723型阳离子交换树脂催化合成甲基叔丁基醚

本文研究利用723型阳离子交换树脂催化合成MTBE，采用正交设计的统计方法，对影响产率的各因素如反应温度，反应时间，催化剂用量和原料摩尔比进行组合，找到合适的工艺路线，最佳反应条件为：催化剂用量为5g，甲醇与叔丁醇比为3：1，反应时间为7h。     

真空微蒸发镀铬金刚石的制备与性能表征

采用真空微蒸发镀覆工艺制备不同镀层厚度的镀铬金刚石,对铬镀层的物相组成和镀层厚度进行分析和表征。结果表明:改变镀覆温度和保温时间,可控制镀铬金刚石的镀层厚度。镀层的物相组成可通过镀覆质量增加来控制:质量增加10%的铬镀金刚石,其镀层只出现Cr₃C₂相;质量增加为20%时,有少量Cr₇C₃出现。从金刚石基体到铬镀层,镀层结构由低Cr比例的碳化物向高Cr比例的碳化物逐渐过渡,即为Cr₃C₂/Cr₇C₃;在金刚石尺寸确定的情况下,使用理论分析镀层厚度与镀覆质量增加的关系,如质量增加10%和65%的金刚石对应的铬镀层厚度分别为0.77 μm和4.76 μm,此结果与试验观察相吻合。      

烧结式富锌涂层固化影响因素的研究

以片状锌粉和铝粉为原材料，研究了烧结式富锌涂层的固化影响因素。包括：金属粉与铬酐的质量比，甩液，烘干和烧结工艺参数。根据研究结果确定如下的工艺；涂料中金属粉与铬酐的质量比为8；甩液电压120V，时间30s；烘干温度为80℃，时间为10min，烧结温度300℃，时间为30min/     

掺杂对二氧化锡薄膜光电性能的影响EI北大核心CSCD

二氧化锡（SnO2）是一种重要的透明导电金属氧化物半导体材料,掺杂可使其光电性能得到显著改善,拓展其应用领域。分析了SnO2薄膜的导电机制、载流子散射机理及近年来国内外学者对不同类型掺杂的SnO2薄膜的研究。掺杂引入的缺陷能级增加了载流子浓度,提高了薄膜的导电性。杂质离子散射和晶界散射是影响薄膜载流子迁移率的主要散射机制。光电性能严重依赖于掺杂元素的种类及掺杂量,多元共掺杂是极具发展潜力的方法。     

Zr41.5Ti14Cu13Ni10Be22.5大块非晶的耐蚀性能

用浸泡法研究了ZrTiCuNiBe大块非晶合金在酸、碱、 盐各种腐蚀性介质中的腐蚀行为.并与典型材料做了比较，结果表明：ZrTiCuNiBe大块非晶合金具有良好的耐蚀性.     

化学计量比对稀土-镁基合金结构和性能的影响

文章研究不同化学计或比的稀土-镁基贮氢合金Mn0.9Mg0.1(NiCoMnAl)5x(x=0.75,0.80,0.85,0.90)相的结构和电化学性能.研究表明,Mn0.9Mg0.1(NiCoMnAl)5x合金的主相均由LaNi5相和LaNi3相组成.但当x≤0.80时,合金中还有LaNi2.28相析出.合金电极的最大放电容量和高倍率性能都随着x值的增大先增加后减少,当x=0.80时,都达到最大值;合金电极在243 K时的放电容量随着x值的增加有显著提高;合金电极的循环稳定性随着x值增大而提高.     

产甲烷菌的分离及其生长条件研究

采用亨盖特(Hungate)厌氧操作技术,以甲醇、甲酸盐和乙酸盐为碳源和能源滚管培养,从沼气发酵液中分离得到两种产甲烷菌.滚管中形成的菌落为不规则的圆形,不透明,白色和微黄色,在荧光显微镜下观察该菌落有蓝绿色荧光.此外,对不同pH值和温度对产甲烷菌生长的影响进行了初步研究,结果表明,该产甲烷菌的最适生长pH值为7.0,适应范围为6.5～8.0,最适生长温度为35℃,说明该产甲烷菌对pH值、温度的变化较为敏感,因此在培养过程中要保持环境的稳定.     

纳米氧化锌的应用研究展望

以纳米氧化锌的优异性能为主线，详细地介绍了纳米氧化锌在各个领域的实际应用，并提出了应用研究中存在的一些问题，同时对未来的应用研究提出了一些看法。     

纳米氧化锌半导体块材晶粒生长的研究

以平均粒径20nm的ZnO超微粉为原料,研究了纳米ZnO块材烧结过程中的晶粒生长行为,由实验结果得出在700～900℃温度范围内,纳米ZnO烧结的晶粒生长动力学指数n为6,晶粒生长的表观活化能Q为64kJ/mol,导出了纳米ZnO的晶粒生长动力学方程.与粗晶ZnO的晶粒生长进行了对比,初步分析了纳米ZnO的烧结机制.