HgCdTe低压回流液相外延生长

在HgCdTe晶体的LPE生长过程中,汞的挥发将造成母液成分与工艺条件的不断变化,其结果甚至导致整个长晶工艺的失败。本工艺的特点是使汞蒸气压在LPE长晶管内持续地进行回流,从而达到维持母液内汞原子含量不变的目的。     

红外吸收法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片的P型夹杂

提出了一种用室温红外吸收方法测定N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶片中P型夹杂程度的简单方法。     

准平面型InSb光伏列阵红外探测器

在台式光敏面基础上,采用SiO_2介质掩蔽,金属膜延伸电极和衬底区超声引焊电极引线,研制成InSb光伏型列阵的准平面型器件。由本工艺制备的器件具有无串音、结阻抗高、反向耐压高、稳定性好等良好性能。     

Insb 液相外延层内的两类层错

实验表明,IuSb液相外延层内存在着两类层错,即哑铃状层错与杆状层错.对两类层错的形态,结构与相互之间的作用进行了观察.分析表明,哑铃状层错为本征型层错,四周围以Shockley不全位错,而杆状层错很可能为非本征型层错.最后对层错的形成机制进行了讨论.     

光伏型InSb红外探测器表面的阳极氧化

测量了阳极氧化InSb MOS结构的界面特性以及光照对经阳极氧化保护的光伏型InSb红外探测器性能的影响。实验指出,对于p-n结器件,光照使短路电流增加,器件阻抗的降低是由于光敏面扩大,而对于n~ -p结器件,短路电流不随光照变化,但I-V曲线出现了明显的软击穿,器件阻抗的降低来自于结区二边电子的隧道穿透。文章对器件性能蜕变的机制以及克服的方法进行了分析与讨论。     

Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体电学参数反常的检测和分析

系统地分析和研究了N型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te晶体电学参数的各种表现,从中归纳出三种霍耳参数反常的Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料及其霍耳参数随温度和磁场变化的特征。通过实验和理论分析找出这三类材料电参数反常的起因,给出了正确判断材料性能及获取真实反映材料电学特性参数的方法。     

锑化铟单晶中α位错的运动速度

采用二次腐蚀技术研究了纯净及掺杂晶体内α位错的运动速度与浓度及应力的关系.实验表明,InSb晶体内的位错运动速度具有明显的热激活性质.与纯样品相比,N型掺杂晶体的激活能较小,位错速度相应增加,而在P型掺杂晶体内,激活能值明显增加,位错速度显著减小.依据α位错受主性质,对实验现象进行了解释.     

碲镉汞晶体的杂质控制

本文综述了HgCdTe晶体中的杂质行为,提出了实现杂质控制的可能性。     

高压回流法生长碲镉汞晶体

HgCdTe的汞蒸汽压很高,使材料的制备与结晶过程的研究变得十分困难.采用高压回流的工艺生长HgCdTe晶体,可使整个长晶过程在一个开口的石英管内进行,汞的压力可严格地进行控制,从而避兔了闭管工艺所存在的一系列问题。高压回流的工作原理与扩散泵一样,当碲镉汞材料化合时,熔料内的汞元素被蒸发,在炉腔内高压惰性气体与陡峭的     

光吸收测定Hg_0.8Cd_0.2Te材料的空穴浓度

采用离子注入法做光伏器件,需要空穴浓度在2～6×10~(16)cm~(-3)甚至更低的P型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te材料,所以要求准确测定弱P型材料的空穴浓度。由于Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te中电子的迁移率比空穴的迁移率高得多,对空穴浓度低于4×10_(16)cm~(-3)的样品,温度接近77K时出现明显的混合导电,给空穴浓度的确定带来了困难。近年来对Hg_(0.8)Cd_(0.2)Tb吸收边以下的