西藏帮浦矿区东段铅锌矿地质特征及控矿因素

西藏帮浦东段铅锌多金属矿属于帮浦钼铜-铅锌多金属矿田的组成部分,矿区前人做的勘查工作较多,但综合研究较少,为满足矿山深边部找矿突破的需要,本文在前人工作基础上,结合项目组开展勘查工作的认识,对帮浦矿区东段铅锌矿的地质特征进行了系统的归纳总结,并对矿区的控矿因素进行了分析和探讨,以期为矿区下一步找矿提供帮助。     

MIMO雷达基于子阵的波束形成性能分析

MIMO雷达是近几年发展起来的一种新体制雷达,已成为雷达领域中的研究热点。结合机载MIMO雷达在采用子阵级阵列处理时遇到的栅瓣问题,本文介绍了规则子阵划分方法,将时分虚拟技术应用到MIMO雷达中,引出时分虚拟重叠发射子阵技术,分析了不同划分方法下的波束形成并给出仿真结果和分析结论,得到一些有用结果。对当前研究的机载MIMO雷达子阵划分及栅瓣抑制问题有一定意义。     

梅子青青釉的研制

采用龙泉当地原料西源与黄坛,配合石英、方解石、滑石、氧化铬等原料制备青釉。实验采用单因素实验法,在1280℃～1320℃还原气氛烧成下获得了釉面效果较好的梅子青青釉。考察了西源含量、氧化铬含量、Si/Al摩尔比和釉层厚度等因素对青釉呈色的影响。研究结果表明：当配方组成：西源22%、Si/Al摩尔比9.5、方解石17%时,控制釉层厚度为1.5 mm,获得的梅子青青釉釉面效果最好。     

静叶尾迹流引起的气流激振力计算方法与激振力特性研究

在研究汽轮机叶片气流激振力的来源与性质的基础上,建立了静叶尾迹流产生的气流激振力计算模型,开发出了基于Matlab的气流激振力计算与分析软件,以探讨叶片气流激振力特性随叶栅结构参数的变化关系。对国产300MW汽轮机某级叶片的气流激振力进行了计算与分析,结果表明:叶栅的结构参数δ、z、B1、b1、t1对气流激振力特性有较大的影响。在汽轮机设计过程中,合理地选择上述结构参数,可以有效地控制气流激振力。     

离心风机转子临界转速计算方法的对比分析

风机转子临界转速分析计算是风机结构设计中最关键的一个环节,对风机转子的安全运行和全寿命管理具有非常重要的意义。本文分别采取工程计算法、传递矩阵法和有限元法来计算转子的临界转速,并对上述计算方法进行了相应的对比和对其适应性作出了总结,在实际工程中具有很高的实用价值。     

低合金钢管在土建施工中的适应性试验研究

对低合金钢管作脚手架和模板支撑架的适应性作了一系列对比试验,经过分析得出在土建施工中使用低合金钢管时,可锻铸铁扣件对其扣接能力无影响、搭设外脚手架的高度比普碳钢管架的限值降低２５％ 及搭设排架在以往经验尺寸上减小２０％ 等５ 点结论     

超声预处理对真空冷冻干燥猕猴桃片品质的改善作用

目的 以“海沃德”猕猴桃为原料,采用超声预处理改善真空冷冻干燥猕猴桃片的品质。方法 分别采用不同功率（60 W,120 W,180 W,240 W,300 W）和时间（1 min,5 min,10 min,15 min,20 min）的超声波预处理猕猴桃,经真空冷冻干燥制成真空冷冻干燥猕猴桃片,分析真空冷冻干燥果片的水分含量、可溶性糖、可滴定酸、维生素C含量、水分活度、色度等指标,探讨超声预处理对真空冷冻干燥果片品质的影响规律。结果 超声功率为60 W~180 W时,真空冷冻干燥猕猴桃片的含水量提高2.51%~13.70%;超声时间为1 min~10 min时,含水量提高9.23%~11.75%。与空白相比,所有超声组的可溶性糖含量、可滴定酸含量、糖酸比均略有提高,但维生素C含量平均下降9.66%。超声预处理显著降低真空冷冻干燥猕猴桃片的水分活度,60 W~300 W超声组的水分活度下降4.29% ~20.86%;1 min~20 min超声组的真空冷冻干燥猕猴桃片水分活度下降4.91%~15.34%。所有超声组的a*值均下降,显著低于空白,其中300 W超声波使a*值下降25.08%,超声冻干果片颜色更绿。结论 猕猴桃在真空冷冻干燥加工之前,使用功率120 W ~240 W和时间1 min ~5 min超声波进行预处理,有助于改善真空冷冻干燥猕猴桃片的整体品质。     

干铵加热器寿命短的原因及其改型

分析了干铵加热器寿命短的原因:开停车时的振动;开停车时温度变化而引起翅片管的热膨胀和热应力;设备腐蚀及焊接质量问题等。根据存在问题进行了干铵加热器的改型设计,并取得了明显的经济效益和社会效益。改型后的加热器使用至今(已有三年半时间),未出现蒸汽泄漏情况,也未进行任何检修。     

多晶硅压力传感器的研制

<正> 一、引言 多晶硅作为一种压阻材料,可以通过化学汽相淀积工艺淀积在陶瓷,玻璃,SiO_2,Si_3N4等绝缘材料上,从而制造出一种SOI结构的压力传感器,选种特性为高温压力传感器和更为灵敏的触敏传感器提供可靠的工艺基础。 多晶硅压力传感器避免了扩散型压力传感器的pn结漏电问题,展宽了器件的工作温度范围,高温可达200℃。同时多晶硅电阻的温度系数随掺杂浓度可调,在一定掺杂水平可制造