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1.
对某车型前纵梁后段建立数值分析模型,利用AutoForm软件进行热成形模拟分析,针对分析结果中的起皱缺陷优化模型,再次进行模拟分析后起皱缺陷消除,经实际生产验证,按优化方案开发热成形模生产的零件质量与第二次分析结果趋势一致。 相似文献
2.
常喜 《华北水利水电学院学报》2008,29(1):71-73
利用Matlab,分析了流速仪检定车在受到负载的微小波动时的动态过程.首先建立了数学模型,然后给出了参数的确定方法,最后通过仿真获得了车速和同步电动机功率角的变化曲线,为流速仪检定车的合理设计提供了参考. 相似文献
3.
热敏绘图仪驱动模块由状态诊断、表头输出、曲线输出三部分组成。曲线输出的核心是曲线输出通用算法,它分三步进行:超界判断,填充字节和线型处理。该算法能完成对离散值的曲线处理、线型变换和超界处理。它不仅适用于热敏绘图仪的曲线记录,也适用于曲线的屏幕显示。 相似文献
4.
采用Alq3、TPBi和BCP分别作为电子传输材料和空穴阻挡材料,制备了三种器件,研究了用不同的空穴阻挡材料对器件性能的影响。实验结果表明:只采用30nm Alq3作电子传输层的器件的电流效率最大值为7.84cd/A(9V),而采用10nm Alq3作电子传输层,插入20nm的BCP和TPBi作空穴阻挡层的器件获得的电流效率最大值分别为9.72cd/A和12.21cd/A(9V)。这些结果说明空穴阻挡材料能改善器件的性能,TPBi比以BCP作为空穴阻挡层的器件性能有了很大的改善,制备的白色OLED的最大亮度和电流效率分别为22400cd/m2(17V)和12.21cd/A(9V)。 相似文献
5.
用有机层厚度匹配法制作的有机电致蓝光器件 总被引:1,自引:0,他引:1
采用各有机层厚度匹配的方法制备了具有较好性能的有机电致蓝光器件.器件的基本结构为:ITO/2T-NATA/NPBX/DPVBi/Alq3/LiF/Al.当2T-NATA的厚度为20nm, NPBX的厚度为15nm, DPVBi的厚度为35nm, Alq3的厚度为30nm, LiF的厚度为0.5nm时,器件的性能最好.在电流密度为796mA/cm2时,最大亮度达到11600cd/m2,在电流密度为30mA/cm2,器件的效率达到最大为2.32cd/A.器件的开启电压较低,在6V工作电压下,亮度达到207.3cd/m2.在5~13V较大的范围内,色度几乎不随驱动电压或电流密度的改变而改变,稳定在x=0.16,y=0.15附近. 相似文献
6.
CdS薄层对有机电致发光器件性能的影响 总被引:6,自引:6,他引:0
将光电材料硫化镉(CdS)薄层插入到结构为ITO/NPB/Rubrene/NPB/DPVBi/Alq3/LiF/Al的白光有机发光器件(OLED)的Alq3和LiF之间,研究了CdS对OLED性能的影响。结果表明,0.1nm厚的CdS插入Alq3和LiF之间的器件性能最好。器件电压从7 V变化到14 V时,色度均在白光的中心区域;当电压为7V时,器件的最大电流效率为9.09cd/A;当电压为14V时,器件的最大亮度为16 370cd/m2。不加CdS时,当电压为8V时,器件的最大效率为5.16cd/A;当电压为14V时,最大亮度为6 669cd/m2。加CdS的器件比不加CdS的器件最大效率提高了1.76倍,最大亮度提高了2.42倍。 相似文献
7.
通过改变发光层的厚度,制备了一种双量子阱结构的有机电致发光器件(OLEDs),其结构为ITO/2T-NATA(20nm)/NPBX(50nm)/[Alq3:2%C545(dnm)/Alq3(3nm)]2/Alq3(17nm)/LiF(0.9nm)/Al。在常温下研究了器件的发光层在不同厚度(d=10,15,20和25nm)时的磁电阻(MR,magnetoresistance)特性。实验结果表明,在10V驱动电压的作用下,在相同磁场强度下,器件的厚度越大,电阻率也越大;在驱动电压为10V时,随着磁场强度的增加,10nm厚器件的MR随着磁场的增加而增大,表现正MR特性;而15、20和25nm厚3种器件的MR随着磁场强度的增强先减小后增加并趋于饱和状态,发光层越厚,MR减小的幅度越大,且都表现出负MR特性;获得最大的MR为-10.32%。 相似文献
8.
采用蓝色有机荧光染料N-BDAVBi作为客体发光材 料,将其分别掺入主体材料ADN和DPVBi中形成双发光层,制备了结构为ITO/m-MTDATA(40nm)/NPB(10nm)/ADN:N-BDAVBi(15nm)/DPVBi:N-BDAVBi(15nm)/TPBi(30nm)/LiF(0.6nm)/Al的高效率蓝色有机荧光器件(OLED)。器件的最大电流效 率为8.13cd/A,对应色坐标为(0.178,0.302) ,电流密度为18.81mA/cm2,分别是ADN:N-BDAVBi和DPVBi: N-BDAVBi作为发光层的单发光层结构器件的2.4和1.8倍。器件性能 提高主要源于双发光层结构减弱了 载流子在界面处的积累,扩大了激子产生区域以及主体与客体之间有效的能量 转移。当驱动 电压为14V时,双发光层器件的最大亮度为20620cd/m2。 相似文献
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10.
采用真空热蒸镀技术,制备了结构为ITO/NPBX(40nm)/rubrene(0.2 nm)/NPBX(5nm)/DPVBi(30nm)/TPBi:x%Ir(ppy)3(30nm)/LiF/Al的白光器件。利用Ir(ppy)3掺杂到电子传输层TPBi中,在掺杂层中提高了电子的迁移率,调整了空穴和电子的平衡,从而改善了白色有机电致发光器件的效率。当Ir(ppy)3的掺杂浓度为6%时,器件的电流效率最高,在驱动电压9 V时最大电流效率为10.66 cd/A,此时色坐标为(0.36,0.38);当电子传输层TPBi中不掺杂Ir(ppy)3时,白光器件的效率最低,在驱动电压10V时最大电流效率为1.69 cd/A,此时色坐标为(0.31,0.30)。掺杂浓度为6%的白光器件的电流效率是不掺杂白光器件的电流效率的6.3倍。 相似文献