用激光光声光谱方法研究半导体材料的掺杂浓度及电阻率特性

本文介绍用激光光声压电接收和光声微音接收联合系统,测量半导体不同掺杂浓度、电阻率及其对低剂最掺杂离子注入的硅样品测定的结果,并叙述掺杂浓度、电阻率在样品中分布洲试的情况。     

用于测量半导体材料氧含量的9.1μmCO_2激光器

测量半导体材料中氧含量的微区分布,需要9.1μm附近、基模、1W左右且支线稳定、结构紧凑的CO_2激光器。本文对这种激光器的设计方案进行了实验研究。     

CW CO_2激光退火后离子注入硅片的性质研究

当激光功率、束斑直径和硅片预热温度一定时,存在一临界扫描速度。当激光扫描速度小于此临界位时,CW CO_2激光退火具有和热退火相同的载流子浓度、方块电阻、折射率、消光系数和反射率,但激光退火后少子扩散长度要比热退火的大几倍。     

单晶硅的10.6μm光吸收系数与电阻率的关系

<正> 10.6μm的CO_2激光,对于一定电阻率范围的晶态硅,正处在载流子光吸收的强吸收区.利用输出光强高度稳定的CO_2激光器作为硅电阻率的无损检测工具,是比较理想的途径之一. 令光束正入射于上下表面为平行镜面、厚度为Z的硅晶体,若样品载流子浓度介于     

在10.6μm上硅单晶吸收系数与电阻率的关系

本文目的是确定半导体硅吸收系数α与电阻率ρ的关系,并以相应曲线作为校正曲线,用于硅的电阻率、杂质浓度及其分布的测定。我们用10.6μm CO_2激光测量硅样品的透射率T,由公式T=(1-R)~2e~(-αz)/1-R~2e~(-2αz)求得吸收系数α,通过定标曲线α-ρ确定硅单晶的电阻率ρ_0样品两面切成平行平面,研磨后抛光成光学平面。在本实验装置中10.6μm激光束适当地     

用复合腔调谐获得高功率CW CO_2激光谱线的研究

利用普通的玻璃基板光栅构成复合腔对CO_2激光器进行选频,在高增益情况下获得42瓦高功率定向定位输出.谱线数目视复合腔参数而定.本文介绍复合腔调谐的基本原理和实验结果.