首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   5篇
  免费   4篇
无线电   9篇
  2023年   3篇
  2022年   2篇
  2021年   1篇
  2013年   1篇
  2010年   1篇
  2008年   1篇
排序方式: 共有9条查询结果,搜索用时 46 毫秒
1
1.
传统雷达系统在当今日益复杂的电磁环境中面临严重挑战,而集成微波光子学技术可突破传统雷达的技术瓶颈,具有大带宽、高分辨率、高复用度、高集成化等技术优势。本文基于集成微波光子技术,研制了一款硅基集成二维光控多波束形成系统样机,提出了一种基于二氧化硅平面光波导的片上集成二维光控多波束形成系统架构,结合流片加工平台完成了关键光芯片的设计流片和封装测试,最终完成系统样机整机联调测试,并对实验结果进行理论计算处理,验证了硅基集成波束形成系统的关键性能指标。系统具有大瞬时带宽、二维同时多波束、各波束多波位独立扫描的能力,与此同时兼具硅基光子集成技术的小型化、轻量化、低成本等优势,试验结果验证了集成微波光子技术应用于雷达系统的先进性和应用潜力。  相似文献   
2.
采用0.18μm Si RFCMOS工艺设计了应用于s波段AESA的高集成度射频收发前端芯片。系统由发射与接收前端组成,包括低噪声放大器、混频器、可变增益放大器、驱动放大器和带隙基准电路。后仿真结果表明,在3.3V电源电压下,发射前端工作电流为85mA,输出ldB压缩点为5.0dBm,射频输出在2~3.5GHz频带内电压增益为6.3~9.2dB,噪声系数小于14.5dB;接收前端工作电流为50mA,输入1dB压缩点为-5.6dBm,射频输入在2~3.5GHz频带内电压增益为12—14.5dB,噪声系数小于11dB;所有端口电压驻波比均小于1.8:芯片面积1.8×2.6mm0。  相似文献   
3.
杨遮  白雪飞  李骁  段宗明 《微电子学》2023,53(1):102-108
为了改善波束成形质量,基于相控阵芯片幅度和相位校准系统,提出了一种校准算法。在计算出每个状态的误差后,只需要遍历一次所有相控阵芯片的状态,就可以筛选出目标状态,生成查找表。筛选时,对每个状态的幅度误差、相位误差和使用CORDIC计算出的所有目标状态的RMS误差进行约束,可以使相控阵芯片实现误差(RMS)小于2°的6位移相(360°)和误差(RMS)小于0.3 dB的6位衰减(32 dB)。与穷举搜索和逐次逼近的方式相比,提出的校准算法节省了LUT的生成时间。根据此算法,使用65 nm CMOS工艺设计了一个自校准芯片,面积为584 613.16μm2。  相似文献   
4.
时钟抖动和相位噪声对数据采集的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
随着采样频率和A/D变换器位数的增加,时钟抖动和相位噪声对数据采集系统性能的影响更加显著.从相位噪声的双边带功率谱密度出发,详细分析了相位噪声和周期间抖动之间的联系,指出了相位噪声的不同频段对周期间抖动的影响,讨论了数据采集信噪比与时钟抖动和相位噪声之间的关系;并通过仿真给予定量的计算,对时钟源和数据采集系统的设计提供了一些建议;最后,利用某雷达数据采集系统进行实验,给出了相关实验结果.  相似文献   
5.
本文回顾和梳理了当前片上雷达(Radar on Chip, RoC)的架构和射频前端、天线及信号处理等芯片化研究进展,以及基于异质异构集成、3D先进封装技术的雷达系统集成实现方案。在此基础上,从物理形态、实现工艺及技术发展等方面对片上雷达未来发展趋势进行了分析,指出基于硅基半导体工艺,片上集成多路雷达收发前端、波形产生及信号处理等雷达功能单元,实现片上系统(System on Chip, SoC);或者通过异质异构及先进封装技术,将高度集成的雷达芯片集成在一个封装内,实现封装系统(System in Package, SiP),从而满足雷达系统微型化、轻重量、低成本和低功耗的发展需求。同时,基于芯片化可扩充多通道阵列模块也有望构建大型复杂阵列雷达系统。该方案为未来小型化武器装备提供有效的探测感知手段,也为蓬勃发展的民用雷达提供可行的技术路径。  相似文献   
6.
