基于遗传算法的静态逻辑拓扑设计

设计了一种遗传算法,在使用较短通路情况下实现了链路和节点的负载均衡. 在算法中采用了自然数编码、随机选取种群、简单的“双亲单子”交叉策略和固定的突变概率. 以美国国家自然科学基金网络为例进行了仿真. 对目标函数中的权值进行了讨论,分析了适应性函数值与遗传代数之间的关系,对种群选取范围与适应性函数之间的关系进行了验证.     

晶片表面几何特性对键合的影响

由最小能量原理导出的键合条件出发,利用线性薄板理论,在同一理论模型框架下,通过量度键合过程能否进行的弹性应变能累积率,分析了晶片表面的宏观尺度的弯曲和微观尺度的起伏对晶片键合的影响,并对所得结果进行了详细讨论．     

Ⅲ-Ⅴ族半导体晶片键合热应力分析

利用结构力学模型并且结合有限元方法,分析了InP/GaAs晶片键合时界面热应力的分布情况,理论分析结果和有限元结果一致,实验也证实了分析结果.最后详细讨论了减小晶片键合热应力的有关因素,对在热处理时提高晶片的键合质量提供一定的理论参考.     

GaAs/InP低温晶片键合的研究

将硫脲溶液用于GaAs/InP基材料低温晶片键合的表面处理工艺,实现了GaAs/InP基材料间简单、无毒性的低温(380 ℃)晶片键合.并通过界面形貌,解理后断裂面,键合强度及键合界面I-V特性对键合晶片进行了分析.     

纤锌矿结构GaAs(1010)表面特性的第一性原理研究

GaAs纳米线通常呈现纤锌矿结构(WZ),而WZ(1010)侧面已被实验所观测到。利用第一性原理计算了GaAs(1010)的表面弛豫和表面能,计算结果表明:(1010)A表面只出现原子的弛豫现象,表面能为40.6×1020meV/m2;而(1010)B表面却重构形成了GaGa和AsAs二聚体,表面能为63.5×1020meV/m2。相对于ZB(110)表面,WZ(1010)A面具有更低的表面能,(1010)A表面具有更好的稳定性,说明了在表面能占重要影响的纳米线中WZ结构存在的合理性。     

一种新型双吸收层光探测器的设计和分析

PIN光探测器是光纤通信系统和网络中的关键器件.量子效率和响应带宽是衡量光探测器性能的重要指标,并且这两个参数都与器件的吸收层密切相关.为了提高光探测器的性能,提出了一种新型双吸收层光探测器(即PINIP结构),利用侧腐蚀工艺减小双吸收层光探测器吸收层的结面积.对其性能进行了理论研究,结果表明该器件的量子效率达到了93％,同时响应带宽达到了26 GHz,比传统结构的双吸收层光探测器提高了44％.     

频谱资源利用的评价指标体系

频谱资源具有有限性、非消耗性、无边界性和易污染性,是一种不具备有形实体的资源。频谱资源的用途多样,涉及国防、公共服务等领域,这些特点使得对频谱资源的利用评价不同于土地和水资源等有形资源,不仅要考虑资源本身特点,同时必须结合技术与经济、现实与发展,从多个角度客观、可量化地评价频谱资源的利用情况。参考国内外研究成果,总结建立频谱资源利用指标体系的原则有四项:覆盖性、特征性、可比性、导向性。指标体     

课题简介

工信部为贯彻落实党的十八届三中全会关于全面深化改革的战略部署,围绕2014年全国工业和信息化工作会议总体要求,在2014年年初以通信软科学研究形式,从重大产业决策、行业转型发展、新兴技术走向、监管体系完善四个方面公开征集研究课题。宁波市无线电管理局与北京邮电大学从研究产业重大发展问题和行业监管热点问题出发,提出"现代市场体系下频谱资源利用的评价指标研究"课题,期望从频谱资源市     

双氰甲基苯基氧化膦的合成与表征

以苯基二氯化膦和溴乙腈为原料,锌粉为催化剂通过Reformatsky及氧化反应合成了双氰甲基苯基氧化膦,采用红外光谱、质谱、核磁共振对结构进行了表征,并对产品进行了热重分析.热分析表明,目标产物具有较高的热稳定性.     

InP/InGaAs HBT高频放大器稳定性分析

根据异质结双极晶体管(HBT)的实际结构提出高频小信号电路模型,以此模型用于共射放大电路为出发点,从理论上阐明了高频放大电路产生不稳定的原因,分析了端接电阻的稳定方法,借助matlab快速确定出稳定电阻的取值范围,其理论计算与仿真有很好的一致.