凹凸棒制备Si@C复合材料及其用于锂离子电池负极材料的电化学性能

硅因其超高的理论比容量而被视为最具潜力的下一代锂离子电池（LIBs）负极材料。目前，硅负极材料的高成本和极其苛刻的合成条件严重阻碍了其在LIBs中的使用。以天然凹凸棒为原料，通过水热法提纯和镁热还原反应制备了硅纳米颗粒（MRR Si），并进一步采用化学气相沉积法以乙炔为碳源制备了MRR Si@C复合材料，系统研究了其作为LIBs负极材料的储锂性能。研究结果表明:通过镁热还原制备的硅纳米在0.2 A/g的电流密度下可展现出2 362 mAh/g的比容量，首次库伦效率（CE）为71.87%，100次（0.5 A/g）循环充放电测试后比容量为909 mAh/g。相比之下，在MRR Si纳米颗粒表面沉积碳层后制备的MRR Si@C复合材料可展现出2 494 mAh/g的放电容量和78.92 %的高CE值。循环性能显示，该复合材料在0.5 A/g的电流密度下充/放电100次后的比容量值可达到1 324mAh/g。同时，该复合材料还可在5 A/g的大电流密度下依然可展现出高达844 mAh/g的高比容量。该MRR Si@C复合材料显示了优异的倍率性能和良好的应用前景。      

某高层建筑基础穿越防空洞处理措施

在重庆市旧城改造中经常会遇到抗日战争期间遗留下的废弃防空洞,防空洞的处理需谨慎,若处理不当会造成资源上的浪费或不能保证建筑物的结构安全。本文结合工程实践,从防空洞的复测、废弃防空洞的施工处理、局部开挖封仓回填工艺等几个方面对此进行了详细的阐述。     

锂离子电池负极材料PSi@GO的制备及其电化学性能

具有高能量密度的硅材料是锂离子电池负极的优选材料之一。但是,低电导率和在充放电过程中伴随的巨大体积变化而导致循环过程中容量迅速衰减,阻碍了硅材料商业化。本文以商业化的铝硅合金为硅源,通过冷冻干燥方法将氧化石墨烯（GO）包覆在其表面,制备了微米级的多孔硅（PSi）与GO的复合材料PSi@GO。该复合材料核层多孔硅内部丰富的孔隙提供充足的空间以适应硅的体积变化,外层的氧化石墨烯可以加速离子和电子传输,并再次缓冲硅的体积变化,从而可以有效地改善硅负极的循环稳定性和倍率性能。研究结果表明,电流密度为500mA/g时,PSi@GO-2（PSi与GO质量比为10∶5）复合电极材料循环100次后,比容量仍可达到1 275 mAh/g;在电流密度为4 A/g时,该复合材料也可达到980 mAh/g的高比容量。该PSi@GO-2复合材料显示了优异的倍率性能,具有良好的应用前景。      

南京市某食品厂酱卤熟肉制品生产加工过程微生物污染状况分析

目的了解南京市某食品厂酱卤熟肉制品加工过程中微生物污染状况及分布情况。方法 2016—2017年在南京市某食品厂采集生产加工过程中食品样品120份(原辅料60份、中间产品28份、成品24份、终产品8份)、环境样品204份、空气样品58份和生产用水14份,共396份,按照GB 4789食品微生物学检验系列标准和GB/T 16294—2010《医药工业洁净室(区)沉降菌的测试方法》对卫生指示菌和主要食源性致病菌进行检测,并对沙门菌进行血清型鉴定。结果在食品样品和环境样品中,李斯特菌检出率为7.4%(24/324),金黄色葡萄球菌检出率为2.6%(5/196),沙门菌检出率为1.9%(6/324);其中李斯特菌有2株单核细胞增生李斯特菌,其他以格氏李斯特菌和伊氏李斯特菌为主;沙门菌经血清学分型共4种血清型,分别为肠炎沙门菌(2株)、鼠伤寒沙门菌(2株)、依桑吉沙门菌(1株)和亚利桑那沙门菌(1株)。在原辅料、中间产品以及人员、仪器设备、清洁工具中均有致病菌检出,但成品和终产品中未检出致病菌。结论酱卤熟肉制品生产过程原辅料和环境中均存在多种致病菌污染。     

