基于三维模型的NPN双极型晶体管电离辐射效应仿真模拟北大核心

为更加迅速可靠地评估星用双极型晶体管抗电离辐射损伤性能,建立了三维NPN晶体管模型,并对其电离辐射效应进行了数值模拟。仿真计算了电离辐射在晶体管中产生的氧化物正电荷陷阱以及界面陷阱,以此模拟不同总剂量、剂量率电离辐照对晶体管的损伤;以漂移扩散模型计算了晶体管典型性能的响应,验证了晶体管的总剂量效应和低剂量率损伤增强效应。结果表明晶体管对电离辐射敏感的区域位于基区和发射结区附近的Si/SiO_(2)界面,从Gummel曲线提取的归一化增益发现,电离辐射损伤可能使晶体管增益降低50%以上,这对晶体管性能影响很大。该方法可以在降低成本、缩短周期的前提下,为晶体管抗电离辐射可靠性评估提供合理的技术支撑和可借鉴的理论数据。     

高光谱成像用高帧频CMOS图像传感器北大核心

针对高帧频、全局曝光和光谱平坦等成像应用需求,设计了一款高光谱成像用CMOS图像传感器。其光敏元采用PN型光电二极管,读出电路采用5T像素结构。采用列读出电路以及高速多通道模拟信号并行读出的设计方案来获得低像素固定图像噪声(FPN)和非均匀性抑制。芯片采用ASMC 0.35μm三层金属两层多晶硅标准CMOS工艺流片,为了抑制光电二极管的光谱干涉效应,后续进行了光谱平坦化VAE特殊工艺,并对器件的光电性能进行了测试评估。电路测试结果符合理论设计预期,成像效果良好,像素具备积分可调和全局快门功能,最终实现的像素规模为512×256,像元尺寸为30μm×30μm,最大满阱电子为400 ke^(-),FPN小于0.2%,动态范围为72 dB,帧频为450 f/s,相邻10 nm波段范围内量子效率相差小于10%,可满足高光谱成像系统对CMOS成像器件的要求。     

国际放射防护委员会(ICRP)第121任务组介绍北大核心CSCD

国际放射防护委员会(ICRP)第121任务组(TG 121)是ICRP 2021年主委员会会议设立的一个任务组,任务是准备《电离辐射照射对后代的影响》的报告,报告目的是:(1)重新审议关于人类和非人类物种个体后代受到电离辐射照射后辐射诱发效应的相关科学文献。审议将包括两个主要部分:由于双亲受到照射后产生的孕前效应:遗传效应和隔代效应(涉及遗传和表观遗传机理及对疾病的影响)、及对生育和繁殖力的影响。     

高含盐工业废水处理技术研究进展

现代工业生产的工业废水往往含有超量的有机危害物或过量的盐、酸碱等,在对此类废水进行处理时,传统的方法将无法起到有效的作用。且由于此类废水同样不适宜微生物的生长,利用微生物进行污水处理的方式也受到很大的局限。对于这种工业排污废水,在实现有机物的降解之外,还需要实现无机盐和废水的分离来达到排污标准。对现在针对高含盐废水的成熟处理技术进行了总结,介绍了几种常见处理技术的特点及应用,以及他们在实际高盐工业废水处理中的作用和一些问题。通过对现有高盐废水的处理技术的分析和了解,可以针对不同类型的高盐废水使用不同的处理方式以达到最大的经济效应,并且对实现排放量最小化具有重要意义。     

磷酸铁锂电池电压一致性改善研究

从环境温度和分容方式两方面进行实验,最终确认了环境温度在35℃结合分容放电后以小倍率电流续放电或微补电的方式,对电压一致性的改善有显著作用.     

地铁低压配电系统一次受电施工技术

本文以地铁车站低压配电系统一次受电为例,针对地铁车站设备受电过程中人员及设备的安全问题,介绍了电缆绝缘测试阶段施工技术要点、申请送电流程、班前送电交底、仪表及安全设备检查、执行规定及程序等主要施工技术,为地铁设备送电、后续设备调试、试运营提供必备条件.     

ICRP 146号出版物 《重大核事故情况下人与环境的放射防护》内容摘要

放射防护中使用的主要剂量量是吸收剂量、当量剂量和有效剂量。有效剂量的概念是由ICRP提出的,将其作为一个调节危险度的剂量学量,用于管理对随机效应(主要是癌症)的防护,以便能够将估算的剂量与以相同量表示的剂量限值、剂量约束值和参考水平加以比较。使用有效剂量,可以基于线性无阈剂量响应关系、低剂量或低剂量率下急性和慢性照射的当量值、以及内外照射的当量值,将来自外照射和内照射的所有辐射照射一并考虑,予以求和。