Te掺杂超宽带隙隧穿结研究

研究制备得到峰值电流密度为65.3A/cm2的GaInP/AlGaAs宽带隙隧穿结和峰值电流密度为6.1A/cm2的AlGaInP/AlGaAs超宽带隙隧穿结。在隧穿结中使用二乙基碲（DETe）作为n型掺杂剂,实验中研究了材料生长温度、阀门开关处理以及DETe的流量等生长参数。采用预掺杂和升温后处理的方式来解决碲源的开关效应,而Te掺杂引入的晶格失配采用应力平衡技术来消除。另外研究了不同DETe流量下制备得到的隧穿结性能。     

如何利用ILDA测试图来评价激光表演振镜的性能

1引言近年来,激光娱乐表演产业发展迅速,作为激光表演系统中的基础部件,振镜的研发和生产也是百花齐放,百家争鸣。但是,目前国内市场上的国产振镜可以说是鱼龙混杂,良莠不齐。出现这一现象的主要原因是很多振镜用户,特别是一些中小规模的激光灯生产商不知道如何来鉴别一套振镜的性     

主动式IT运维服务模式应用

企业信息化建设的不断深入,使计算机软硬件系统的运行维护工作变得非常重要,同时巨大的工作量使得企业内的信息部门不堪重负。文章从技术与管理层面定义了主动式IT运维概念,阐述了IT运维支撑平台功能及主动式运维管理的内容,指明了主动式IT运维的演进路径,并结合实际企业案例分析,表明主动式IT运维是未来运维发展的必然趋势,能够有效保障运维工作操作简便、管控有序,具有较好的应用价值。     

基于小波变换的图像融合方法

数据融合是80年代初形成与发展起来的一种信息综合处理技术。图像融合是数据融合在数字图像处理方面的一个应用。本文着重讨论了基于小波变换的两种融合方法：基于像素的融合方法与基于区域的融合方法，及它们各自的实现方式。     

A 2.05 eV AIGaInP sub-cell used in next generation solar cells

An Al0.13GalnP sub-cell used as the top cell in the next generation of high efficiency multi-junction solar cells is fabricated. An efficiency of 10.04% with 1457.3 mV in Voc and 11.9 mA/cm2 in Isc was obtained. QE comparison was carried out to verify the influence of an O-related defect introduced by the high Al-content materials on the cell performance during MOCVD growth. Hetero-structures are employed to confirm the origin of the decreasing short circuit current density compared to a GalnP single junction solar cell. An effective method to improve the performance of broadband solar cells by increasing Isc with a cost of Voc was proposed.     

Optimizing back surface field for improving Voc of(Al)GaInP solar cell

GaInP and AlGaInP solar cells were grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), and theoretical analysis demonstrated that hetero-interface recombination velocity plays an important role in the optimizing of cell performance, especially the interface between base layer and back surface field (BSF). Measurements including lattice-matched growth and pseudo-BSF were taken to optimize BSF design. Significant improvement of V_oc in GaInP and AlGaInP solar cells imply that the measures we took are effective and promising for performance improvement in the next generation high efficiency solar cells.     

应用于下一代太阳电池的2.05 eV AlGaInP 子电池研究

研制了应用于下一代高效多结太阳电池中的定电池的 Al0.13GaInP子电池,其实验室效率为10.04%,开路电压为1457.3mV,短路电流为11.9mA。使用量子效率来验证MOVPE生长过程中涉及高Al组分引起的O缺陷对电池性能的影响。相比GaInP单结电池,Al0.13GaInP电池的短路电流下降地较为厉害,实验中生长了GaInP/Al0.13GaInP异质结电池来分析其原因,因此也提出了以牺牲部分开路电压来提升短路电流的一种有效提升电池性能的方法。     

InGaAsP/InGaAs双结太阳电池的开路电压损耗抑制

现有1.0eV/0.75 eV InGaAsP/InGaAs双结太阳电池的开路电压小于各子电池的开路电压之和,鲜有研究探索开路电压损耗的来源以及如何抑制。通过研究发现,InGaAs底电池背场/基区界面处的少数载流子输运的主要机制是热离子发射,而不是缺陷诱导复合。SIMS测试表明,采用InP或InAlAs背场均不能有效抑制Zn掺杂剂的扩散。此外,由于生长过程中持续的高温热处理.,III-V族主元素在界面处发生了热扩散。为了抑制上述现象,提出了一种新型InP/InAlAs超晶格背场,并应用到InGaAs底电池中。制备得到的双结太阳电池在维持短路电流密度不变的情况下,开路电压提升到997.5 mV,与传统采用InP背场的双结太阳电池相比,开路电压损耗降低了30 mV。该研究成果对提升四结太阳电池的整体开路电压有重要意义。