红外光弹法研究硅单晶主应力分布

根据光弹原理,用自己组建的红外光弹测量系统,对硅单晶中的主应力σ_1和σ_2进行了定量测量。就金刚石结构的某些应用坐标系统,推导出应力弹光系数的张量形式,对硅单晶相对应力-光性系数作了估算。最后,采用剪应力差法,用微型计算机算出两个主应力沿近园形样片直径方向的分布。     

硅单晶应力自动检测系统

介绍了一种利用微型计算机自动采集和处理数据的硅单晶应力检测系统。该系统由红外光源、偏振元件、样品架、红外摄像机、电视监视器、专用I/O 接口以及微型计算机组成。用自己设计的软件对光弹图形进行处理,得到样片中各点的应力分布。     

硅晶片应力的红外光弹测量

本文介绍测量硅晶片应力的红外光弹系统及方法。对硅晶片进行了四点简支梁模型的加压实验,其应力测量的结果与理论计算的结果基本符合;并测量了某些半导体器件模拟工艺在硅片内引入的应力。     

硅晶片氧化应力的红外光弹性测量及研究

本文利用红外激光光弹性仪,采用光测弹性力学中的Senarmont补偿法,解决了硅晶片小数级条纹值定量测量问题.在考虑硅晶体光弹性效应各向异性的基础上,实测了(111)、(100)单晶硅片的原始应力及氧化应力.对硅晶片原始应力的产生与消除、氧化应力在硅中的分布、氧化应力与氧化层厚度的关系、氧化应力随时间的变化等进行了研究.     

硅晶体中离子注入应力的红外光弹性测量及研究

根据光弹性原理,利用红外光弹性测量系统,采用Senarmont补偿法,对离子注入工艺应力进行了测量。对离子注入工艺应力、退火后应力、应力的分布、应力随剂量和表面浓度的变化进行了研究。     

硅晶闸管烧结应力的红外光弹性研究

参考热弹性理论和复合材料层间应力理论，研究了Ｓｉ片Ａｌ箔／Ｍｏ片烧结后的层间应力及硅片中的应力，热膨性能不同引起的热应力成硅片中的中间和边缘区域分布情况不一样，推导出适用于边级区域的应力计算表达式，用红外光弹测量获得晶闸管烧结工艺制备样品的应力分布光弹图，理论能较好地解释实验结果。     

用红外光弹测量功率整流管工艺中的残余应力

利用红外光弹系统，采用森纳蒙特（Ｓｅｎａｒｍｏｎｔ）补偿法，对功率整流管制备过程中扩散和镀镍工艺所引入的残余应力进行了测量和讨论．获得扩硼铝、扩磷和镀镍硅片中的应力值，并给出了残余应力在硅衬底片中的分布图．