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集成电路抗腐蚀能力的研究 总被引:5,自引:1,他引:4
首先介绍了塑封电路、玻璃封装电路和陶封电路的构成材料,然后分别选取这3种电路的若干只样品,按几种试验条件进行了盐雾试验,针对试验后在电路上出现的腐蚀现象进行了理论分析,最后总结了3种电路各自的抗腐蚀能力。 相似文献
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文中从实际应用角度,叙述了板式换热器的特点和基本工作原理,讨论了换热器工作过程中的热阻问题,分析了换热器污堵后对换热性能的影响因素,并探索了解决污堵问题的方法。最后以数据统计的形式,描述换热器污堵和清洗与能耗的关系。实践证明,定期对换热器进行清洗是确保换热器工作性能正常和降低能耗最有效的方法。 相似文献
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基于FPGA的ARM SoC原型验证平台设计 总被引:2,自引:0,他引:2
基于FPGA的验证平台是SoC有效的验证途径,在流片前建立一个基于FPGA的高性价比的原型验证系统已成为SoC验证的重要方法。ARM嵌入式CPU是目前广泛应用的高性价比的RISC类型CPU核,文中主要描述了以FPGA为核心的ARM SoC验证系统的设计实现过程,并对SoC设计中的FPGA验证问题进行了分析和讨论。 相似文献
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仿真研究了300 V抗辐射功率VDMOS器件在不同缓冲层浓度、不同LET值下单粒子烧毁(SEB)效应的温度特性。结果表明,SEB的温度特性与LET值相关,LET值较小时(0.1 pC/μm),SEB电压呈正温度系数特性;LET值较大时(1 pC/μm),SEB电压呈负温度系数特性。重点分析了1 pC/μm LET时离化强度大的条件下SEB电压的碰撞电离分布和晶格温度分布,分析发现,功率VDMOS颈区JFET/P阱的pn结是SEB效应薄弱点,这得到了实验结果的验证。本模型计算的结果表明,当LET值大、器件工作温度高时,功率VDMOS器件的单粒子烧毁风险最大。该项研究结果为抗辐射加固功率VDMOS器件的应用提供技术参考。 相似文献
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未来全球半导体90nm、65nm和45nm技术进入量产,其芯片尺寸缩小40%、功耗减少30%、速度加快20%。酷睿Ⅱ4核CPU芯片的晶体管已达到8.2亿只。动态存储器将发展到DDR3,其容量已提升至4Gb。NAND Flash和NOR Flash的存储容量已达到16Gb。32nm工艺技术生产的32Gb快闪存储器也成为现实,西欧、中东晶圆厂新增计划6项,投资过60亿美元。东南亚等区域计划投资16项。国内集成电路产量和销售年均增长30%,制造技术进入90nm,12英寸生产已进入批量生产阶段。设计达到0.18μm,少数达到0.13μm技术。08年产值同比增长8.3%,但第三季度增长下降。 相似文献
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