直接频率合成器的模块化设计及分析   总被引:1,自引:0,他引:1  
对直接频率合成的主要技术指标进行了详细分析,给出了一种直接频率合成模块化的设计方法。采用程控分频器、频谱搬移、声表滤波组件来产生P频标,用于L、S、C、X等多种频段雷达的频率合成器。该电路简捷,具有相噪低、杂散小、捷变频等特点。实验结果表明,在C频段,偏离载波1 kHz时,其相位噪声优于-120 dBc/Hz,杂散抑制优于65 dBc,变频时间小于1μs。该合成器在阵列多波束雷达、机载相控阵雷达中得到了广泛应用。  相似文献   
7.
针对未来智能驾驶和无人驾驶对毫米波传感器多模式、多场景感知需求,设计并实现了一种77GHz多模毫米波雷达收发机芯片。芯片采用65nm CMOS工艺,集成了3路雷达发射机和4路接收机、调频连续波(FMCW)波形发生器、模数转换器以及高速数据接口等电路。利用交叉耦合中和电容技术提升了CMOS工艺上毫米波低噪声放大器、毫米波片上功放等电路性能,采用两点调制锁相环技术提升了FMCW信号带宽和调制速率。收发机的发射功率、波形样式、接收增益和带宽等参数具有较好的可配置性,满足未来多模式、小型化和低成本汽车雷达传感器需求。芯片测试结果显示,在76~81GHz频率范围内,接收机实现50dB的增益控制,最小噪声系数11dB,FMCW信号调频带宽达4.2GHz,调制速率达233MHz/μs,线性度优于0.1%,-45~+125℃全温范围内发射机典型输出功率大于13dBm。  相似文献   
8.
本文基于0.18μm CMOS工艺提出了一种新型微波人工表面等离激元(Spoof Surface Plasmon Polariton,SSPP)耦合式滤波器结构并进行加工和测量,同时设计了一种太赫兹SSPP四边形滤波器并进行了全波仿真.新型微波SSPP耦合式滤波器通带为11~12.3 GHz(S11<-10 d B,S21>-3.5 d B),结构紧凑,电尺寸仅为0.018 4λg×0.008 4λg,远小于其他基于集成电路工艺设计的无源滤波器.通过优化与调整,可以将新型微波SSPP耦合式滤波器的性能进一步优化到要求范围内.太赫兹SSPP四边形滤波器通带为210.8~241.3 GHz(S11<-10 d B,S21>-4.7 d B),带内插入损耗仅为2.7 d B,带外抑制良好.两种SSPP滤波器均采用非接触式电磁耦合的新型能量传递方式,结构设计新颖,并且微波段SSPP耦合式滤波器小型化优势明显,电尺寸仅为0.019λ...  相似文献   
9.
基于65 nm互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺研制了一款用于X波段的小型化高增益低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA).通过研究晶体管尺寸和偏置电压对噪声系数和增益性能的影响,确定了低噪声高增益情况下晶体管尺寸和偏置电压的取值.针对LNA的输入、输出和级间匹配,采用变压器匹配网络,使得LNA尺寸缩小至0.33 mm×0.73 mm,同时提高了电路的隔离度.在变压器中嵌入并联电容,降低了变压器的耦合系数.基于差分共源拓扑结构,引入中和电容技术,有效地抑制了晶体管栅-漏间寄生电容引起的米勒效应,提高了LNA的增益和稳定性.测试结果表明,在1 V电源电压下,该LNA的带内最大增益为22.9 dB,最小噪声系数为2.8 dB,功耗为49 mW.在射频收发系统中,本款LNA具有良好的应用前景.  相似文献   
1
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号