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刘雯 《电子信息对抗技术》2010,25(3):44-44
[据SELEX公司网站2010年4月21日报道]SELEXGalileo公司的Rayen1000P雷达在萨伯公司GripenNG战斗机飞行验证项目中发挥关键作用。Raven1000P雷达是SELEX Galile0公司的Rave。ES—05有源电子扫描阵列雷达(AESA)的样机,它是一种高性能火控雷达,比同类机械扫描雷达拥有更高的性能和可靠性。 相似文献
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该文探讨的是经济转轨时期我国城市分区规划强势发展的原因和在城市规划体系中的重新定位,并从城市发展、建设管理、资源竞争、学科发展几个关键角度对分区规划的存在价值进行论述,最终尝试摸索我国城市规划编制新体系,对分区规划进行重新定位. 相似文献
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正普通硅橡胶(也被称作为聚二甲基硅氧烷)是完全合成的聚合物,具有独特的分子结构(很高键能,Si-0:368kJ/mol)的硅氧原子交替主链。聚二甲基硅氧烷中Si-0原子间距是0.164nm,比Si、0的原子或离子半径的总和小5%。Si-0-Si键角约为130°,比四面体角(109.28°)大很多,说明在硅和氧间有重要的双键特征。这种特点以及分子的结构都对硅橡胶的化学性质起着重要作用。这种开链结构,易于绕Si-0键旋转,以及硅 相似文献
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使用分子轨道从头算方法,对Li2O,Li2S,Na2O,Na2S分子的基态构型进行了理论研究,计算结果表明,在HF/6—3lG* 和MP2(fu)/6—31G* 水平上,Li2O,Li2S,Na2S分子优化结构出现明显的差异,电子相关修正在优化键角过程中起着重要的作用,考虑了电子相关修正后,Li2O,Li2S,Na2S 分子均呈现稳定的弯曲结构.Na2O分子考虑了电子相关修正后仍为线性结构. 相似文献
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低硅沸石骨架结构及其稳定性的模拟计算 总被引:2,自引:0,他引:2
采用晶格能极小化技术模拟计算了一系列结构的低硅沸石全硅骨架晶格,预测了它们的骨架结构和晶格能.计算结果与二氧化硅致密α一石英相比较,发现这些低硅沸石彼此间的晶格能相差很小(<25kJ·mol-1),与α一石英相差43~68kJ·mol-1这意味着在低硅沸石的合成中,特定结构骨架的形成仅需要较少的能量;可以解释低硅沸石骨架结构的相似性和多样性.同时讨论了计算晶格能和骨架结构间的关系,结果表明随着低硅沸石骨架密度的增大,全硅骨架晶格能呈降低趋势.分析这些低硅沸石的XRD数据发现在它们的结构中包含较短的 Si-O键长(0.1557nm),很长的 Si-O键长(01764nm), O-Si-O键角有大的分布范围(93.38~133.41°),Si-O-Si键角平均在144°左右并且具有更大的分布范围(127~180°)。 相似文献
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目的比较不同浓度Cu掺杂类金刚石薄膜的性能变化规律,并分析Cu掺杂对薄膜性能变化的作用机制。方法建立密度为2.03 g/cm^3、2.87 g/cm^3的不同Cu原子数分数(1.56%~7.81%)掺杂类金刚石薄膜(Cu-DLC)初始模型,采用NVT和NOSE温度调节法模拟熔融退火及淬火过程,以及基于广义梯度近似(GGA)的共轭梯度法优化几何模型,运用CASTEP计算Cu-DLC模型的径向分布函数(RDF)、sp3-C含量、体积模量、键长和键角分布等,并探讨Cu掺杂对DLC膜应力变化的影响机制。结果随Cu含量的增加,薄膜中sp3-C杂化比例增加。与DLC相比,Cu掺杂DLC的RDF中第一峰和第二峰的位置发生显著偏移,薄膜中残余应力随着Cu含量的增加先减小后增大,Cu含量为1.56%时,残余应力最小(7.2 GPa)。Cu含量增加导致总键角分布的峰值降低,峰宽向小键角移动,总键长分布峰值降低,在长键长方向产生小而宽的峰。结论C Cu的弱键特性及扭曲的键角、键长得到松弛,对薄膜残余压应力的降低有显著作用,在较高Cu浓度条件下,扭曲的C C键比例增加,形成了更多扭曲的C Cu和Cu Cu结构是导致残余应力增加的关键因素。 相似文献
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