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Si-C-N陶瓷在雷达吸收方面的应用研究 总被引:1,自引:0,他引:1
对前躯体法制备的Si-C-N陶瓷粉末在X波段(8.2-12.4GHz)的雷达波吸收性能进行了研究。通过共氨解甲基氯硅烷和二苯基二氯硅烷(Ph2SiCl2),得到含苯基聚硅氮烷前躯体,经高温裂解和球磨获得Si-C-N陶瓷粉末。实验结果表明,Si-C-N陶瓷能够吸收X波段的雷达波,并且有机硅单体中Ph2SiCl2的摩尔比对最终的Si-C-N陶瓷吸波性能具有显著的影响。当Ph2SiCl2的含量为5%时,Si-C-N陶瓷对X波段雷达波具有最好的反射损耗,在9.1-12.4GHz的范围内,反射损耗R.L.小于-10dB即吸收带宽为3.3GHz,在10.6GHz处具有的最大反射损耗为-15dB。 相似文献
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聚苯乙烯(PS)在苯溶液中与溴代丁二酰亚胺(NBS)反应,经分离提纯得到了固体溴代聚苯乙烯(PSB)。将所得PSB溶于苯并与低分子量的聚二甲基硅氧烷硅醇锂(PDMSOLi)反应,经分离提纯得到固体的溴代聚苯乙烯接枝聚二甲基硅氧烷(PSB-g-PDMSO),所得PSB-g-PDMSO的结构经^1H-NMR、IR及TEM表征。 相似文献
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利用高沸物二硅烷中的甲基氯二硅烷制备无氯Si-C-N陶瓷 总被引:2,自引:0,他引:2
直接法生产甲基氯硅烷的高沸点副产物分离出的甲基氯二硅烷(DS)与八甲基环四硅氮烷反应形成氯硅烷低聚物,经氨解成为聚硅氮烷(PSZ)前躯体,并发现PSZ甲苯溶液为假塑性流体,得到70%(质量)的PSZ甲苯溶液的粘流活化能为18.3kJ/mol。PSZ在1100℃高温裂解后,可得到无氯Si-C—N无定型陶瓷,认为该路线是制备高性能Si—C—N陶瓷的最经济的方法之一。 相似文献
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孟凡君 《China Equipment》2012,(6):46-47
在全球经济复苏乏力、欧洲深陷债务危机,美国"双反"步步紧逼的大背景下,我国全力启动国内市场,新能源产业所蕴含的巨大商机,进一步吸引着全球目光。 相似文献
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全国政协经济委员会副主任、工信部原部长李毅中在3月5日的政协经济界别小组讨论中指出,李克强总理在政府工作报告中明确提出,做好"十三五"时期经济社会发展工作,实现全面建成小康社会目标,必须着力把握好 相似文献
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简要介绍了电动机的防腐要求,油漆涂层配套系统,生产现场常见的典型涂装质量问题及控制方法,涂装现场的组织和人员的管理. 相似文献