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纳米硅薄膜的Raman光谱 总被引:1,自引:0,他引:1
通过等离子增强化学气相沉积法,制备了本征和掺磷的氢化纳米硅薄膜(nc-Si:H),研究了晶粒尺寸和掺杂浓度对纳米硅薄膜喇曼谱的影响.结果表明晶粒变小和掺杂浓度增加都使纳米晶粒的TO模峰位逐渐偏离声子限制模型的计算值.X射线衍射和高分辨电镜像的结果表明晶粒变小导致硅晶粒应力增加,而掺杂使晶粒内部杂质和缺陷增多,这些因素破坏了晶粒内晶格的平移对称性,进一步减小声子的平均自由程,导致实验值偏离理论计算值.晶格平移对称性的破缺还体现在,随晶粒尺寸减小或掺杂浓度增加,喇曼谱中TA、LA振动模的相对散射强度增加. 相似文献
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密码学与数字水印在电子印章中的应用 总被引:5,自引:0,他引:5
为了提高电子印章和电子公文的安全性,以及方便电子公文的推广使用,文中结合公钥密码学和数字水印技术设计了一种具有三层结构多重水印的电子印章,给出了印章制作的方法并介绍了系统的组成结构。其中的表现层作为要素显现,使电子印章符合传统的使用习惯;脆弱的半透明可见水印层具有防复制、防篡改功能;第三层嵌入稳健的不可见水印,使印章具有惟一性。同时将私钥存储在智能卡上,含水印电子图章存放在电子印章服务器中,从而进一步提高了整个电子公文系统安全性。 相似文献
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太赫兹量子级联激光器作为目前产生太赫兹激光的最有效手段之一,如何提升其性能表现一直是科学界所关注的重点。本篇综述将从光电调控的角度,阐述目前太赫兹量子级联激光器的性能进展。从激光器有源区设计原理开始,介绍几种新的有源区设计,再从谐振腔的角度介绍一系列新的结构,并展示他们对于功率和光束质量的提升。最后,阐述了太赫兹量子级联激光器在偏振调控和频率调谐的最新进展。 相似文献
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纳米硅/单晶硅异质结二极管的电学特性 总被引:2,自引:0,他引:2
利用高真空PECVD系统在p型单晶硅上沉积掺磷n型纳米硅薄层(nc-Si:H),形成纳米硅/单晶硅Np异质结二极管,通过C-V和J-V测试研究了二极管的电学性质。C-V特性指出该异质结为突变型。J-V特性表明二极管具有很好的温度稳定性和整流特性。正偏压时二极管存在两种输运机制:小偏压时(<0.8V)二极管电流由耗尽层纳米硅薄层一侧的载流子复合过程决定,纳米硅薄层由于能带弯曲而减小了禁带宽度,这是该二极管温度稳定性好的根本原因;大偏压(>1.0V)时电输运符合电荷限制电流(SCLC)模型。负偏压时电流主要来自空间电荷区中的产生电流。 相似文献
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