具有PDEB LB膜的声表面波湿度传感器

介绍一种新型聚炔离子导体湿敏材料－聚对二炔苯的Ｌａｎｇｍｕｉｒ－Ｂｏｌｄｇｅｔｔ成膜原理与制备，淀积有１０层ＰＤＥＢ ＬＢ膜层的声表面波延迟线型湿度传感器的特性。由于ＬＢ成膜技术拉制的膜可以在分子水平上进行定量控制，保证了膜的均匀性和一致性。     

砷化镓声电荷转移延迟线的设计与工艺研究

由于声电荷转移(ACT)这一新颖的高速缓冲抽样技术的发明,使得新一代高速高频信号处理器件的实现成为可能。本文研究了第二代平面结构的ACT器件转移沟道的电位分布特性,给出了平面结构ACT延迟线的设计,并研究了ACT器件的工艺实现。     

抽指延迟线型声表面波温度传感器

介绍一种在128°转Y-Z铌酸锂压电晶体材料上研制的新型温度传感器的原理、设计、制造及其特性.与一般温度传感器输出的量是模拟量所不同的.它的输出是频率数字量,故具有很高的灵敏度、分辨率.也可实现与计算机的直接连接,实验结果表明:用抽指型延迟线振荡器研制的声表面波(SAW)温度传感器的灵敏度为—6kHz/C,且具有好的线性.适用于高精度检测.     

印刷电路返波管的特性计算与实验研究

本文介绍一种简便而较准确的微带型交叉指慢波系统的工程计算方法以及试验性印刷电路返波管印制慢波线的制造工艺和实验研究。     

SAW谐振器型温度传感器

本文介绍一种用于通讯的ＳＡＷ谐振滤波器及相关电路所构成的ＳＡＷ谐振器型温度传感制的原理和特性，与ＳＡＷ延迟线振荡器型温度传感器相比，它具有频率高、插入损耗小、带宽窄、旁瓣抑制大等突出优点，实测结果表明：ＳＡＷ谐振器型温度传感器的短期频率稳定性大于１０＾－７，其灵敏度为－０．６ｋＨｚ／℃，具有良好的线性度和重复性，可用于高精度的温度测量。     

S枪磁控溅射Ni薄膜晶粒结构与导电特性的研究

应用薄膜晶粒边界散射的三维物理模型,分析了Ｎｉ薄膜晶粒结构对Ｎｉ薄膜电阻特性的影响,采用正交试验法得到了Ｓ枪磁控溅射的Ｎｉ薄膜具有良好导电特性的最佳工艺条件。ＳＥＭ照片表明了不同工艺条件下Ｎｉ薄膜的薄膜晶粒结构,最后给出了Ｓ枪磁控溅射的Ｎｉ薄膜制成的温度传感器的电阻温度特性。     

数字式石英晶振真空计

文中介绍了一种新型数字式能测量粗中真空度的真空计和传感器的硬件设计。     

单片砷化镓声电输运器件

砷化镓声电输运器件(Acoustic Charge Transport Device,简称ACT器件)是一种新型的高速信号处理器件,其工作原理是基于电荷耦合器件和声表面波器件原理的结合,并克服了它们的缺点。本文介绍了ACT器件的基本结构、工作原理和特点。     

双输出端磁控管高频参数的冷测

本文提出了一种测量双输出端磁控管高频参数的简便冷测方法。冷测的参量包括磁控管谐振腔固有谐振频率、每个输出端与腔体的耦合度及频率牵引系数。冷测所得的频率牵引系数与热测所得的数值非常接近。这种测试方法也适用于多于两个输出端的磁控管高频参数的测量。     

PIN管腔外电调频率捷变磁控管

引言随着捷变频技术的发展,对捷变频管频率捷变速度的要求越来越高。机械调谐速度慢,只能实现脉间变频,而电调管的调频速度可以大大提高,可实现脉内变频。本文介绍了在普通磁控管上附加一个PIN管调谐器来实现频率捷变的技术。在上灯及长风机器厂的协作下,制成了腔外PIN管电调频率捷变磁控管(401管),捷变带宽40～50兆赫、>10千瓦、跳频时间<30微秒,并进行了装机实验。测试结果表明,在捷变状态下工作稳定、频谱良好。这种管子与机调捷变频磁控管相比,没有