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本文报导用石墨舟液相外延纯度砷化镓材料的电学性质。在氢中含氧量为0.12×10~(-6)的条件下,获得的较好生长层的电学参数为μ_(77)~K=9.41×10~4～1.22×10~5厘米~2/伏·秒,n_(77)K=3.77×10~(13)～4.53×10~(14)厘米~(-3)。另外,研究了系统漏气及氢中含氧量对浅施主浓度N_D、熔融KOH腐蚀坑密度和生长层表面氧化膜的影响以及这些参数间的相互关系。 根据生长层的电学性质,计算了室温迁移率的计算值与实测值之差Δμ300K。发现,后者随N_D增加而降低,恰与前一文报导的用石英舟液相外延的情况相反。由此推测,在本文实验条件下,迁移率刽子手的本性也与前文有所不同,而以碳或碳化物较为可能。 相似文献
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