室温固相反应制备纳米Co3O4粉体

以硝酸钴和碳酸氢铵为原料，采用室温固相反应首先制备出前驱物碱式碳酸钴，然后将前驱物在250℃分解3h，得到纳米四氧化三钴，用X射线粉末衍射、透射电镜、热分析仪、扫描电镜对产物的组成、大小、形貌及有关性质进行了表征。结果表明获得了平均粒径在13nm，分布均匀、无团聚的纳米粉体。  

原生药材微粉化制剂对药效作用的影响

采用超细粉碎技术对原生药材进行微粉化制成的糖泰胶囊和芩连胶囊 ,经动物实验证明 ,与传统粉碎技术制备的制剂比较可明显提高药效学活性  

离子束增强沉积形成梯度薄膜

在金属衬底（Ａｌ，钢，铝－碳纤维），Ｎｉ３Ａｌ）上用离子束增强沉积形成氮硅化物的梯度薄膜。在薄膜的一侧有很高的电阻（１０＾７Ω），而在另一侧电阻很低（１Ω），在绝缘层和导电层之间电阻呈梯度变化，对梯度薄膜组分，硬度，附着力，疲劳寿命，抗腐蚀能力和抗高经性能进行了测试和分析。  

TiB2超硬薄膜的合成及性能

采用离子束溅射方法制备了ＴｉＢ２硬质薄膜，ＡＦＭ观察表明薄膜表面非常光谱，ＡＥＳ、ＸＲＤ和ＸＰＳ分析证明薄膜中主要是Ｂ、Ｔｉ比为１．８，六方结构的ＴｉＢ２多晶体、且呈现强烈的（１０１）择优取向，由超显微压痕测量系统测得的加载、卸载曲线计算得到的薄膜的显微硬度比高达４８ＧＰａ  

类金刚石薄膜作为阴极阵列的场发射显示器研制

采用真空磁过滤弧沉积（FAD）的方法制备的金刚石（DLC）薄膜具有良好的场发射性能。通过离子束技术和微细加工技术可以实现DLC薄膜的图形化并能大大提高薄膜的场发射性能。测试表明，DLC薄膜孔洞阵列具有很好的电子场发射性能，阈值电场达到了2.1V/μm，当场强为14.3V/μm时，电流密度达到了1.23mA/cm^2。利用图形化的DLC薄膜作为阴极，设计和制作了矩阵选址单色场发射显示器（FED）样管。  

离子束薄膜合成及其应用

报道了科学院离子束开放研究实验室在离子束薄膜合成研究和应用方面的发展和现状。着重介绍离子束辅助沉积薄合成、真空磁过滤弧源沉积薄膜生长，以及离子注入SOI材料合成的方法及其物理过程，同时也对离子束合成薄膜在工业及国防上的应用进行了探讨。  

有机发光器件的低温氮化硅薄膜封装

利用等离子体化学气相沉积(PECVD)技术，采用不同的沉积条件(20—180℃的基板温度范围和10—30W的射频功率)制备了氮化硅薄膜，研究了沉积条件对氮化硅薄膜性质和防水性能的影响。实验发现随着基板温度的增加，氮化硅薄膜的密度、折射率和Si／N比相应增加，而沉积速率和H含量相应减少；随着射频功率的增加，氮化硅薄膜的沉积速率、密度、折射率和Si／N比相应增加，而H含量相应减少。水汽渗透实验发现即使基板温度降低为50℃，所沉积的氮化硅薄膜仍然具有良好的防水性能。实验结果表明低温氮化硅薄膜可以有效地应用于有机发光器件（OLED)的封装。  

非晶金刚石薄膜的制备及其性能研究

本文利用一种新的等离子体沉积技术－真空磁过滤弧沉积制备得到一种无氢的非晶碳膜。ＥＥＬＳ分析表明，这种非晶碳膜几乎不含有ｓ０＾２和ｓｐ杂化键，呈现出高度的金刚石特征，以致可以被称为非晶金刚石膜。  

醚/酯复合内给电子体Ziegler-Natta催化剂对丁烯-1聚合的影响

制备了5种含有不同内给电子体(乙二醇二甲醚,邻苯二甲酸二丁酯和三种二者不同比例复合内给电子体)的Mg-Cl2负载型丁烯-1聚合Ziegler-Natta(Z-N)催化剂,研究了复合和单一给电子体催化剂的相关性能。结果表明,复合内给电子体催化剂的活性有很大提高,对聚丁烯-1等规度影响较小;加入外给电子体后明显提高了聚合产物的等规度(由55.9%增加到84.5%),而且环己基甲基二甲氧基硅烷(CHMMS)更有利于等规度的提高;Al(i-Bu)3有利于聚丁烯-1等规度的提高,而AlEt3有利于催化活性的提高;复合内给电子体催化剂使聚丁烯-1的分子质量增大。  

表面覆铪改善碳纳米管膜发射性能

研究了表面沉积铪膜并进行后处理对碳纳米管膜场电子发射性能的影响.研究结果表明在适当的退火温度下碳纳米管表面形成了碳化铪,并显著提高了碳纳米管的发射电流密度、发射均匀性和发射稳定性.我们认为碳纳米管表面发射性能的提高归功于表面碳化铪膜良好的导电性、化学惰性和低逸出功.