BaO 对不同温度焙烧的 La1.6Sr0.4NiO4催化 NO 直接分解活性的影响

通过 XRD、 H2‐T PR、 NO‐T PD 等分析测试手段,研究了一定量的 BaO 对不同温度制备的La1.6 Sr0.4 NiO4催化NO直接分解活性的影响。研究发现低温焙烧得到的样品对NO直接催化分解活性高于高温焙烧得到的样品,且催化剂本身活性越大, BaO对其催化NO直接分解的活性促进作用越大。     

无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源

结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管,提出一种纯MOS结构的基准电压源,其结构能有效补偿MOS管的栽流子迁移率和亚闽值斜率的温度系数。基于SMIC0．13μm的CMOS工艺的仿真结果表明,在-5-90℃的范围内。输出电压的温度系数为5ppm／℃。在室温时,整个电路能在低到0．9V的电源电压下工作并消耗0．68μW的功耗。     

基于干扰观测器的弹丸协调臂Terminal滑模控制

为了解决某火炮弹丸协调臂电液伺服系统位置控制精度问题和鲁棒性问题,提出了一种基于扰动观测器的弹丸协调臂Terminal滑模控制策略。推导出弹丸协调臂电液伺服系统的动力学方程,将系统的参数不确定性以及外界扰动处理为干扰项。采用指数趋近的干扰观测器进行在线观测并在控制律中进行补偿,提高了系统的鲁棒性。同时为了克服传统滑模控制在线性滑模面条件下状态渐进收敛导致无法在有限时间内到达平衡状态的特点,设计了一种全局快速Terminal滑动模态,使系统在有限时间内到达滑模面,系统状态在有限时间内迅速收敛到平衡状态,最后利用Lyapunov证明全局稳定性。仿真结果证明,该控制策略能对电液伺服系统不确定性和干扰具有很好的鲁棒性,且能明显提高弹丸协调臂动态精度与稳态精度。     

无电阻低压低温漂的CMOS基准电压源

结合工作在亚阈值区、饱和区和线性区的MOS管,提出一种纯MOS结构的基准电压源,其结构能有效补偿MOS管的载流子迁移率和亚阈值斜率的温度系数.基于SMIC 0.13 μm的CMOS工艺的仿真结果表明,在温度为-55～90 ℃的范围内,输出电压的温度系数为5 ppm/℃.在室温时,整个电路能在低到0.9 V的电源电压下工作并消耗0.68 μW的功耗.     

基于ADAMS与MATLAB的药仓推药链联合仿真

通过建立虚拟样机的方法对推药链的推药动作进行仿真，首先利用SolidWorks绘制推药链三维模型，再将模型导入ADAMS中。结合ADAMS中的宏命令，建立药仓推药链的虚拟样机模型。采用经典PID控制算法在MATLAB/Simulink仿真平台中建立推药链控制系统模型，最后在ADAMS与MATLAB之间建立数据接口，完成药仓推药链联合仿真系统搭建。在仿真过程中对PID控制参数不断进行调整和优化，获得了较为理想的控制效果。     

弹丸卡膛速度测量系统设计与测试

卡膛速度是弹丸装填的重要参数,对弹丸卡膛的一致性有较大影响,进而对火炮射击精度产生影响.提出了一种基于激光位移传感器的弹丸卡膛速度测试方法,并根据已有的弹药自动装填装置试验台架对测试方法进行了试验和验证.利用激光位移传感器测量弹丸在30°、45°和60°射角下卡膛时段的位移变化,通过Matlab软件对弹丸在身管内的位移-时间历程进行微分处理,获得弹丸卡膛时段的速度-时间历程,弹丸到达卡膛位置速度会骤降至零,根据其速度变化可获得弹丸卡膛速度.对测得的卡膛速度进行误差分析,结果表明该方法可用于弹丸卡膛速度测量,并具有较高精度.