电参数对镁合金微弧氧化膜层生长的影响及耐蚀性研究

利用微弧氧化技术对AZ91D镁合金在硅酸盐和锆盐溶液中进行表面陶瓷化处理,发现电参数对膜层厚度有很大影响。并采用IM6e型电化学工作站,对微弧氧化镁合金进行电位极化曲线测量。通过电化学测量对微弧氧化镁合金的腐蚀行为进行分析。用处理好的镁合金进行腐蚀实验,用失重法和极化法测试其耐蚀性,发现电解液中锆元素会大大提高膜层的耐蚀性。同时通过XRD分析发现硅酸盐电解液中制备的陶瓷膜主要由Mg2SiO4、MgO和MgF2等相组成,锆盐电解液中制备的陶瓷膜主要由MgO、MgF2和ZrO2相组成。     

Zn元素对Mg-Sr镁合金显微组织、力学性能及腐蚀行为的影响

镁锶系列镁合金是最有前景的生物可降解金属材料之一。锶具有促进成骨和再生的作用,具有良好的生物相容性。但是镁锶合金具有强度不足、降解快速等缺点。添加适量的人体营养元素Zn在Mg-2Sr合金中,通过锌在镁合金中的固溶作用来细化晶粒以提高Mg-2Sr合金的强度和塑性。在模拟体液浸泡降解过程中,Mg-2Sr-2Zn合金生成的腐蚀保护层较致密,阻碍了浸泡过程中氯离子渗透,从而具有较好的耐蚀性。     

基底对CoS电极材料电化学性能的影响研究

以六水合氯化钴(CoCl_2·6H_2O)为钴源、硫脲[CS(NH_2)_2]为硫源,采用电化学沉积法分别在泡沫镍(NF)和三维石墨烯(3DGE)/泡沫镍(3DGE/NF)两种基底上制备三维硫化钴/石墨烯/泡沫镍(3DCoS/GE/NF)和硫化钴(CoS)/泡沫镍(CoS/NF)电极。通过考察NF与3DGE/NF两种基底对电极电化学性能的影响,可知3D GE/NF基底由于具有高品质、高导电性的石墨烯,促进了电极与电解液的电荷传输,能够有效提高电极材料的比容量和循环倍率性能。在1A/g电流密度下,3DCoS/GE/NF比容量达到2320F/g,高于CoS/NF电极的比容量(1269F/g),即使在20A/g时,3DCoS/GE/NF电极比容量仍有1638F/g,且在10A/g大电流密度下经过500次循环后,3DCoS/GE/NF的比容量保持率为73.44%,远远高于CoS/NF的比容量保持率(44.69%)。     

部分炭化策略制备Si@C材料及其储锂性能研究

硅因其具有较高的理论比容量（约为3 579 mAh/g,Li₁₅Si₄）而成为最具吸引力的负极材料。为了解决硅材料高达300%的体积膨胀和导电性差等问题,以聚丙烯酸（PAA）、蚕茧提取物丝素蛋白和纳米硅（Si NPs）为原料,通过简单的部分炭化,一步法制备了Si@C_AS电极材料,并系统研究了聚丙烯酸（A）/丝素蛋白（S）的比例和炭化温度对Si@C_AS复合材料电化学性能的影响。结果表明:当聚丙烯酸与丝素蛋白的质量比为1∶1,炭化温度为450 ℃时,所制备的Si@C_AS负极的电化学性能较优,远超Si@C_A和Si@C_S负极材料的电化学性能。Si@C_AS负极材料可在0.5 A/g电流密度下循环200圈后比容量可达1 404.2 mAh/g。同时,该材料展现出了优异的倍率性能,在4 A/g电流密度下比容量仍可达1 452.8 mAh/g。      

单晶硅摩擦致相变的SEM研究

自从Jamieson发现单晶硅的高压相变现象以来，有关单晶硅的高压相变的研究逐步开展起来，其最终目的之一就是通过金属延性相的出现来解决单晶硅的加工问题。Pharr、Gogotsi、zhang liangchi等人利用纳米压入技术系统研究了单晶硅的压力致相变问题。本文旨在研究单晶硅在滑动摩擦过程中的相     

干成孔旋挖桩施工技术浅析

随着建筑业机械化程度不断提高,旋挖桩施工技术因其施工效率高、施工成本大幅度节约、施工安全性高等因素逐渐在建筑桩基施工领域得到应用。但是旋挖桩施工技术带来的一系列质量问题却不容小觑,为此重庆市在2011年8月份紧急出台了"关于加强对旋挖桩质量检测"的通知。该文主要针对旋挖桩在重庆山地岩石地质情况下干成孔施工技术及相关质量控制措施进行浅析。