电子束辐照对AlGaInP基红光LED光学性能的影响

研究了低能电子束辐照对AlGaInP基红光LED性能的影响,利用不同剂量的电子束对AlGaInP基红光LED进行辐照,将辐照后和未辐照的LED的发光强度进行对比.结果表明:辐照后LED的发光强度增加,同一外延片上测试点的发光强度的增加不均匀.     

电子束辐射对LED发光性能的影响

研究了低能电子束辐照对发光二极管(Light emitting diode,LED)发光性能的影响。利用实验室加速器提供的电子束模拟空间电子辐射,分别对发不同颜色的光的LED进行不同剂量的辐照,并对比辐照前后的LED的电学性质及光学性质的变化。在电子束辐照下,LED的发光强度提高,同时在统计了大量LED后,发现这些LED的发光强度的离散性变好。对经电子束辐照后的LED进行电流加速老化实验,发现电子束辐照后的LED的发光强度下降趋势相比未经辐照的LED更为明显。同时利用电子束辐照机理对实验结果进行分析和讨论。     

基于尾灯的夜间前方车辆检测与跟踪方法

针对夜间环境下车辆难以检测的问题,提出一种基于尾灯的夜间前方车辆检测与跟踪方法。首先根据光晕特征和亮度特征进行车辆尾灯提取,对尾灯进行配对后根据尾灯对估计车辆的位置并实现对车辆的检测,然后利用改进的粒子滤波算法对已检测车辆的尾灯进行跟踪,进而实现对车辆的跟踪。最后结合检测和跟踪方法提出一种车辆检测与跟踪系统。实验结果表明:本文方法具有检测率高的特点,对车辆检测率可达96%,车辆检测与跟踪系统可解决车辆互相遮挡情况下的车辆检测问题,并可提升车辆检测率至98%。     

基于共振隧穿机制的太赫兹波振荡器特性模拟

共振隧穿器件由于其具有高频高速的特点,适用于制作太赫兹波段的振荡源器件。本文主要针对太赫兹波段的共振隧穿二极管(RTD)的振荡特性进行模拟仿真。利用等效电路理论和Pspice软件对共振隧穿振荡器(RTO)的等效电路模型进行振荡频率和功率的模拟计算。在理论计算中将隧穿和渡越时间效应以及寄生元件等制约因素都进行了分析,结果表明通过改进RTD和缝隙天线的结构,共振隧穿振荡器的振荡频率可达1.2THz,输出功率可达到115?W。并且在Pspice仿真环境下进行验证,结果也与理论计算较为相符。     

GaN基LED高能电子束流辐照效应研究

使用高能电子辐照对GaN基蓝光发光二极管(Light Emitting Diode,LED)光电学性能的影响进行研究。高能电子束流分别对不同组别的LED样品进行辐照实验,并通过自动测控系统对辐照过程中LED的电流、光强、光谱峰值波长进行全程测控。随后,在室温无辐照环境下对上述不同组别的LED样品进行跟踪对比测试研究。实验结果表明,高能辐照对LED的改性有明显效果,具体表现在工作电流和发光功率变化时受辐照影响的稳定性有所改善,光谱峰值波长出现蓝移。同时,GaN基LED在辐照过程中是否通电对LED的光电学性能有显著影响。     

高出光率GaN基光子晶体LED的研究进展

在LED上制作光子晶体结构将会提高LED的出光效率,这使得LED应用范围更广.主要从不同的光子晶体加工工艺出发,总结近年来GaN基光子晶体LED的研究进展,介绍新的工艺和实验结果.通过比较发现,利用光子晶体的光子禁带效应和光栅衍射原理,都能够提高LED的出光效率,但需要和光子晶体的结构参数以及相应的加工工艺相结合,使出光效率和光场能流密度有大幅度的提高,从而实现LED出光效率的提高,使LED取代白炽灯等光源应用于生活照明成为可能.     

N阶微环菱形矩阵谐振滤波器传输性能研究

微环谐振器具有结构紧凑、易于大规模集成等优点,在研究中多采用多环联接来改进其滤波特性。提出了一种改进型的N阶微环矩阵谐振滤波器结构,使N阶矩阵为菱形排列方式,以获得更佳的旁瓣、带内纹波等性能指标。以3阶微环矩阵为例,利用耦合模理论对N阶微环矩阵建立稳态方程,求解出3阶微环矩阵的输出特性,并与其他同环数的微环阵列在滤波性能上进行比较分析,得出结论:在相应结构参数和微环数目相同的情况下,改进型N阶微环矩阵谐振滤波器在通带宽度、远端抑制、旁瓣等方面较多环联接方式更具优势。该改进型N阶微环矩阵谐振滤波器可以在宽信道大容量的波分复用系统中得到应用。     

GaN基MSM结构紫外探测器及其研究发展

本文主要介绍了GaN基紫外探测器,尤其是GaN基金属-半导体-金属(MSM)结构紫外探测器的工作机制、结构、特点及其应用,并且对GaN基MSM结构紫外探测器的研究进展进行回顾,并对目前较为热门的紫外焦平面阵列探测器的研究进展进行简单的介绍。