WC/Ni60真空熔烧涂层的组织结构特性

研究了真空熔烧WC Ni60复合涂层的显微组织结构特性 ,并测定了沿层深方向的显微硬度分布。研究结果表明 ,涂层与母材 4 5钢在界面处形成牢固的冶金结合 ,界面两侧的显微硬度呈连续性分布     

熔渗法制备SiC/ FexSiy 复合材料显微结构和性能

用Fe_xSi_y (Fe₃Si, Fe₅Si₃, FeSi ) 熔体自发浸渗SiC 粉体预制件制备出致密度高达9615 %的SiC/ Fe_xSi_y复合材料。利用XRD、OM 和SEM 等对复合材料的相组成、显微结构和力学性能进行了分析和表征。研究发现, 自发浸渗过程中SiC 在Fe_xSi_y 熔体中有溶解和析出, 导致复合材料的相组成和显微结构发生变化。Fe₃Si 渗入后, 复合材料中有碳析出, 并生成Fe₅Si₃ 和FeSi 两种新相;Fe₅Si₃ 和FeSi 的渗入无碳析出, 而是发生碳化硅烧结、粒子合并和晶粒长大;Fe₅Si₃ 熔体渗入超细碳化硅(0.5μm ) 粉体预制件后, 生成大的碳化硅晶粒和碳化硅单晶。借助CHEMSAGE 热力学数据库对1873 K 时Fe-Si-C 体系的平衡相图进行了定量分析, 研究了SiC 在Fe_xSi_y 熔体中的稳定性;解释了铁的三种硅化物浸渗后, SiC 颗粒形态的变化。通过对复合材料显微硬度、弯曲强度和可靠性(威布尔系数) 的测试, 分析了熔渗法SiC/ Fe_xSi_y 复合材料结构和性能的关系。     

PEO-LiClO4-Li1.3Al0.3Ti1.7 (PO4)3复合聚合物电解质电导率

将实验室烧制的无机快离子导体盐Li_1.3Al_0.3Ti_1.7 (PO₄)₃ 、PEO 与LiClO₄ 按照EO/ Li = 8, 两种锂盐含量为变量进行复合, 通过溶液浇注法制备得到PEO-LiClO₄-Li_1.3Al_0.3Ti_1.7 (PO₄)₃ 复合聚合物电解质膜, 以示差扫描热分析法(DSC) 与电化学阻抗( EIS) 测试其性能。DSC 测试结果表明: 按照EO/ Li = 8 将Li_1.3Al_0.3Ti_1.7 (PO₄)₃ 、LiClO₄ 与PEO 复合的聚合物电解质中PEO 的结晶度由50.34 %下降到4.36 %～28.53 %。室温下该聚合物电解质所有试样的阻抗谱图在高频区呈现为压缩的半圆, 在低频区为一条倾斜的直线, 而在较高温度时, 阻抗谱图主要为一条倾斜的直线。复合聚合物电解质PEO-LiClO₄-Li_1.3Al_0.3Ti_1.7 (PO₄)₃ 的离子电导率遵从Arrhe2nius 关系, 在Li_1.3Al_0.3Ti_1.7 (PO₄)₃ 质量分数达到15 %时, 活化能最低, 即4.494425 eV, 此时电导率值最佳, 373 K时为1.161 ×10 -3 S/ cm 和298 K时为7.985 ×10-6 S/ cm。     

金属硅化物熔体中不同形貌SiC晶体的生长

以过渡族金属硅化物为溶剂，采用自发熔渗法和溶液法来研究不同形貌SiC晶体在金属硅化物熔体中的生长情况.利用光学显微镜（OM）、扫描电镜（SEM）、体视显微镜等对熔渗试样和采用溶液法生长的单晶和晶须的形貌结构进行了观察和表征，利用X射线衍射仪（XRD）对采用溶液法生长的晶体和晶须进行了相组成和晶型的表征，并讨论了SiC晶须和SiC单晶的生长机理.结果表明，Fe5Si3、CoSi、Co4.5CrSi4.5、Ti2.3Si7.7等熔体适合生长SiC单晶，FeSi、FeSi2等熔体适合生长SiC晶须，而当Fe3Si熔体渗入SiC预制件后，仅有石墨相析出.     

基于BP神经网络的特征融合遥感图像阴影检测

针对遥感图像中地物遮挡形成阴影,导致阴影区域地物信息受损的问题,提出一种基于BP(back propagation)神经网络的特征融合遥感图像阴影检测方法,该方法共分为预处理、特征提取、特征融合和后处理4个阶段。为了克服现有单一特征阴影检测方法的局限性,共设计了蓝绿波段归一化、主成分分析、HSI(hue,saturation,intensity)空间和灰度矫正色调4个特征提取分支,然后通过BP神经网络实现多特征的深度融合。实验表明,所提方法提取的阴影掩膜完整性高、边缘区分良好,对水体等易混淆的非阴影地物也能很好地区分,说明本文方法具有较好的鲁棒性。     

Yb2O3 掺杂氮化硅复合材料的高温动态疲劳行为

研究了N2 气氛加压烧结制备的6 wt %Yb₂O₃ 和2 wt %Al₂O₃ 掺杂氮化硅复合材料在高温下的动态疲劳行为。用维氏压痕法在试样上获得规范的预制裂纹。分别在1000 ℃、1200 ℃、1300 ℃、1400 ℃下, 以1 、0. 5 、0. 1 、0. 01 mm/ min 的不同压头速率对试样进行四点弯曲试验。不同温度下疲劳应力2加载速率函数曲线的对比表明, 这种材料在1200 ℃时, 对亚临界裂纹生长具有最高的抵抗力(即具有最大的亚临界裂纹生长指数N) 。XRD、TEM 分析表面晶界相的晶化、裂纹愈合可以提高亚临界裂纹生长指数。EDS 分析表明, 1200 ℃下氮化硅陶瓷断裂面的氧化有助于晶界相的晶化, 但是在更高的温度下, 则会产生不利影响。      

功能梯度材料的进展

功能梯度材料是一种新型复合材料 .介绍了功能梯度材料的概念、制备工艺、应用领域、设计方法及其特征评价 ,并讨论了功能梯度材料研究的主要方面 .     

FeSi熔体中SiC晶须的VLS生长

在1500℃、 1600℃、 1650℃和1750℃氩气中保温3h, 使Fe-Si在石墨基板上熔化并敷展, 分别在熔层表面获得SiC颗粒层、 SiC颗粒与晶须混合层、 SiC晶须层和SiC腾空薄膜。XRD分析确定所有产物均为3C-SiC; TEM和SAED分析表明, SiC晶须为3C-SiC单晶, 生长方向为[111]。基于上述结果, 提出不同温度下C与熔体中的Si经不同反应路径, 生成不同形貌SiC的反应机理: 低温时(≤1500℃), Fe提高了熔体中C的饱和溶解度, 以液-固(LS)反应生成SiC颗粒; 较高温度时(1500~1750℃), 借助Fe的催化作用, 以气-液-固(VLS)机理生成SiC晶须; 更高温度时(≥1750℃), 气-液-固(VLS)变得无序, 生成SiC腾空连续膜。      

高炉渣处理技术进展

阐述了当前国内外高炉渣综合处理技术现状,认为目前炉渣处理工艺存在新水消耗大、炉渣显热利用率低和二氧化硫、硫化氢等污染物排放的问题,而高炉渣急冷干式粒化工艺有望解决这些问题,是高炉渣处理技术的发展趋势。