变温光电法测量MIS太阳电池势垒高度

本文介绍一种测量MIS太阳电池的新方法—变温光电法,用这种方法可精确地测出MIS太阳电池的表面势垒高度、品质因数和界面态密度。     

用变温光电法测量MIS太阳电池势垒高度

我们发展了一种变温光电测试方法,用这种方法可以测量类如MIS隧道二极管结构器件的势垒高度、表面态密度等。对浅结MINP太阳电池的表面势垒高度也可进行测量。太阳电池的各参数主要由能带结构和界面态来决定,浅结MINP太阳电池(其结深一般为0.2～0.3μm)的表面空间耗尽层宽度(一般为0.1～0.3μm)与结深基本上相同。使     

尖锥阴极场致发射的稳定性研究

场致发射阵列（ＦＥＡ）平板显示器的实现，标志着ＦＥＡ发展到新的阶段，对ＦＥＡ的研究析的要求。场致发射的实验研究是目前推进ＦＥＡ技术的一种重要手段。文中主要从ＦＥＡ场致发射的过程和分析发射失稳现象，并从理论上加以探讨研究。结果表明，ＦＥＡ中发射不均匀是普遍的，设计中采取均流均温措施是必要的；ＦＥＡ使用前的老化钝化是必不可少的工艺手段；场致发射常伴随着热发射，对热发射的控制和利用是场致发射研究的重要内     

MIS结构界面参数的测量

本文在理论上和实验上发展了变温光电法,借助该法不仅可测量MIS结构器件的表面势垒高度,而且可测量其品质因数n值和界面态密度。该法已应用于比透明金属结构更重要的栅状电极的MIS结构器件中。文中给出实验样品的测试结果。