单片InGaAs／InP PIN PD阵列

文章简要地介绍了ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＰ ＰＩＮ ＰＤ阵列的制作现状及其应用和发展趋势。     

InGaAs MSM—PD及其与FET单片集成的进展

本文简要报道了具有势垒加强层的长波长InGaAs MSM-PD和单片集成MSM-PD/FET的进展。本文认为采用高阻掺Fe-InGaAs势垒加强层是有效和简单的,因为它兼有势垒加强和介于MSM-PD与FET结构之间的电隔离作用。     

石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质

本文报导用石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质。在氢中含氧量为0.12×10~(-6)的条件下,获得的较好生长层的电学参数为μ_(77)~K=9.41×10~4～1.22×10~5厘米~2/伏·秒,n_(77)K=3.77×10~(13)～4.53×10~(14)厘米~(-3)。另外,研究了系统漏气及氢中含氧量对浅施主浓度N_D、熔融KOH腐蚀坑密度和生长层表面氧化膜的影响以及这些参数间的相互关系。 根据生长层的电学性质,计算了室温迁移率的计算值与实测值之差Δμ300K。发现,后者随N_D增加而降低,恰与前一文报导的用石英舟液相外延的情况相反。由此推测,在本文实验条件下,迁移率刽子手的本性也与前文有所不同,而以碳或碳化物较为可能。     

含砷矿物富氧氰化提金工艺

广东省莲花山矿钨精选尾砂是一种合高砷的多金属硫化矿.按目前矿山的生产能力,每年可排放这种尾砂近万吨.国内对于这种含多种有价元素的尾砂,除少数厂矿进行回收而外,绝大多数厂矿对这种资源的综合利用或未予重视,或因提不出较为满意的流程而废弃.我们在探索性试验的基础上,采用全湿法流程分二步处理该种矿物获得了成功.即先用氧压—盐酸浸出法从钨尾砂中优先提取钴、镍、铜;然后再用富氧氰化法从渣中提金.前者已通过了评议,推荐扩试,后者也获得了好的结果,准备申请扩试.     

InP系波导和光电探测器单片集成

本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ．     

LPE GaAs生长条件对外延层补偿度的影响

本文研究了 LPE GaAs 生长条件对外延层补偿度的影响。根据实验结果,指出衬底表面受热缺砷是形成 Si_(As)受主的原因。