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1.
2.
主要研究了少量掺铁对NiMnGa铁磁性形状记忆合金的相变行为和显微组织的影响.透射电镜结果表明1%(原子分数)Fe元素的加入并不会改变基体NiMnGa合金的显微结构,母相仍为L21有序结构,马氏体为7M马氏体,其亚结构为孪晶.DSC结果表明在马氏体逆相变发生前存在一个预相变,这在NiM1nGa系合金中还是第一次发现.研究表明掺铁NiMnGa合金仍然具有良好的磁性能.  相似文献   
3.
4.
目前,许多棉纺厂所用的A002D型抓棉机吸铁磁辊为后缀圆柱型永久磁铁,虽然其吸铁磁性较强,但对于较长及不规则型铁丝头吸附后复脱的几率较大,铁丝头以外的其它铁杂复脱率亦较大,其根本原因在于吸附在磁辊上的铁杂易被较大棉块擦掉,也容易出现火警.  相似文献   
5.
贾慧明 《冶金分析》2004,24(Z2):594-597
利用电磁原理进行无损检测的方法在铁磁性金属材料的探伤中得到广泛应用.本文介绍了应用永久磁铁、电磁铁所形成的几种外加磁化场的特点,及其适用于不同检测要求的优化设计及合理使用的一般原则.  相似文献   
6.
7.
ZnO稀磁半导体是目前最有希望集成到传统半导体中的一种新型材料,具有室温铁磁性能的ZnO稀磁半导体不仅可以大幅减小电子元器件的体积、提高集成密度,而且在传输效率上也有非常大的提升。目前,具有室温铁磁性能的ZnO稀磁半导体的制备方法可重复性差,且其磁性来源尚无统一理论解释。为了梳理不同实验方法制备出的ZnO稀磁半导体磁性能及其来源,本文对近10年来纯ZnO和Mn、Co单元素掺杂ZnO以及Mn、Co双元素共掺杂ZnO的制备方法、磁性能及磁性来源研究进行了综述,并认为:在制备过程中掺杂过渡金属离子对提升ZnO稀磁半导体室温铁磁性能有明显效果;在较低含量的Mn、Co掺杂ZnO体系中,可实现较稳定的室温铁磁性;要更好地理解磁性来源,必须从原子尺度通过理论计算与实验相结合的方式进行探索。  相似文献   
8.
张渊博 《河南化工》2021,38(9):53-54
对脉冲涡流现场检测进行了分析.通过对运行中有包覆层(内有铁磁性夹杂物)的管道、有包覆层(无铁磁性夹杂物)和裸管进行检测对比,并对检测标定部位进行讨论.介绍了脉冲涡流检测的工作原理、检测注意事项、检测结果如何保证精确度等问题.在有铁磁性干扰下脉冲涡流腐蚀扫查存在误差,脉冲涡流具有较高的灵活性,配合超声测厚可达到较高准确性.  相似文献   
9.
采用溶胶-凝胶法制备了不同粒径的纯净单相钙钛矿型BiFeO3纳米微粒. X射线衍射分析表明,BiFeO3纳米微粒仍为菱方结构,但晶格畸变随颗粒尺寸的减小而增大. 磁测量显示,BiFeO3纳米微粒具有明显弱铁磁性,且弱铁磁性随温度升高显著降低. 弱铁磁性的自发磁化强度随温度升高呈线性下降,磁化强度和磁化率均随颗粒尺寸的减小而增大. 穆斯堡尔谱分析揭示,颗粒愈小,自旋倾角愈大,其分布也愈宽. 从纳米微粒小尺寸效应和表面效应入手,讨论了BiFeO3纳米微粒结构与磁结构和弱铁磁性的关系.  相似文献   
10.
文章采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法,结合广义梯度近似计算了Cu掺杂AlN的晶格常数、能带结构、电子态密度、铁磁态和反铁磁态的总能量,并通过平均场近似的海森堡模型估算了居里温度Tc。结果表明,Cu掺杂体系的能带结构呈现半金属性,半金属能隙为0.442eV。铁磁性是Cu原子的3d态与其最近邻的N原子的2p态通过p-d杂化作用而稳定的。当两个Cu原子相距最远且自旋平行排列时,体系具有最低的能量,估算出此时的居里温度高于室温,因此Cu掺杂AlN有望作为稀磁半导体材料。  相似文献   
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