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1.
用有效折射率法 ,采用近轴近似和波导模场分布的高斯近似 ,简化了阵列波导光栅( AWG)器件的设计过程中繁杂的计算 ,且保证了器件的性能指标 .给出了设计思路 ,并给出了 1× 8路、中心波长为 1 550 .9nm,波长间隔为 1 .6nm的 AWG波分复用 /解复用器的设计实例  相似文献
2.
Ag含量对Sn-Zn-Ag无铅钎料腐蚀性能的影响   总被引:7,自引:1,他引:6  
在Sn-Zn共晶钎料中加入不同含量的Ag元素制成Sn-9Zn-xAg无铅钎料,利用失重法、扫描电镜的腐蚀形貌观察以及EDS成分分析,分析了Sn-9Zn-xAg无铅钎料在3%NaCl溶液浸泡腐蚀情况下的腐蚀行为,并与Sn-Pb以及Sn-Zn钎料进行比较.结果表明:随着Ag含量的增加,钎料合金的抗腐蚀性能有所提高.  相似文献
3.
基于顺序形态学的图像边缘检测快速算法的研究   总被引:6,自引:2,他引:4       下载免费PDF全文
赵继印  徐艳蕾  焦玉斌 《电子学报》2008,36(11):2195-2199
 图像边缘检测是图像处理的关键技术,边缘检测的结果直接决定了后续图像处理的性能.数字图像的边缘检测主要要求就是边缘定位准确,运算速度快.以此要求为依据,本文在深入研究了数学形态学和顺序形态学的基础上,提出了一种基于顺序形态学的优化边缘检测算法,该算法能够快速准确的提取图像的边缘,对于尺寸较大的图像效果尤为明显.通过仿真实验表明该算法是一种准确快速的边缘检测方法.  相似文献
4.
低成本CMOS阵列式高速成像系统   总被引:5,自引:1,他引:4  
高速摄像是研究瞬间发生的物理和化学现象的重要手段之一.针对碰撞过程,提出了应用低成本CMOS阵列式成像传感器构建高速摄像系统.成像阵列由16个可更换的CMOS单元组成,接在主板上.为了进行同步控制,实验研究了CMOS传感器的工作时序;通过延时器,使阵列式火花源分时闪光,并在CMOS快门打开的时间段内完成.实验表明,该系统可以实现对碰撞等瞬间发生过程的拍摄,为相关研究提供基础.  相似文献
5.
Arrayed-Waveguide Layout for AWG Design   总被引:5,自引:3,他引:2       下载免费PDF全文
Theopticalwavelengthdivisionmultiplexing(WDM)networksystemisveryattrac-tiveinincreasingthetransmissioncapacitya...  相似文献
6.
大鼠侧脑室及其脉络丛室管膜上皮的超微结构观察   总被引:5,自引:2,他引:3  
采用扫描和透射电子显微镜研究大鼠侧脑室及其脉络丛室管膜上皮的超微结构特征,并探讨其功能。扫描电镜观察结果:侧脑室壁室管膜上皮细胞游离端呈不规则多边形,可见纤毛及微绒毛,偶见分泌泡,脉络丛上皮细胞游离端微绒毛及分泌泡丰富,纤毛光见,可见、丛上细胞”。透射电镜观察发现,侧脑室壁及脉络丛上皮均由单层立方上皮组成,但二类上皮细胞的超微结构明显有别,室管膜上皮表面可见纤毛及微绒毛,分泌泡少见,脉络丛上皮游离端微绒毛丰富,常吻合成迷路样网,微绒毛的顶端膨大,形成微顶浆分泌小泡,胞浆内细胞器丰富,大鼠侧脑室壁及脉络丛上皮超微结构的差异反映二者功能的不同,本研究认为侧脑室脑脊液分泌的主要部位是脉络丛,其分泌的方式除脉络丛上皮细胞的主动运输功能外,可能微顶浆分泌法是侧脑室脑脊液形成的主要方式。  相似文献
7.
J2EE架构下的电信网管系统   总被引:4,自引:0,他引:4  
刘立卫  严磊 《电信科学》2003,19(5):31-33
本首先概述了网管系统功能及其中的一个相对独立的功能子集,并将其视为一个假想系统,然后给出了传统模式下的系统结构,并指出了其缺陷,最后给出了该假想系统在J2EE架构下的实现,并讨论了其优缺点。  相似文献
8.
激光波前功率谱密度与焦斑旁瓣的关系   总被引:4,自引:1,他引:3  
基于波前功率谱密度(PSD)的定义,分析了采用功率谱密度方法研究中频波前畸变与焦斑旁瓣关系的可行性。由于任意形状的波前畸变都可以由不同空间频率的正弦函数叠加组成,以正弦函数波前为例进行功率谱密度分析和远场分析。分析表明,当中频波前畸变的幅度满足一定条件时,远场二级以上的衍射非常低,可以忽略不计,此时波前功率谱密度与焦斑旁瓣具有非常好的相似性,并且这种相似性仅与中频波前畸变的幅度有关,与空间频率无关。最后还用数值模拟的方法验证了这个结论对叠加后的结果仍然成立。研究结果可以用于设计满足惯性约束聚变(ICF)驱动器打靶对焦斑旁瓣要求的光学元件中频段波前畸变指标。  相似文献
9.
新型不挥发非破坏性读出铁电存储器(MFS)   总被引:3,自引:0,他引:3  
长期以来,人们认为铁电场效应管是单晶体管、不挥发、非破坏性读出存储器的基本结构。铁电场效应管的基本结构为金属/铁电/半导体(MFS)结构。MFS存储器与其它不挥发性存储器相比在数据传输速率、疲劳特性和工作电压等方面有更大的优点。本论文简单地论述了MFS存储器的结构、工作原理和制备方法。  相似文献
10.
基于单片LCoS四基色时序彩色显示的模拟   总被引:3,自引:3,他引:0  
在单片LCoS显示器件实现时序彩色显示的基础上,分析了如何在单片LCoS显示器件上实现四基色显示;采用三基色到四基色转换的一种矩阵转换算法,提出了通过该算法在现有的硬件基础上实现三基色到四基色转换的方法;并列出了一组由VHDL硬件语言模拟得到的转化结果的数据,来证实能在硬件上转化的正确性;提出了采用功能更强大的可编程逻辑器件EP1C20F400C6,来提高三基色到四基色转换的速度和精度。  相似文献
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