硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响

采用HFCVD方法制备了掺硼金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜和X射线衍射光谱对样品的表面形貌及结构进行了分析.结果表明,随着硼含量的增加,薄膜中晶粒的取向由(100)变为(111),然后趋向于无序化.硼的掺入同样影响到孪晶晶粒的形态及生长因子α,使得α变小.通过对样品的Raman光谱分析,得出在适当的硼掺杂浓度下,孪晶的出现使金刚石薄膜中的应力得到松弛,从而中心声子线Raman位移红移较小.     

热丝CVD生长SiCN薄膜的研究

在HFCVD系统中采用SiH₄/CH₄/H₂/N₂混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-Si₃N₄的结构.XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si-N和C-N等共价键,但是并没有观察到C-Si的存在.由实验得出结论,SiCN晶体的生长包括两个步骤:α-Si₃N₄团簇的生长和C取代其中Si的过程.     

三种不同状态下有机分子的光谱特性

研究了有机材料蒽和8-羟基喹啉铝(Alq3)在固态,溶解液态和镶嵌隔离态三种状态下的发光特性,发现随着有机分子密度的降低,即从高密度态向单体状态的变化过程中,其发光峰位出现蓝移,发光峰半高宽的宽度变窄,发光峰的对称性变好.     

计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统的研制与应用

在863“九五”计划期间,我们研制成功“计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统”,并用此设备在无人值守的情况下,生长出毫米级金刚石和金刚石/硅碳氮多层膜,证明该设备安全可靠,性能优良。1 计算机编程控制CVD金刚石膜生长系统 图1(见封1)为我们研制的计算机编程控制CVD金刚石     

CdTe（111）表面电子态及其H吸附的电子结构研究

本文利用自洽Ｍｕｆｆｉｎ－Ｔｉｎ轨道线性组（ＬＭＴＯ—ＡＳＡ）方法，采用Ｓｌａｂ模型，研究了ＣｄＴｅ（１１１）两类模型四种表面的Ｈ吸附电子结构，系统分析比较了Ｈ吸附对四种表面电子结构的影响，为研究ＣｄＴｅ（１１１）表面金属吸附的电子结构作了准备．     

辉光放电和低压化学气相淀积制备的α-SiN_x∶H薄膜的光学性质

氮化硅作为半导体器件的钝化膜,在半导体工业中有广泛的应用。我们通过SiCl_4、N_2、H_2混合气体的辉光放电(GD)和SiCl_4、NH_3混合气体的低压化学气相淀积(LPCVD)制备了一系列α-SiN_x:H薄膜,对其折射率、吸收边和光学带隙、红外吸收光谱和喇曼光谱进行了初步实验。用干涉显微镜和椭圆偏振仪分别测量了薄膜的厚度,其范围在5000～6000(?)左右。折     

脉冲激光淀积MgF2薄膜的制备及性质研究

本文采用脉冲激光淀积方法(PLD)制备了MgF2光学薄膜，并对其表面形貌以及光学性质进行了测试分析，X射线光电子能谱分析显示MgF2样品具有很好的化学组分配比，F／Mg原子比在1．9～2．1之间，接近于体材料；在可见光波段其光学透过率为60％～80％，在红外波段更是达到了90％以上，由KK变换计算MgF2的折射率大约为1．39，也接近于体材料的折射率1.38。     

氮气氛下金刚石薄膜生长过程中的光发射谱研究

利用原位光发射谱对衬底附近的化学气相性质进行了研究．研究表明,氮气的引入使得金刚石生长的气相化学和表面化学性质发生了很大变化．含氮基团的萃取作用提高了金刚石表面氢原子的脱附速率,从而提高了金刚石膜的生长速率．而含氮基团的选择吸附使金刚石（１００）取向变得化学糙化,这种化学糙化使得（１００）晶面生长速率远大于其它晶面,最终使金刚石薄膜呈现（１００）织构．还利用化学气相沉积方法研究了氮气浓度对金刚石生长的影响,结果与光发射谱分析是一致的．     

高频溅射法氮碳膜的生长及结构

本文用扫描电镜、红外吸收光谱、X射线光电子能谱和X射线衍射技术对高频溅射沉积法制备的氮化碳膜的生长过程进行了研究．改变溅射条件,研究了氮化碳膜的形貌和结构与其性质之间的关系,通过溅射条件的优化,可使氮化碳膜中的氮含量增加,薄膜的结构接近β-C₃N₄相．     

生物组织漫反射光的研究

光在组织中传播与组织的光学性质有关。本文利用带有积分球的分光光度计探测了组织的反射率、漫反射率和透射率、并进行了人体肿瘤组织与正常组织漫反射特性的研究。其结论是:(1)肿瘤组织与正常组织相比,肿瘤组织的反射和透射率在300～400nm有明显的变异;(2)肿瘤组织的漫反射率低于正常组织;(3)肿瘤组织的恶性程度越高,300～400nm的反射率越大,而漫反射率越小。本文还对上述实验结论作了分析。