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1.
反应气体中添加体积分数0.001%的N2,研究CVD金刚石PL(photoluminescence spectroscopy,PL)光谱发现,与N杂质相关的[NV]0与[NV]-和与Si杂质相关的[SiV]是金刚石中的主要杂质缺陷。经过高温高压(high temperature and high pressure,HPHT)处理后,[NV]0峰的强度被削弱,[NV]-峰的强度被增强,[SiV]峰的强度被显著增强,并新出现了[SiV]-宽峰。反应气体中N2体积分数降至0.000 1%并添加0.5%的O2后,[NV]0与[NV]-峰消失,O2升高至1%后[SiV]峰强度出现了明显降低,继续升高O2含量,[SiV]峰强度下降趋势变缓,这些现象证明了添加少量O2有助于CVD金刚石中N和Si杂质缺陷的抑制与消除。 相似文献
2.
在响应低碳环保生活的“地球一小时”熄灯时间里,陪伴小编的恰好也是以绿色环保为主题的手机——索爱“绿心(GreenHeart)”手机J10和它的挛生兄弟J20。这两款手机的材料均可分解回收,不含有害化学物质,有助减小环境污染,另外还采用了更加环保的涂层和更高效的充电器。 相似文献
3.
采用吸收光谱、电子顺磁共振谱和光致发光谱对掺Ce多组分硅酸盐玻璃K509在10 MeV电子辐照下的色心动力学进行了研究。结果表明, 电子辐照引起K509玻璃可见光透过率降低的色心类型为非桥氧空穴色心HC1和HC2。在剂量率一定的情况下, 色心浓度随总剂量的增大呈指数函数增大; 在总剂量一定的情况下, 色心浓度随剂量率增大呈指数函数减小。Ce3+荧光强度的变化表明辐照过程中Ce3+浓度与辐照总剂量负相关, 与辐照剂量率正相关, 验证了掺Ce玻璃耐辐照机理: Ce3+吸收辐照产生的空穴从而抑制空穴色心HC1和HC2的形成, 且不引入额外的可见光波段吸收。通过对Ce3+宽带荧光峰进行高斯拟合, 得到了K509中Ce3+能级结构图。 相似文献
4.
5.
ZnO含量对Tb3+掺杂ZnO-B2O3-SiO2玻璃余辉性能及光致变色的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
选择制备了Tb3+掺杂的不同ZnO含量、组成为xZnO- [(100-x)/2]B2O3-[(100-x)/2]SiO2(x=55,60, 65,70)的ZBS玻璃.并通过光致发光光谱、余辉衰减曲线、热释光谱以及紫外-可见吸收光谱系统地研究了该玻璃系统的余辉发光特性和光致变色现象.随着ZnO含量的增加,基质玻璃中Tb3+的5D4→7F5跃迁对应的余辉发光强度增大、其寿命变长.热释光谱表明ZnO含量的提高没有形成新的陷阱,而是增加了陷阱的浓度导致余辉寿命增长.光致变色实验发现:不同样品在紫外照射后其变色程度随ZnO含量增加而增加.玻璃的变色主要由色心引起,本研究中ZnO含量的增加使玻璃基质中Zn离子相关的氧空位浓度增大,从而在紫外光照射后,具有不同陷阱能级深度的色心浓度也相应增加,最终导致了所观察到的余辉特性和光致变色特性的变化结果.另外,通过对不同温度热处理后样品的透过率变化实验分析认为,陷阱能级浅的色心对长余辉有贡献,能级深的将稳定存在于基质中,并对光致变色有较大贡献. 相似文献
6.
在用K附加着色时掺入适量的锂卤化物,可同时进行着色和掺杂。通过调整气体压力、着色温度、恒温时间及锂卤化物和钾的用量;可改变样品中杂质锂的含量。用原子吸收法分析其中锂的最高含量可达200ppm。 相似文献
7.
α-Al_2O_3晶体的色心 总被引:4,自引:1,他引:3
用中子辐照的方法使α-Al_2O_3单晶体着色,观察其对光的吸收以分析晶体里存在的色心,研究中子辐照剂量和热处理对晶体色心的影响,并测得了有关色心的发光光谱. 相似文献
8.
利用自行搭建的实验平台,测试了高纯MgO晶体和Sc掺杂MgO晶体的紫外光光致发光(PL)光谱,发射峰值分别位于389.31、498.61nm、712.44和749.06nm,其可见光发射区和红外发射区主要对应于MgO晶体中由O空位构成的F色心和F+色心通过激发和退激发机制发射;在不同温度退火条件下测试Sc掺杂MgO晶体的PL光谱,并利用高斯分解实现了Sc掺杂MgO晶体中F色心和F+色心的定位。结果表明,高温退火处理可以有效降低MgO晶体表面的污染,进而提高晶体的光电活性;Sc掺杂导致MgO晶体可见光发射区域的蓝移和增强,其中F+色心对于温度的依赖性较强。 相似文献
9.
10.
γ射线辐照玻璃着色的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
陈如燕 《辐射研究与辐射工艺学报》1986,(4)
本文叙述了对两种硅酸盐玻璃、光学玻璃和天然水晶,经~(60)Coγ射线辐照后,着色现象的观测,比较了辐照玻璃的光吸收谱和色心热稳定性能;最后,分析了对不同类型的玻璃,由辐照所产生的色心类型。 相似文献