鹿茸促菌作用的微量热法研究

用2277热活性检测仪测定了鹿茸对金黄色葡萄球菌,大肠杆菌促菌作用的热功率-时间曲线,建立了促菌作用的实验模型,计算出了不同浓度的鹿茸促菌作用下的生长速率常数,根据生长速率常数与所用鹿茸浓度的关系曲线,确定了最佳用药浓度.     

Si-C-N陶瓷在雷达吸收方面的应用研究

对前躯体法制备的Si-C－N陶瓷粉末在X波段（8.2-12.4GHz)的雷达波吸收性能进行了研究。通过共氨解甲基氯硅烷和二苯基二氯硅烷（Ph2SiCl2)，得到含苯基聚硅氮烷前躯体，经高温裂解和球磨获得Si-C-N陶瓷粉末。实验结果表明，Si-C-N陶瓷能够吸收X波段的雷达波，并且有机硅单体中Ph2SiCl2的摩尔比对最终的Si-C-N陶瓷吸波性能具有显著的影响。当Ph2SiCl2的含量为5％时，Si-C-N陶瓷对X波段雷达波具有最好的反射损耗，在9.1-12.4GHz的范围内，反射损耗R.L.小于－10dB即吸收带宽为3.3GHz，在10.6GHz处具有的最大反射损耗为-15dB。     

利用高沸物二硅烷中的甲基氯二硅烷制备无氯Si-C-N陶瓷

直接法生产甲基氯硅烷的高沸点副产物分离出的甲基氯二硅烷(DS)与八甲基环四硅氮烷反应形成氯硅烷低聚物,经氨解成为聚硅氮烷(PSZ)前躯体,并发现PSZ甲苯溶液为假塑性流体,得到70％(质量)的PSZ甲苯溶液的粘流活化能为18．3kJ／mol。PSZ在1100℃高温裂解后,可得到无氯Si-C—N无定型陶瓷,认为该路线是制备高性能Si—C—N陶瓷的最经济的方法之一。     

Si-C-N陶瓷前驱体聚硅氮烷合成的研究进展

综述了合成Si—C—N陶瓷前驱体聚硅氮烷的主要方法，即氨／Q解氯硅烷法、硅氮烷低聚物交联法、硅氮烷低聚物与氯硅烷反应法及氯硅氯烷和氯硅烷脱氯编聚法，并介绍了用铝、硼、钛、钇等元素对聚硅氮烷进行改性，以提高Si—C—N陶瓷性能的方法。     

十二烷基磺酸盐胶束尺寸的研究——稳态荧光猝灭法

用稳态荧光猝灭法研究离子胶束的大小。以Ru(bipy)3~(2+)作为荧光探测剂,用9—甲基蒽作为荧光猝灭剂,测得十二烷基磺酸钠(AS)的胶束聚集数(Nn)为52±2(40℃),临界胶束浓度CMC=8.7×10~(-3)M(40℃)。并且计算得AS的胶束分子量(Mn)为1.4×10~4、胶束内核半径r°=16.7A,及其每个AS单体烃链截面积(SA/N)为66A~2。 另外,还研究了AS的胶束聚集数随NaCl浓度的变化规律,实验结果表明:AS的胶束聚集数随NaCl浓度的增加而增大。     

以聚硅氮烷为前驱体的Si-C-N陶瓷对雷达波的吸收应用

氨解甲基氯硅烷和苯基氯硅烷单体可得到聚硅氮烷前驱体，其高温裂解和球磨后获得的Si-C-N陶瓷粉末能吸收X波段(8GHz～12GHz)的雷达波，其吸收性能随氯硅烷单体的配比不同而变化。当将Si-C-N陶瓷粉末与磁性材料复合后，吸收性能大为改进，厚度2．20mm的吸收层，面密度仅为2．86kg／m^2，在10．47GHz处吸收可达-28．84dB，证明了阻抗匹配在研制雷达吸收材料方面的重要性，并提出Si-C-N陶瓷与μ′、μ″值更高的磁性材料复合，吸收性能将会得到更大的提高。     

植酸盐化学转化膜的制备及耐蚀性

为了解决现有植酸盐转化膜耐水洗性差的问题,利用植酸的反应活性及酸催化活性,使之与三乙醇胺进行酯化反应,将所得产物与促进剂、配位剂等进行复配,采用正交法优化转化液配比和转化工艺参数,在A3钢表面制备了可水洗的植酸盐转化膜。利用扫描电镜观察其微观形貌,通过电化学测试技术考察其耐蚀性。结果表明:所得植酸盐转化膜光滑平整,晶粒呈麦粒状紧密排列,具有较好的耐蚀性。     

淀粉酶催化反应的最适温度的微量量热法

用热活性检测仪测定了淀粉在低温淀粉酶催化作用下、不同温度时催化反应的热功率－时间曲线,用热动力学理论和对比进度法对曲线进行处理,得到了酶催化反应的米凯利斯常数（Michoelis）(Km)和最大速率（Vmax）,用计算机处理得到了Km－T的关系式Km＝2×10^-7T³-1.9×10^-4T²+6.284×10^-2T-6.746,进而求出了酶催化反应的最适温度T＝313.53K.