双面抛光单晶硅片少子扩散长度的测量

本文改进了常规表面光电压测试少子扩散长度法,采用环形下电极消除了薄样品背面光电压信号对测量结果的影响;应用阻尼最小二乘法数据处理原理对实验数据进行“曲线拟合”,求出少子扩散长度和背面表面复合速度。本文讨论了该方法的测量范围。     

单轨双向运输方式信集闭系统的研究

对某矿井下运输监控系统的研究、设计和使用，总结了我国中小型煤矿单轨双向运输方式“信集闭”系统的特点和实施方案。对使用可编程序控制器的方案进行了分析。     

用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算

利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布.在适当的测量深度,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定,从而得到硅片中硼原子的深度分布.用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响.若探针针尖半径为r0,测量斜面的角度为ξ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时,可以近似认为深度分辨率为7.86r0sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响.     

用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量硅中注入硼的深度分布及扩展电阻探针技术分辨率的估算

利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响.     

磷砷镓铟禁带宽度的光电压光谱法测定

采用光电压光谱法测定InGaAsP/InP单异质结和双异质结外延材料的禁带宽度,为此材料和器件的研制提供了一种简便而有效的测试方法。     

SiO2中Na及Si中B的SIMS分析

ＳＩＭＳ对二氧化硅中钠离子有相当高的检测灵敏度，但其定量分析较为困难。在二氧化硅的ＳＩＭＳ图谱中，由一二氧化硅中的Ｎａ离子的计数和与“ＳｉＯ２”计数和之比正比于二氧化硅中的Ｎａ离子的平均体密度，因此中采用做过ＢＴ（温度偏压）实验的ＭＯＳ电容作为“标定”。因此用ＭＯＳ电容的ＢＴ实验也仅能求出可动钠离子的面密度，因此该方法仅能半定量地对二氧化硅中的Ｎａ离子进行估算。     

优质InAsSb/GaAs材料的MBE生长

研究了InAsSb/GaAs材料生长过程中,各种参数对材料质量的影响。优化了生长参数,获得了优质的InAsSb/GaAs材料。采用x射线双晶衍射、红外透射、霍耳测量等手段研究了材料的性能,并制作了光导红外探测器,探测率D可达3×10~9cmHz~(1/2)。W~(-1)。     

Al-SiO_2-Si(n)系统的电子辐照效应

本文研究了电子辐照和退火对Al-SiO_2-Si(n)系统的影响.结果表明,经电子辐照加适当退火处理的样品与未经辐照的样品相比,体内非平衡少数载流子复合寿命明显降低,但表层产生寿命却有所增加,而且平带电压、界面态密度和表面产生速度都略有降低.     

用光电压光谱法测定磷砷镓铟室温禁带宽度

光电压光谱法基于半导体材料的光生伏特效应。当单色光照射到半导体样品的表面或界面势垒区时,如果光子能量hv大于材料的禁带宽度E_g,光子就能激发出电子一空穴对;在势垒区空间电荷电场作用下,这些电子与空穴被置于势垒两侧,从而在被测样品的受光面和非受光面之间形成一定的电位差。当入射光光子能量hv小于材料的禁带宽度E_g时,就不     

晶体管发射结正向电容的测量及分析

晶体管发射结电容对晶体管的频率特性有很重要的影响 ,正确测量发射结正向偏压电容仍是很重要的课题。文中提出用交流测量和直流测量结合来测量晶体管发射结的正向偏压电容 ,分析了晶体管发射结正向电容随偏压的变化。文中还对大圆片测试图形中的晶体管进行了测试 ,估算了晶体管的正向渡越时间的范围 ,并得到晶体管发射结中等正向偏压以下的势垒电容。