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1.
粗细针纬编复合面料及其产品是当今国际市场上较为流行的一种新型服装面料。它是利用上下不同针距的双面纬编机,使用两面不同粗细的原料复合编织而成。自八十年代问世后,该产品在日本、香港及西欧等  相似文献   
2.
提出了一种解决大高宽比SU8结构的新方法.该方法是将SU8胶涂在一块掩模上,紫外光从掩模的背面照射,这样SU8胶的曝光将从底部开始,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量,从而很容易控制曝光剂量和SU8胶结构的内应力.实验结果表明,该方法能够得到高宽比为32的SU8结构,而文献报道的SU8胶结构的高宽比最大仅为18.  相似文献   
3.
双坩埚大功率磁偏转电子束蒸发枪的研制   总被引:2,自引:0,他引:2  
由于硅材料的熔点较高(1420℃),难以用传统的电阻加热方式来蒸发硅材料,为产生高纯硅分子束流,特设计出这种能适应于超高真空环境的大功率电子枪,该枪对其它高熔点材料(钨、钼、钽等)同样具有良好的蒸发性能。本文对这种电子枪的原理及性能作一简单的介绍。  相似文献   
4.
A preliminary shielding analysis on the transport of the Chinese helium cooled ce?ramic breeder test blanket module (HCCB TBM) from France back to China after being irradiated in ITER is presented in this contribution. Emphasis was placed on irradiation safety during trans?port. The dose rate calculated by MCNP/4C for the conceptual package design satisfies the relevant dose limits from IAEA that the dose rate 3 m away from the surface of the package con?taining low specific activity III materials should be less than 10 mSv/h. The change with location and the time evolution of dose rates after shutdown have also been studied. This will be helpful for devising the detailed transport plan of HCCB TBM back to China in the near future.  相似文献   
5.
PTFE三层复合材料摩擦过程的界面动态迁移   总被引:1,自引:0,他引:1  
在面接触摩擦磨损试验机上考察了PTFE三层复合材料的摩擦磨损性能,观察了其摩擦过程转移膜形成的动态过程,分析了其摩擦磨损机制。结果表明:PTFE三层复合材料在与对偶钢件摩擦时,会在摩擦界面上发生界面迁移,导致在对偶件表面形成一层转移膜。界面迁移的动态过程是:转移膜的形成开始是由于微切削机制使得PTFE复合材料镶嵌于对偶件表面的凹坑和微沟槽处,进而在机械和摩擦化学的作用下得以生长变大,最后形成较完整的转移膜。转移膜在形成与长大过程中,始终伴随着局部脱落以及再修复的过程,在形成较完整的转移膜后处于动态平衡。摩擦过程中转移膜的形成可以有效地稳定摩擦因数,减小磨损。  相似文献   
6.
还记得掀起即时战略狂潮的《命令与征服》吗?还记得那让人又爱又恨的《红色警报》吗?在经历了《帝国时代》、《星际争霸》等大片的洗礼之后,在看腻了各种号称如何如何的即时战略游戏走马灯似的表演之后,《命令与征服Ⅱ——泰伯利亚之日》终于来到了我们面前。 游戏对系统要求不高,安装也非常简单,在熟悉的音乐和画面映衬下,我们又置身与GDI与NOD的战斗中。几个小时激战下来,游戏给人的感觉是“亲切”。请注意这里”亲切”二字,它可以有两种理解:第一,游戏  相似文献   
7.
缪鹏 《中国新通信》2008,10(21):71-74
结合中国网通的NGN DC1部署提出合适的网络优化方法。  相似文献   
8.
土石坝除险加固中,为了改善土坝的密实度,降低其透水性和压缩性,现常采取填土夯实、套井回填等工程措施。而回填土料的选择则直接决定了工程投资成本高低及施工的难易程度。通过1年多的试验对比,发现粉质黏土较黏土更容易施工控制,更具有相关稳定性。  相似文献   
9.
提出了一种解决大高宽比SU 8结构的新方法.该方法是将SU 8胶涂在一块掩模上,紫外光从掩模的背面照射,这样SU 8胶的曝光将从底部开始,不需要进行过曝光来保证底部胶的曝光剂量,从而很容易控制曝光剂量和SU 8胶结构的内应力.实验结果表明,该方法能够得到高宽比为32的SU 8结构,而文献报道的SU 8胶结构的高宽比最大仅为18  相似文献   
10.
在半导体器件制造,冶金及表面物理研究领域中,越来越多地要涉及超薄超纯的高熔点材料薄膜的制备,本文对我们研制的一种可蒸发难熔材料的微型电子束蒸发枪作一简要的描述。  相似文献   
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