井下供电监控及防越级跳闸系统运用分析

以井下供电监控及防越级跳闸运用为对象开展探究。在分析矿井供电系统运行中现存主要问题的基础上,对供电监控与防越级跳闸系统整体应用的积极意义进行了分析和总结,希望能够让更多矿井技术人员了解供电监控及防越级跳闸系统的优越性,为其在矿井中的广泛推广普及提供便利,为煤矿行业更加高效地发展提供帮助。     

三回转自由度数控主轴结构设计与运动学分析

基于对3R斜交非球型手腕结构的研究和数控机床主轴功能的分析,提出一种具有3个连续回转自由度的数控主轴的概念设计,并用SolidWorks软件建立该主轴的三维模型。用D-H参数法建立该主轴的运动学模型,进行运动学分析和工作空间的分析与仿真。仿真结果表明:该主轴结构紧凑、惯量小、灵活度大,能够实现三维空间的任意姿态,扩大数控机床的加工范围。     

自由表面光学系统对白光LED色温角分布的影响

基于非成像光学设计的自由表面光学系统,对提高以LED为核心的固态半导体照明的性能起着至关重要的作用。文章提出了简化模型模拟一次封装白光LED光源的色温角分布特性,并研究了自由表面光学系统对该色温角分布特性的影响。仿真与实验结果都表明,自由表面光学系统可以明显改善白光LED光源的色温角分布不均匀特性。     

Response time improvement of AlGaN photoconductive detectors by adjusting crystal-nuclei coalescence process in metal organic vapor phase epitaxy

AlGaN photoconductive ultraviolet detectors are fabricated to study their time response characteristics. Persistent photoconductivity,a deterring factor for the detector response time,is found to be strongly related to the grain boundary density in AlGaN epilayers.By improving the crystal-nuclei coalescence process in metal organic vapor phase epitaxy,the grain-boundary density can be reduced,resulting in an-order-of-magnitude decrease in response time.     

钛细化过共晶高铬铸铁的研究

研究了不同的含Ti量对4C-20Cr(质量分数,%)过共晶高铬铸铁显微组织的影响.结果表明,随着含Ti量的增加,初生碳化物和总的碳化物(初生碳化物和共晶碳化物)均逐渐细化;TiC的体积分数也随含Ti量的增加而增加,但TiC出现长大和团聚现象.Ti细化过共晶高铬铸铁的机理为:弥散分布的TiC可能作为初生碳化物的异质形核质点;TiC颗粒阻碍初生碳化物的长大;生成TiC的反应消耗一部分C而降低过共晶高铬铸铁的过共晶程度.     

柴油机气缸活塞组检测与诊断方法

气缸套活塞组的密封性是决定发动机是否能够继续使用、是否需要解体检修的重要依据.本文讨论了两种气缸套活塞组的不解体检测与诊断方法:无负荷测功与油样分析组合检测、气缸压缩压力的检测与分析.对确定发动机是否需要解体、检修具有实用价值.     

氮化镓基高亮度发光二极管材料外延和干法刻蚀技术

通过对氮化镓(Gallium nitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(High brightness light emitting diode,HB-LED)材料金属有机气相外延(Metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiple quantum wells,MQWs)结构,获得了高性能的HB-LED外延片材料.高分辨率X射线衍射(High resolution X-ray diffraction,HR-XRD)和变温光致荧光谱(Temperature dependent photoluminescence spectra,TD-PL Spectra)测量表明外延材料的异质界面陡峭,单晶质量优异,并由变注入电致荧光谱(Injection dependent electroluminescence spectra,ID-EL spectra)测量获得:HB-LED芯片的峰值发光波长在注入电流为2 mA至120 mA变化下蓝移量小于1 nm,电致荧光谱的半高全宽值(Full width hlf maximum,FWHM)在注入电流为20 mA时仅为18 nm.此外,还介绍了GaN基材料感应耦合等离子体(Inductivelycoupled plasma,ICP)干法刻蚀技术.考虑实际需要,本文作者开发了AlGaN/GaN异质材料的非选择性刻蚀工艺,原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)观察得到AlGaN/GaN刻蚀表面均方根粗糙度RMS仅为0.85nm,与外延片的表面平整度相当.还获得了AlGaN/GaN高选择比的刻蚀技术,GaN和AlGaN的刻蚀选择比为60.     

镗削活塞喇叭形销孔的气液压刀具补偿系统

1　引言为便于脱模 ,铝活塞毛坯一般都铸出喇叭形销孔。由于销孔是许多工序施加夹紧力的部位 ,所以在粗车止口后立即进行销孔粗镗 ,以便在其后工序的夹紧力能均匀地分布 ,而不会压坏销孔所在部位的搭子。精镗销孔是活塞加工中保证精度的关键工序之一。由于销孔尺寸、形状和位置