钨吸附过程阴离子分布规律及局部淋洗研究

用分部位解吸的方法研究了钨吸附过程终了WO_4~(2-)、MoO_4~(2-)及砷阴离子在交换柱上的分布规律,通过解吸曲线和交换柱分布曲线叠合比较,定性地确定了解吸反应速度Uwo_4~(2-)相似文献   

NH_4Cl－NH_3·H_2O－H_2O系仲钨酸铵结晶动力学Ⅱ仲钨酸铵蒸发结

用最终产品粒度组成与晶体生长速率结合的方法研究了仲钨酸铵（ＡＰＴ）成核速率。通过图解法和计算，得出了不同溶液组成、加热强度和搅拌转速下ＡＰＴ结晶成核期、最大成核速率出现时间、成核速率最大值、生成晶核总数、最大可能粒径、成核期结束时的固相析出率等特征参数，井探讨了各种条件的影响机理。研究表明：ＮＨ４Ｃ１的掺入使ＡＰＴ成核速率加快、成核期延长；快速搅拌引起ＡＰＴ成核中后期二次晶核大量产生。     

球形仲钨酸铵的制备及其工艺研究

在探明球形APT结晶原理的基础上,研究了结晶温度、搅拌转速、料液补加方式及补加速度等因素对仲钨酸铵晶体球化的影响.     

赣州钨业崛起的原因和发展战略探讨

研究了近年来赣州钨冶炼业崛起的历史轨迹和原因，提出了新一轮钨业发展的建议。     

串联速率法研究仲钨酸铵晶体线生长速率

将结晶成核期后晶体的生长阶段作为线生长速率测定的时间范围,采用“串联速率法”研究了仲钨酸铵(APT)的晶体线生长级数。NH4Cl—NH3·H2O—H2O系和NH3·H2O—H2O系测定的APT晶体线生长级数分别为0.69和0.82。     

Nikuradse-Karinan方程的近似解

作者用数理统计方法求出了尼库拉则－卡门方程的近似求解公式。用新的近似式计算光滑管摩擦系数比原公式简单。在整个公式适用范围内，近似式与原式计算值之间的最大相对误差的绝对值不超过0．7％。     

我国钨冶炼离子交换工艺的技术发展与工艺评价

综述了近年来我国钨冶炼离子交换工艺取得的重大技术进步。对碱法离子交换工艺与萃取工艺、以及碱分解黑钨矿工艺、碱分解白钨矿工艺、除钼工艺、离子交换工艺、母液回收工艺和结晶NH3 尾气回收工艺进行了比较与评价。     

EPROM器件在顺序控制器中的应用

<正> 可擦除、可编程只读存贮器(EPROM)是一种半导体存贮器件,它具有集成度高、价格低廉、便于编程及能多次使用等优点。在顺序控制器中,采用这种器件取代传统的步进式和时序式顺序控制器中的矩阵板来进行工艺信息的记忆存贮,无疑对顺序控制器的结构和性能均有明显的改进。     

仲钨酸铵晶体生长机理及形态研究

研究了掺入ＮＨ４Ｃｌ下仲钨酸铵（ＡＰＴ）的晶形变化，探讨了生长机理与晶体生长速率（ＬＮ）的关系，计算ＬＮ值时采用了将最终产品粒度组成与生长质量速率结合的方法，结果表明：ＮＨ３．Ｈ２Ｏ－Ｈ２Ｏ系ＡＰＴ按二维成核或位错机理生长，晶体表面光滑，层状结构明显，部分小晶体具有螺卷状结构，ＮＨ４Ｃｌ－ＮＨ３．Ｈ２Ｏ－Ｈ２Ｏ系ＡＰＴ生长则为二维成核或以最微小粒子集聚的连续生长机制，大颗普晶体表面粗糙多孔，晶面界     

钨精矿碱浸出液中的钨锡分离研究

研究了钨精矿碱浸出液中锡的存在形式及钨锡分离.试验结果表明,浸出液的pH对锡的存在形式有较大影响,溶液pH值越高,SnS2-/3存在比例越低;沉淀剂M115能够高效地从钨酸钠溶液中将SnS2-/3选择性去除,除锡率随试剂用量增加和反应时间延长而增大,随反应温度升高而降低.在试剂用量为理论用量6倍、室温条件下搅拌1 h,锡去除率可达90%以上.