈现良好的（２２０）择优取向生长．锐利的光吸收边意味着样品中有很低的带尾态密度，光吸收过程主要由晶粒中电子的带间跃迁所支配．小的光电导激活能说明晶界缺陷密度低，晶界势垒小．所有这些都是由于在薄膜生长过程中引入了氢等离子体的周期性原位处理，不仅抑制了非晶态相的形成、促进了晶粒的生长及织构构造的形成     

离子束合成的钇硅化物结构相变研究

为了获得高品质的欧姆接触和线路连接材料，利用离子注入方法在n型单晶Si(111)基底上制备了钇硅化物，并对其在高真空下红外光辐照处理过程中的结构相变进行了研究，X射线衍射测量表明，在Y离子注入过程中已形成了部分六方相YSi2，800℃下红外光辐照处理30min后YSi2呈现出择优结晶取向，从辐照过程中原位测量样品的方块电阻变化发现，当温度升至160℃时，Y与Si反应首先形成了斜方相YSi，YSi/YSi2的相转变出现在240℃，随温度的进一步升高，Y原子完全与Si原子发生反应，形成了结晶取向良好的六方相YSi2。     

退火对反应磁控溅射制备ITO薄膜性能影响

采用铟锡合金靶(铟-锡，90-10)，通过直流反应磁控溅射在玻璃基片上制备出ITO薄膜，并在大气环境下高温退火处理。研究了退火温度对薄膜结构、光学和电学性能的影响。研究表明，随着退火温度升高薄膜的电学特性得到很大提高。     

电感耦合等离子体CVD室温制备的硅薄膜的结构研究

用内置式单圈电感耦合等离子体化学气相沉积(ICP-CVD)方法在室温下制备Si薄膜.用傅里叶红外吸收光谱、喇曼光谱、原子力显微镜和分光椭圆偏振谱等测量分析表明,即使在室温下用ICP-CVD也获得了有纳米结晶相的Si薄膜,样品结构与源气体SiH4浓度密切相关.实验结果预示着在高电子密度的ICP-CVD过程中,活性原子集团的形成以及薄膜的生长机理与传统的等离子体CVD过程不同.     

不锈钢表面Al2O3膜的微弧氧化制备

报道了在奥氏体不锈钢表面制备氧化物陶瓷膜的新方法．首先用热浸镀工艺在不锈钢表面镀铝，然后利用铝的微弧氧化形成了Al2O3陶瓷膜．对所获得的样品进行了断面形貌观察、成分和相组成分析发现，在金属间化合物上形成的陶瓷膜主要由Q．A1203和γ-Al2O3构成，γ-Al2O3的含量高于α-Al2O3．对其硬度测试发现，从基底到表面硬度呈梯度分布，氧化物陶瓷表面的硬度约为800HV．     

基于单分子层模型的ZnO热控涂层电子辐照光学性能退化研究

在分析电子辐照对ZnO类热控涂层光学性能退化机理的基础上,提出了单分子层电子色心产生模型,推导了"色心浓度"表达式及材料光学性能退化随辐照剂量的变化关系。用该理论对100keV电子辐照下S781白漆太阳吸收比变化Δαs的实验数据的拟合结果表明,单分子层模型能够很好地预测ZnO类热控涂层在电子辐照环境下光学特性退化趋势。该理论可扩展应用于其它热控材料在空间不同辐射环境下光学性能退化趋势的预测。