VHF-PECVD制备微晶硅材料的均匀性及其结构特性的分析

采用VHF-PECVD技术在多功能系统(cluster tool)中制备了系列硅薄膜，研究薄膜的均匀性及电学特性和结构特性。结果表明：气压和功率的合理匹配对薄膜的均匀性有很大的影响；材料的喇曼测试和电学测试结果表明微晶硅薄膜存在着纵向的结构不均匀，在将材料应用于器件上时，必须要考虑优化合适的工艺条件；硅烷浓度大，相应制备薄膜的晶化程度减弱，即薄膜中非晶成分增多。     

无触点开关在电炉控制线路中的应用

在节能技术改造中,为了彻底解决热处理电炉大容量交流接触器线圈和触点浪费电的问题,并消除噪声,实现无声运行,我们在热处理电炉控制线路的设计上进行了探讨。从热处理电炉的结构和运行特点可知,这类设备基本上属于电阻性负载,在送电和停电的瞬间不产生大的冲击电流,在运行中对电压没有可调的要求,只有送电和断电两种状态。针对以上特点运用晶闸管交流开关的基本原理,设计了一套适用于热理电炉的晶闸管无触点开关控制线路。即用两个普     

北部引嫩工程对区域经济的影响

北部引嫩工程对区域的发展起到了重要的支撑作用,特别是对大庆油田石油化工生产作用巨大。为沿途市县农业生产提供了优质可靠的水源保证。     

北部引嫩工程供水水价测算

供水水价直接关系企事业自身发展,文章对黑龙江省北部引嫩工程为大庆石油分公司供水,阐明了调整水价必要性、依据、方法。     

多种支护在一个深基坑工程中的运用

介绍了广州地铁三号线林和西站南端基坑支护设计．探讨多种支护在同一个深基坑中工程的运用。     

资料搜集过程中搜索引擎合理化选择探讨

众所周知,我们处在一个信息爆炸的年代,信息、知识日新月异,面对如此海量的信息资源,我们应该如何从中选取出我们所需要的资料,成了我们必须考虑的重要问题.搜索引擎的出现,让这一切迎刃而解.借助它,我们可以有效搜集我们所需要的资料,从而不断提高学习和工作效率.     

薄膜太阳电池用改进型绒面结构MOCVD-ZnO:B透明导电薄膜研究

利用低压MOCVD技术在玻璃衬底上生长了改进型绒面结构ZnO:B薄膜。改进型ZnO:B薄膜包含两层薄膜,第一层采用传统工艺技术生长了类金字塔状晶粒,第二层借助相对低温生长技术获得了类球状晶粒。典型的双层生长技术获得的MOCVD-ZnO:B薄膜具有相对高的电子迁移率~27.6 cm2/Vs,主要归因于提高了晶界质量,减少了缺陷态。随着第二层修饰层厚度的增加,MOCVD-ZnO:B薄膜的绒度提高,而光学透过率有所下降。相比于传统工艺生长的ZnO薄膜,双层结构的MOCVD-ZnO:B薄膜应用于硅基薄膜太阳电池展现了较高的太阳电池转化效率。     

微晶硅薄膜太阳电池中孵化层研究

对甚高频等离子体增强化学气相沉积技术制备的微晶硅薄膜太阳电池进行了研究.喇曼测试结果显示:微晶硅薄膜太阳电池在p/i界面存在着一定的非晶孵化层.孵化层的厚度随硅烷浓度的增加或辉光功率的降低而增大.可以通过适当的硅烷浓度或适当的辉光功率来降低孵化层的厚度.     

过渡区p层在高速沉积非晶硅薄膜电池中的应用

研究了采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术沉积从微晶相向非晶相相变的过渡区p层,并将其作为电池的窗口层应用到高速沉积的非晶硅薄膜电池中。通过调整p层的沉积参数,获得不同p层的暗电导率从1.0E-8S/cm变化到1.0E-1S/cm,并获得了从微晶相向非晶相转变的过渡区p层。实验发现,电池的开路电压Voc随p层SiH4浓度的增加先增加后降低,当p层处在过渡区时达到最大;p层处在过渡区时电池的短路电流Isc和填充因子FF都得到了不同程度的提高。在p/i界面引入buffer层后,能进一步显著提高电池的FF和Voc。在过渡区p层作为电池窗口层,没有背反射电极,本征层沉积速率为1.5nm/s情况下获得效率达8.65%(Voc=0.89V,Jsc=12.90mA/cm2,FF=0.753)的高速非晶硅薄膜电池。比较了过渡区P层与P-a-SiC:H分别作为电池窗口层对于电池性能特别是FF的影响,由于存在结构演变的原因,FF对于过渡区P层厚度的依赖大于后者。     

硅烷浓度对本征微晶硅材料的影响

利用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术沉积微晶硅材料.随硅烷浓度的降低,材料晶化率增加,材料的光学带隙在1.5～1.65eV之间,材料的电导率先增加后减小.采用光发射谱测量技术对辉光进行在线测量,研究沉积条件对VHF等离子体和微晶硅材料特性的影响.实验表明,等离子中的SiH*和H*α对微晶硅材料特性有重要的影响,硅烷浓度为2%～4%时,等离子体中H*α/SiH*的比值处于0.6～0.9,可以得到晶化率在40%～55%的微晶硅材料.