排序方式： 共有4条查询结果，搜索用时 62 毫秒
1
1.
由于Hg空位的作用,高温下平衡的HgCdTe晶体是P型的。P型样品经低温处理后,转变为N型。在经各种不同条件处理的样品中,选择各种组分、结构较好、晶粒大的样品,在表面做电极,在77K至室温的范围内,在磁场强度为2kGs下,用范德堡法测量其霍耳系数R,电阻率ρ,计算载流子迁移率。根据测量结果,选出霍耳曲线在低温端有平台、77K迁 相似文献
2.
通过把迁移率的实测值与影响ＨｇＣｄＴｅ晶体电子迁移率的主要散射机构进行对比，得出结论：位错是ＨｇＣｄＴｅ晶体低温电子迁移率降低的主要原因。 相似文献
3.
本征载流子浓度n_i是组分的函数,如果同时考虑到杂质和缺陷对载流子浓度的影响,就可能用载流子浓度来判别样品的组分。假设施主和受主都是单电离的。分别用N_d和N_a表示施主和受主浓度,则由电中性 相似文献
4.
萧继荣 《红外与毫米波学报》1984,3(4)
通常由饱和区的霍耳系数和电阻率计算P型HgCdTe样品的空穴浓度和迁移率: R=3π/8·1/ep, (1) σ=peμ_(ho) (2)对在液氮温度下工作的元件来说,77K的电学参数是很重要的。但是,在这一温度,有的样品还没有达到饱和,而是处于混合导电区,公式(1)、(2)不适用。弱场下的霍耳系数用R_0表示,零磁场下的电导率用σ表示,由一般的霍耳与电阻率测量,有 相似文献
1