基于等效采样的超宽带窄脉冲接收电路设计

超宽带探地雷达在无损检测系统中得到越来越广泛的应用，接收电路是整个无损检测技术的关键，采用顺序等效采样技术设计了一款新型的窄脉冲接收电路，该电路可以利用低速Ａ/Ｄ实现对高频信号的等效采样，利用ADS对该电路进行仿真，输入10ＭＨｚ重复频率的2ｎｓ 三角波信号，采样脉冲带有100ｐｓ的步进延时方波信号对输入信号进行采样，输入信号经过该电路后脉冲宽度降低为2μｓ，频率降低了1000倍，实测结果显示该电路可以实现对输入信号的等效采样，输出信号频率降低了 200倍。     

B2O3-K2O-Sb2O3系统玻璃的光学折射率及带隙

高折射率和非线性光学玻璃可以用于高速光开关、光学存储器、新型光纤和光学运算元件等，其研究受到各国科技工作者的高度重视，本文采用熔融淬冷法制备了组成为(85-x)B₂O₃-15K₂O-xSb₂O₃(x=70, 75, 80, 85)的4组玻璃，测试了玻璃样品的密度、折射率、热学性能、拉曼光谱和吸收光谱，利用玻璃样品的吸收光谱计算了其直接允许光学带隙、间接允许光学带隙及Urbach能量。结果表明：随着Sb₂O₃含量的增加，玻璃样品的密度从4.445g/cm³逐渐增加到4.767g/cm³，折射率从1.9438增加到2.0058，玻璃转变温度从291℃降低到260℃，玻璃析晶温度从463℃降低到370℃，直接光学带隙从3.2775eV降低到3.1379eV，间接光学带隙从3.1444eV降低到3.0256eV，Urbach能量从0.137eV逐渐减小到0.107eV。说明Sb₂O₃-K₂O-B₂O₃系统玻璃可以作为新型的非线性光学玻璃候选材料之一。     

不同结构石墨烯发声器的热声效率

为了研究不同石墨烯发声器结构对热声效率的影响,建立了石墨烯发声器的声压解析模型,对单层石墨烯发声器、多层石墨烯发声器以及镍铬基的泡沫石墨烯发声器的发声效率进行了理论与实验研究。首先,介绍了石墨烯发声器的工作原理,建立了石墨烯发声器的周期性温度变化模型和声压解析模型。然后,实验研究了单层石墨烯发声器、多层石墨烯发声器以及镍铬基的泡沫石墨烯发声器的热声效率。实验结果表明在14~25 kHz内,施加6 V交流电,测距为6 cm的条件下,单层、多层和泡沫石墨烯发声器的最高SPL分别为35.19,20.36和33.42 dB,SPL理论值最高约为37.45 dB。具有较低电阻,较低比热容,较高导热率的石墨烯发声器可以获得较高的热声效率和声压。     

基于机器视觉的AOI图像采集系统设计

利用AOI(Automated Optical Inspection)设备对PCB(Printed Circuit Board)板的缺陷进行检测时,获取质量良好的图片是至关重要的。该系统采用的图像采集系统包含线扫相机、卤素灯、步进电机、运动控制板卡、图像采集板卡等设备。为了保证该系统在不同解析度下都可以拍摄到高质量的图片,相机、镜头和光源的位置计算需要十分精准。实验证明了该系统的可行性和实用性。     

锂离子电池Si@G负极材料的制备及性能研究

采用化学气相沉积法,制备了石墨烯厚度可控的硅@石墨烯核壳结构复合材料。通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜和恒电流充放电等表征,研究了石墨烯厚度对复合材料形貌、结构以及电化学性能的影响。研究结果表明:更厚的石墨烯壳层,虽然会降低复合材料的比容量和首次库仑效率,但是可以显著提高电化学稳定性。当石墨烯壳层约为12 nm厚时,40次循环后充电比容量达到1 069.8 m Ah/g,循环保持率为81.2%,而纯Si样品仅为23.5%。这归因于石墨烯对硅体积效应的缓冲及其优异的导电性能。     

基于HMC833LP6GE频率源设计

本文介绍了一种杂散小、相位噪声好、频率调整步进小以及高稳定度的频率合成器的设计方法,选用了ADI公司的HMC833锁相环芯片进行频率源设计. 频率源在现代通信中是重要组成的部分.其模块的指标直接影响到整个系统的性能.许多人对高性能的频率源,做了深入研究,本文应用ADI公司的HMC833LP6GE芯片,设计出了高性能、高稳定度和高精度的本振源.     

基于人工局域表面等离激元的液晶微波介电常数测量传感器

液晶材料在微波频段具有良好的调制特性，在微波可调谐器件领域具有巨大的应用潜力。本文针对液晶材料微波介电常数的测量需求，提出了一种基于人工局域表面等离激元谐振的传感器。通过设计环形谐振器结构，在sub-6 GHz频段形成局域表面等离激元窄带谐振峰。通过给液晶施加外加电场，能够实现对液晶介电常数的调控。通过谐振频点位置的拟合，能够得到对应的液晶的介电常数大小，从而实现液晶材料在微波频段的介电常数的测量。本文研究了不同液晶层厚度、不同液晶介电常数对人工局域表面等离激元谐振频点的影响。随着液晶层厚度增加或者液晶介电常数的减小，谐振频点f₁和f₂都逐渐增大。当液晶层厚度大于或等于0.5 mm时，谐振频点f₁和f₂随介电常数的变化具有良好的线性度，且具有高灵敏度(>400 MHz/Δε)，远大于基于目前报道的其他形式介电常数传感器。同时，本传感器结构可以在液晶层上下施加电场，从而实现在不同外加电场作用下液晶材料微波介电常数的测量，在液晶微波特性研究领域具有应用潜力。