计及分布式电源注入谐波的单相接地故障联合选线

随着配电网线路安全运行要求的提高,分布式电源注入的谐波会使得现有的选线方法失效,且单一判据的故障选线方法愈加难以胜任复杂配电网系统发生单相接地故障后的选线工作。因此文中提出了计及分布式电源注入谐波的谐振接地系统单相接地故障联合选线。针对谐振接地系统中出现单相接地故障后,故障线路与健全线路的暂态零序电流相位、周期变化不同的特点,先根据低频周期差异用多尺度交叉样本熵计算暂态零序电流,再根据高频相位差异用加权暂态能量法及同步挤压小波变换计算高频暂态零序电流的重构误差。此外,使用加权暂态能量法控制计算量并通过多尺度交叉样本熵、加权暂态能量和重构误差3个判据判定故障线路。实验结果显示,文中的联合选线法受不同故障条件的影响小,准确性高,抗干扰性强。     

Cu/SiO_2催化剂的制备对其活性的影响

芳香硝基化合物氢化制胺类产品所用的是Cu/SiO_2催化剂。它的制备过程是:硝酸铜溶液→铜氨络合物溶液→浸SiO_2→湿催化剂(洗涤、去母液)→烘干与焙烧→成品包装。这种催化剂的催化活性除了取决于自身的化学成分外,还与生产催化剂的原料优劣及操作者水平高低     

五元钱

听A市来串亲的人说那里的芹菜很便宜,和我居住的地区差价几倍。我见有利可图,加上已在单位办理了停薪留职手续,又买了辆三轮车准备跑买卖,就决定先上A市拉趟芹菜试试。两地相距一上午的路程,我装上芹菜以后迷路了,就在一个饭馆跟前停下车。饭馆的老板娘告诉我:“从这里往北去,遇到一条东西走向的沙子路往西拐,再经过一座石桥,走五里路,往南就上了国道。”听了她的话,我就开着三轮车往北走,寻找这条沙子路。遇见了第一条往西去的土路,往西拐。谁知道走错了,被一条大河挡住,河堤上根本不能通车。当我调转车头往回返的时候,因为拐弯太急,三轮…     

微沟槽顶部毛刺宽度微细切削试验研究

毛刺的存在影响工件的加工精度及加工效率。文章以毛刺宽度作为分析指标,采用正交试验对微细铣削过程中的关键因素(轴向切深、每齿进给量、主轴转速、径向切深)进行优化参数研究。分析结果表明:最优铣削参数组合是主轴转速为78000min-1,轴向切深为78μm,每齿进给量为1.5μm/z,径向切深为390μm;关键影响因素对毛刺尺寸影响的程度由大到小依次是主轴转速、轴向切深、每齿进给量和径向切深。由于参数优化铣削的微沟槽的顶边缘仍然存在尺寸较大的毛刺,文中采用后处理加工方法进行修正,结果表明能够进一步明显减小毛刺。     

董箐水电站面板堆石坝分区设计

董箐水电站面板堆石坝主要堆石料采用砂泥岩料,存在渗流控制和变形控制等技术问题,通过对砂泥岩料试验研究和坝体分区方案比选,提出了适应砂泥岩特性的分区设计,达到了加快施工进度,节约工程投资,保障工程安全的目的。     

加氢还原工艺条件对Cu/SiO_2催化剂活性之影响

苯胺与邻甲苯胺广泛地应用于聚氨脂硬泡(MDI)、橡胶助剂、农药化肥、染料、颜料、医药、光化学品、树脂、特种纤维等化工领域。我国需求量日增,各地纷纷建厂投产。为了探讨加氢还原工艺条件对Cu/SiO_2催化剂活性的影响,交流催化加氢制胺类产品的生产经验,使新投产的单位少走一些弯路,这就是写作本文的目的。     

大尺寸硅片超精密磨削平整化加工机理与技术

在中国国家自然科学基金重大项目《先进电子制造中的重要科学技术问题研究》资助下，针对大尺寸硅片化学机械抛光(CMP)和超精密磨削平整化所涉及的“超精抛光中纳米粒子行为和化学作用及平整化原理与技术”，以300mm硅片为代表，归纳报告硅片超精密磨削加工机理、磨削平整化理论、超精密磨削表面/亚表面损伤、磨削加工工艺规律，以及大尺寸硅片超精密磨削平整化加工关键技术的研究进展。 从硅片旋转磨削过程的运动学仿真、硅片磨削过程的分子动力学仿真和硅片材料的脆性 延性转变等3方面研究了硅片的超精密磨削机理。 通过建立硅片旋转磨削过程的运动学理论模型，获得硅片旋转磨削的运动轨迹参数方程、磨纹长度、磨纹数量以及磨削稳定周期等模型，分析了磨纹间距、磨纹密度与磨削表面层质量的关系。在此基础上开发硅片旋转磨削纹理的计算机预测仿真软件对硅片超精密磨削过程进行数字模拟，通过硅片磨削实验对数字仿真结果进行实验验证。     

大尺寸硅片自旋转磨削的试验研究

利用基于自旋转磨削原理的硅片超精密磨床,通过试验研究了砂轮粒度、砂轮转速、工件转速及砂轮进给速度等主要因素对材料去除率、砂轮主轴电机电流以及磨削后硅片表面粗糙度的影响关系。研究结果表明,增大砂轮轴向进给速度和减小工件转速,采用粗粒度砂轮有利于提高磨削硅片的材料去除率,砂轮轴向进给速度对材料去除率的影响最为显著;适当增大砂轮转速,减小砂轮轴向进给速度,采用细粒度砂轮可以减小磨削表面粗糙度;在其它条件一定的情况下,砂轮速度超过一定值会导致材料去除率减小,主轴电机电流急剧增大,表面粗糙度变差;采用比#2000粒度更细的砂轮磨削时,材料去除率减小,硅片表面粗糙度没有明显改善。